公开(公告)号：KR1020060047371A

公开(公告)日：2006-05-18

申请号：KR1020050033359

申请日：2005-04-22

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 엔도오아쯔시 ,  후지와라도모노리 ,  모로즈미유우이찌로오 ,  하라다가쯔시게 ,  나까지마시게루 ,  최동균 ,  후루야하루히꼬 ,  야베가즈오

IPC: H01L21/205

CPC classification number: B08B7/0035 ,  C23C16/4405 ,  Y10S438/90

Abstract: 본 발명의 과제는 반도체 처리용 성막 장치의 사용 방법은 상기 성막 장치의 반응실 내면에 부착하는 부생성물막을 제거하는 공정을 포함하는 것이다. 여기서 상기 반응실 내에 불화수소를 포함하는 클리닝 가스를 공급하는 동시에, 상기 반응실 내를 물이 액막으로서 존재할 수 있는『제1 환경』으로 설정한다.
클리닝 가스, 성막 장치, 반응실, 히터, 배기계, 웨이퍼 보트