公开(公告)号：KR102202347B1

公开(公告)日：2021-01-12

申请号：KR1020190069236

申请日：2019-06-12

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 이와시타신야 ,  스즈키아유타 ,  신도다카히로 ,  뎀포가즈키 ,  마츠도다츠오 ,  모리타야스시 ,  기쿠치다카미치 ,  모리야츠요시

IPC: H01J37/32 ,  H01L21/67 ,  H01L21/02 ,  C23C16/455

Abstract: (과제) 동일한성막장치에있어서성막되는박막의막질을다양하게제어할수 있는기술을제공한다. (해결수단) 본개시의성막장치는, 진공배기가능한처리용기와, 하부전극과, 상부전극과, 가스공급부와, 전압인가부와, 전환부를구비한다. 하부전극에는, 처리용기내에서피처리기판이탑재된다. 상부전극은, 처리용기내에서하부전극에대향하여배치된다. 가스공급부는, 상부전극과하부전극의사이의처리공간에서플라즈마화하는성막원료가스를처리공간에공급한다. 전압인가부는, 고주파전원및 직류전원을갖고, 고주파전원및 직류전원중 적어도한쪽으로부터출력되는전압을상부전극에인가한다. 전환부는, 상부전극에인가되는전압을, 고주파전원으로부터출력되는고주파전압과, 직류전원으로부터출력되는직류전압과, 고주파전압에직류전압이중첩된중첩전압에서전환한다.

公开(公告)号：KR1020200144531A

公开(公告)日：2020-12-29

申请号：KR1020200178706

申请日：2020-12-18

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 이와시타신야 ,  스즈키아유타 ,  신도다카히로 ,  뎀포가즈키 ,  마츠도다츠오 ,  모리타야스시 ,  기쿠치다카미치 ,  모리야츠요시

IPC: H01J37/32 ,  H01L21/67 ,  H01L21/02 ,  C23C16/455

Abstract: (과제) 동일한성막장치에있어서성막되는박막의막질을다양하게제어할수 있는기술을제공한다. (해결수단) 본개시의성막장치는, 진공배기가능한처리용기와, 하부전극과, 상부전극과, 가스공급부와, 전압인가부와, 전환부를구비한다. 하부전극에는, 처리용기내에서피처리기판이탑재된다. 상부전극은, 처리용기내에서하부전극에대향하여배치된다. 가스공급부는, 상부전극과하부전극의사이의처리공간에서플라즈마화하는성막원료가스를처리공간에공급한다. 전압인가부는, 고주파전원및 직류전원을갖고, 고주파전원및 직류전원중 적어도한쪽으로부터출력되는전압을상부전극에인가한다. 전환부는, 상부전극에인가되는전압을, 고주파전원으로부터출력되는고주파전압과, 직류전원으로부터출력되는직류전압과, 고주파전압에직류전압이중첩된중첩전압에서전환한다.

公开(公告)号：KR101400155B1

公开(公告)日：2014-05-27

申请号：KR1020120010321

申请日：2012-02-01

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 기노시타히데토시 ,  모리타야스시

IPC: H01L21/20

CPC classification number: C30B25/14 ,  C30B25/165 ,  C30B29/403

Abstract: MBE 성막 장치에서, 페이스 업 상태로 피처리체의 표면에 화합물 반도체로 이루어지는 박막을 형성할 수 있는 원료 공급 장치를 제공한다. 화합물 반도체의 제조에 이용하는 원료를 공급하는 원료 공급 장치(62)에서, 수직 방향으로 연장되어 외주면이 액체를 흐르게 할 수 있는 표면인 액체 흐름면(90)으로 이루어진 원료 보지체(64)와, 원료 보지체의 높이 방향의 도중에 형성되어, 원료의 액체인 원료 액체를 저류하고, 또한 젖는 성질에 의해 원료 액체를 액체 흐름면(90)을 따라 흐르게 하는 원료 액체 저류부(66)와, 원료 보지체 내에 설치되어, 원료 액체 저류부를 원료가 젖는 성질을 발휘하도록 가열하고, 또한 원료 보지체의 선단부를 원료 액체의 증발 온도까지 가열하는 가열 수단(68)을 구비한다.

公开(公告)号：KR1020120089217A

公开(公告)日：2012-08-09

申请号：KR1020120010321

申请日：2012-02-01

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 기노시타히데토시 ,  모리타야스시

IPC: H01L21/20

CPC classification number: C30B25/14 ,  C30B25/165 ,  C30B29/403

Abstract: PURPOSE: A source supplying apparatus and a film forming apparatus are provided to simplify configuration by flowing the liquid source along a liquid flow surface. CONSTITUTION: A source containing body(64) is composed of a liquid source flow surface. A liquid source storage member(66) is formed at a position of the source containing body in a height direction. A liquid source flows to the liquid source flow surface by the liquid source storage member. A heating device(68) is installed within the source containing body and heats a front end part of the source containing body to an evaporating temperature of the liquid source.

Abstract translation: 目的：提供源供应装置和成膜装置以通过使液体源沿着液体流动表面流动来简化配置。 构成：源容纳体（64）由液体源流动面构成。 在源容纳体的高度方向的位置上形成有液体源储存部件66。 液体源通过液体源储存件流到液体源流动表面。 加热装置（68）安装在源容纳体内，并将源容纳体的前端部分加热到液体源的蒸发温度。

公开(公告)号：KR102244353B1

公开(公告)日：2021-04-23

申请号：KR1020200178706

申请日：2020-12-18

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 이와시타신야 ,  스즈키아유타 ,  신도다카히로 ,  뎀포가즈키 ,  마츠도다츠오 ,  모리타야스시 ,  기쿠치다카미치 ,  모리야츠요시

IPC: H01J37/32 ,  H01L21/67 ,  H01L21/02 ,  C23C16/455

Abstract: (과제) 동일한성막장치에있어서성막되는박막의막질을다양하게제어할수 있는기술을제공한다. (해결수단) 본개시의성막장치는, 진공배기가능한처리용기와, 하부전극과, 상부전극과, 가스공급부와, 전압인가부와, 전환부를구비한다. 하부전극에는, 처리용기내에서피처리기판이탑재된다. 상부전극은, 처리용기내에서하부전극에대향하여배치된다. 가스공급부는, 상부전극과하부전극의사이의처리공간에서플라즈마화하는성막원료가스를처리공간에공급한다. 전압인가부는, 고주파전원및 직류전원을갖고, 고주파전원및 직류전원중 적어도한쪽으로부터출력되는전압을상부전극에인가한다. 전환부는, 상부전극에인가되는전압을, 고주파전원으로부터출력되는고주파전압과, 직류전원으로부터출력되는직류전압과, 고주파전압에직류전압이중첩된중첩전압에서전환한다.