公开(公告)号：KR1020060047371A

公开(公告)日：2006-05-18

申请号：KR1020050033359

申请日：2005-04-22

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 엔도오아쯔시 ,  후지와라도모노리 ,  모로즈미유우이찌로오 ,  하라다가쯔시게 ,  나까지마시게루 ,  최동균 ,  후루야하루히꼬 ,  야베가즈오

IPC: H01L21/205

CPC classification number: B08B7/0035 ,  C23C16/4405 ,  Y10S438/90

Abstract: 본 발명의 과제는 반도체 처리용 성막 장치의 사용 방법은 상기 성막 장치의 반응실 내면에 부착하는 부생성물막을 제거하는 공정을 포함하는 것이다. 여기서 상기 반응실 내에 불화수소를 포함하는 클리닝 가스를 공급하는 동시에, 상기 반응실 내를 물이 액막으로서 존재할 수 있는『제1 환경』으로 설정한다.
클리닝 가스, 성막 장치, 반응실, 히터, 배기계, 웨이퍼 보트

公开(公告)号：KR101501803B1

公开(公告)日：2015-03-11

申请号：KR1020120030130

申请日：2012-03-23

Applicant: 엘피다 메모리, 아이엔씨. ,  도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 모로즈미유우이찌로오 ,  스가와라다꾸야 ,  아끼야마고오지 ,  히시야신고 ,  히로따도시유끼 ,  기요무라다까까즈

IPC: H01L21/316

CPC classification number: H01L21/02189 ,  C23C16/18 ,  C23C16/405 ,  C23C16/45529 ,  H01L21/02186 ,  H01L21/022 ,  H01L21/0228 ,  H01L28/40 ,  H01L29/66181

Abstract: 본 발명의 과제는 DRAM 캐패시터의 유전체막에 요구되는 고유전율화 및 저리크 전류화를 양립시킬 수 있는, 산화지르코늄막을 포함하는 유전체막의 성막 방법 및 성막 장치를 제공하는 것이다.
산화지르코늄막을 포함하는 유전체막을 성막하는 성막 방법은 시클로펜타디에닐환을 구조 중에 포함하는 Zr 화합물로 이루어지는 지르코늄 원료와 산화제를 공급하여 피처리 기판 상에 산화지르코늄막을 성막하는 공정과, 시클로펜타디에닐환을 구조 중에 포함하는 티탄 화합물로 이루어지는 티탄 원료와 산화제를 공급하여 상기 산화지르코늄막 상에 산화티탄막을 성막하는 공정을 갖는다.

公开(公告)号：KR1020120110033A

公开(公告)日：2012-10-09

申请号：KR1020120030130

申请日：2012-03-23

Applicant: 엘피다 메모리, 아이엔씨. ,  도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 모로즈미유우이찌로오 ,  스가와라다꾸야 ,  아끼야마고오지 ,  히시야신고 ,  히로따도시유끼 ,  기요무라다까까즈

IPC: H01L21/316

CPC classification number: H01L21/02189 ,  C23C16/18 ,  C23C16/405 ,  C23C16/45529 ,  H01L21/02186 ,  H01L21/022 ,  H01L21/0228 ,  H01L28/40 ,  H01L29/66181

Abstract: PURPOSE: A depositing method, a depositing apparatus, and storage media are provided to form a film of high density by depositing a titanium oxide film on a zirconium oxide film. CONSTITUTION: A wafer boat(5) is loaded on a table(8) through a heat reserving cover(7). The table is supported on a rotary shaft(10) passing through a lid part(9). A magnetic fluid seal(11) is installed on a penetration part of the rotary shaft. A seal member(12) is installed between a peripheral portion of the lid part and a bottom portion of a manifold. A roof plate(2) is installed on the ceiling of a treatment basin(1). The manifold supports the bottom of the treatment basin. [Reference numerals] (17) Oxidizing agent; (20) Zr source; (25) Ti source; (31) Purge gas; (50) Controller; (51) User interface; (52) Memorizing unit

Abstract translation: 目的：提供沉积方法，沉积设备和存储介质以通过在氧化锆膜上沉积氧化钛膜来形成高密度的膜。 构成：晶片舟（5）通过热储存盖（7）装载在工作台（8）上。 桌子支撑在通过盖部分（9）的旋转轴（10）上。 磁性流体密封件（11）安装在旋转轴的穿透部分上。 密封构件（12）安装在盖部分的周边部分和歧管的底部之间。 顶板（2）安装在处理池（1）的天花板上。 歧管支撑处理盆底部。 （附图标记）（17）氧化剂; （20）Zr源; （25）钛源; （31）吹扫气体; （50）控制器; （51）用户界面; （52）记忆单元

公开(公告)号：KR101118785B1

公开(公告)日：2012-03-20

申请号：KR1020070049658

申请日：2007-05-22

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 모로즈미유우이찌로오 ,  고야나기겐이찌 ,  아라오다까시 ,  우네가즈노리

IPC: H01L21/31

CPC classification number: C23C16/45548 ,  C23C16/405

Abstract: 본 발명은 ALD 성막 장치에 있어서, 반응관 내면에 불가피하게 부착된 불필요한 막의 박리에 의해 생기는 파티클의 발생을 효과적으로 억제하기 위한 기술이 개시된다. 불필요한 막의 박리를 방지하기 위해 ALD법에 의해 금속 산화물막, 예를 들어 산화알루미늄막을 상기 불필요한 막 상에 퇴적시키는 프리 코팅 처리를 실시한다. 프리 코팅 처리 시에 프리 코팅용 가스로서의 오존을 반응관 내에 공급하는 노즐의 종류 및/또는 배치 위치를 반도체 기판 상으로의 성막 처리 시에 성막용 가스로서의 오존을 반응관 내에 공급하는 노즐과 다른 것으로 한다.
ALD 성막 장치, 프리 코팅, 노즐, 반응관, 반도체 제조 장치

公开(公告)号：KR1020070113146A

公开(公告)日：2007-11-28

申请号：KR1020070049658

申请日：2007-05-22

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 모로즈미유우이찌로오 ,  고야나기겐이찌 ,  아라오다까시 ,  우네가즈노리

IPC: H01L21/31

CPC classification number: C23C16/45548 ,  C23C16/405

Abstract: An apparatus for fabricating a semiconductor is provided to avoid generation of particles by effectively performing a pre-coating process in a reaction chamber. At lest one coating nozzle supplies at least one kind of coating gas so as to coat a member exposed to an atmosphere in a reaction chamber. Aside from a nozzle for forming a layer, at least one of the coating nozzle is installed. The at least one kind of forming gas includes first forming gas and second forming gas. The at least one kind of coating gas includes first coating gas and second coating gas. The first forming gas can be the same kind of gas as the first coating gas. Aside from a forming nozzle for supplying the first forming gas, a coating nozzle for supplying the first coating gas can be installed.

Abstract translation: 提供一种用于制造半导体的装置，以通过在反应室中有效地进行预涂工艺来避免产生颗粒。 至少一个涂布喷嘴供应至少一种涂覆气体，以便涂覆暴露于反应室中的气氛的构件。 除了用于形成层的喷嘴之外，安装至少一个涂布喷嘴。 所述至少一种形成气体包括第一形成气体和第二形成气体。 所述至少一种涂布气体包括第一涂覆气体和第二涂覆气体。 第一形成气体可以是与第一涂覆气体相同的气体。 除了用于供给第一成形气体的成形喷嘴之外，可以安装用于供给第一涂覆气体的涂布喷嘴。