公开(公告)号：KR102114555B1

公开(公告)日：2020-05-22

申请号：KR1020180110942

申请日：2018-09-17

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 이와시타신야 ,  기쿠치다카미치 ,  노로나오타카 ,  하세가와도시오 ,  모리야츠요시

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/285

公开(公告)号：KR1020090113170A

公开(公告)日：2009-10-29

申请号：KR1020087019905

申请日：2007-02-09

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 니시무라에이이치 ,  기쿠치다카미치

IPC: H01L21/306 ,  H01L27/115 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L21/6719 ,  H01L21/02063 ,  H01L21/02071 ,  H01L21/67017 ,  H01L21/6704

Abstract: Disclosed is a substrate processing apparatus which enables to efficiently remove an oxide layer and an organic material layer. Specifically disclosed is a substrate processing apparatus (10) wherein a third process unit (36) comprises a case-like process vessel (chamber) (50), a nitrogen gas supply system (190) and an ozone gas supply system (191). The ozone gas supply system (191) comprises an ozone gas supply unit (195) and an ozone gas supply pipe (196) connected to the ozone gas supply unit (195). The ozone gas supply pipe (196) has an ozone gas supply hole (197) having an opening facing to a wafer (W). The ozone gas supply unit (195) supplies an ozone (O3) gas into the chamber (50) through the ozone gas supply hole (197) via the ozone gas supply pipe (196).

Abstract translation: 公开了能够有效地除去氧化物层和有机材料层的基板处理装置。 具体公开了一种基板处理装置（10），其中第三处理单元（36）包括壳状处理容器（室）（50），氮气供应系统（190）和臭氧气体供应系统（191）。 臭氧气体供给系统（191）包括与臭氧气体供给部（195）连接的臭氧气体供给部（195）和臭氧气体供给管（196）。 臭氧气体供给管196具有面向晶片（W）的开口的臭氧气体供给孔（197）。 臭氧气体供给单元（195）经由臭氧气体供给管（196）通过臭氧气体供给孔（197）向室（50）供给臭氧（O3）。

公开(公告)号：KR101057289B1

公开(公告)日：2011-08-16

申请号：KR1020087019905

申请日：2007-02-09

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 니시무라에이이치 ,  기쿠치다카미치

IPC: H01L21/306 ,  H01L27/115 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L21/6719 ,  H01L21/02063 ,  H01L21/02071 ,  H01L21/67017

Abstract: 산화물층 및 유기물층을 효율적으로 제거할 수 있는 기판처리장치를 제공한다. 기판처리장치(10)의 제 3 프로세스 유닛(36)은, 하우징 형상의 처리실용기(챔버)(50)와 질소가스공급계(190)와 오존가스공급계(191)를 구비한다. 오존가스공급계(191)는 오존가스공급부(195)와, 해당 오존가스공급부(195)에 접속된 오존가스공급관(196)을 가진다. 오존가스공급관(196)은 웨이퍼W에 대향하도록 개구되는 오존가스 공급구멍(197)을 가지고, 오존가스공급부(195)는 오존가스공급관(196)을 거쳐서 오존가스 공급구멍(197)로부터 챔버(50)내에 오존(O
3 ) 가스를 공급한다.

公开(公告)号：KR1020070078966A

公开(公告)日：2007-08-03

申请号：KR1020060107765

申请日：2006-11-02

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 니시무라에이이치 ,  기쿠치다카미치

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/304

CPC classification number: H01L21/6719 ,  H01J37/32192 ,  H01L21/67017 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/67196 ,  H01L21/67201

Abstract: A substrate processing device, a substrate processing method, and a storage medium are provided to remove efficiently an oxide layer and an organic layer on a surface of a substrate by using a heat treatment unit including a substrate receiving chamber, an oxygen gas supply device, and a microwave introducing device. A stage heater(51) is formed with aluminum having an oxide film to heat a wafer(W) to predetermined temperature by using a heater(186) having heating coils. The stage heater includes a coolant chamber(229) as a temperature adjusting device. The stage heater further includes a heat-transmitting gas supply system for supplying heat-transmitting gas between an upper surface of the stage heater and a rear surface of the wafer. A cartridge heater(188) is formed in a side wall of a chamber(50) and controls wall surface temperature of a side wall of the chamber in a temperature range of 25 to 80 °C to prevent by-products. An outer periphery of the chamber is covered with a heat shield. The heating amount of the cartridge heater is controlled by a heater controller(189). A buffer arm(52) is used for moving temporarily the wafer to a track of a supporting part of a second transfer arm in order to exchange smoothly wafers in a second processing unit and a third processing unit(36). The third processing unit performs a post heat treatment on the wafer by heating the wafer. The third processing unit further includes a microwave source(190), an antenna apparatus(191), an oxygen gas supply system(192), and a discharge gas supply system(193). An oxygen gas supply system(192) includes an oxygen gas source(194), a valve(195), a mass flow controller(196), and an oxygen gas supply line(197).

Abstract translation: 提供了一种基板处理装置，基板处理方法和存储介质，以通过使用包括基板接收室，氧气供应装置的热处理单元有效地去除基板表面上的氧化物层和有机层， 和微波导入装置。 用具有氧化膜的铝形成台加热器（51），以通过使用具有加热线圈的加热器（186）将晶片（W）加热到预定温度。 舞台加热器包括作为温度调节装置的冷却剂室（229）。 舞台加热器还包括用于在舞台加热器的上表面和晶片的后表面之间提供传热气体的传热气体供应系统。 在室（50）的侧壁中形成有盒式加热器（188），并且在25至80℃的温度范围内控制室的侧壁的壁表面温度以防止副产物。 腔室的外周被覆盖有隔热罩。 加热器加热器的加热量由加热器控制器（189）控制。 缓冲臂（52）用于将晶片临时移动到第二传送臂的支撑部分的轨道，以便在第二处理单元和第三处理单元（36）中平滑地交换晶片。 第三处理单元通过加热晶片对晶片进行后热处理。 第三处理单元还包括微波源（190），天线装置（191），氧气供应系统（192）和放电气体供应系统（193）。 氧气供给系统（192）包括氧气源（194），阀（195），质量流量控制器（196）和氧气供应管线（197）。

公开(公告)号：KR102244353B1

公开(公告)日：2021-04-23

申请号：KR1020200178706

申请日：2020-12-18

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 이와시타신야 ,  스즈키아유타 ,  신도다카히로 ,  뎀포가즈키 ,  마츠도다츠오 ,  모리타야스시 ,  기쿠치다카미치 ,  모리야츠요시

IPC: H01J37/32 ,  H01L21/67 ,  H01L21/02 ,  C23C16/455

Abstract: (과제) 동일한성막장치에있어서성막되는박막의막질을다양하게제어할수 있는기술을제공한다. (해결수단) 본개시의성막장치는, 진공배기가능한처리용기와, 하부전극과, 상부전극과, 가스공급부와, 전압인가부와, 전환부를구비한다. 하부전극에는, 처리용기내에서피처리기판이탑재된다. 상부전극은, 처리용기내에서하부전극에대향하여배치된다. 가스공급부는, 상부전극과하부전극의사이의처리공간에서플라즈마화하는성막원료가스를처리공간에공급한다. 전압인가부는, 고주파전원및 직류전원을갖고, 고주파전원및 직류전원중 적어도한쪽으로부터출력되는전압을상부전극에인가한다. 전환부는, 상부전극에인가되는전압을, 고주파전원으로부터출력되는고주파전압과, 직류전원으로부터출력되는직류전압과, 고주파전압에직류전압이중첩된중첩전압에서전환한다.

公开(公告)号：KR101974715B1

公开(公告)日：2019-05-02

申请号：KR1020170056296

申请日：2017-05-02

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 고바야시다카시 ,  무라카미세이시 ,  사쿠마다카시 ,  도미타마사히코 ,  기쿠치다카미치 ,  시미즈아키타케 ,  가마이시다카유키 ,  츠다에이노스케

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/02 ,  H01L29/66 ,  H01L21/56 ,  H01L21/67 ,  H01L21/205

公开(公告)号：KR102202347B1

公开(公告)日：2021-01-12

申请号：KR1020190069236

申请日：2019-06-12

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 이와시타신야 ,  스즈키아유타 ,  신도다카히로 ,  뎀포가즈키 ,  마츠도다츠오 ,  모리타야스시 ,  기쿠치다카미치 ,  모리야츠요시

IPC: H01J37/32 ,  H01L21/67 ,  H01L21/02 ,  C23C16/455

Abstract: (과제) 동일한성막장치에있어서성막되는박막의막질을다양하게제어할수 있는기술을제공한다. (해결수단) 본개시의성막장치는, 진공배기가능한처리용기와, 하부전극과, 상부전극과, 가스공급부와, 전압인가부와, 전환부를구비한다. 하부전극에는, 처리용기내에서피처리기판이탑재된다. 상부전극은, 처리용기내에서하부전극에대향하여배치된다. 가스공급부는, 상부전극과하부전극의사이의처리공간에서플라즈마화하는성막원료가스를처리공간에공급한다. 전압인가부는, 고주파전원및 직류전원을갖고, 고주파전원및 직류전원중 적어도한쪽으로부터출력되는전압을상부전극에인가한다. 전환부는, 상부전극에인가되는전압을, 고주파전원으로부터출력되는고주파전압과, 직류전원으로부터출력되는직류전압과, 고주파전압에직류전압이중첩된중첩전압에서전환한다.

公开(公告)号：KR1020200144531A

公开(公告)日：2020-12-29

申请号：KR1020200178706

申请日：2020-12-18

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 이와시타신야 ,  스즈키아유타 ,  신도다카히로 ,  뎀포가즈키 ,  마츠도다츠오 ,  모리타야스시 ,  기쿠치다카미치 ,  모리야츠요시

IPC: H01J37/32 ,  H01L21/67 ,  H01L21/02 ,  C23C16/455

Abstract: (과제) 동일한성막장치에있어서성막되는박막의막질을다양하게제어할수 있는기술을제공한다. (해결수단) 본개시의성막장치는, 진공배기가능한처리용기와, 하부전극과, 상부전극과, 가스공급부와, 전압인가부와, 전환부를구비한다. 하부전극에는, 처리용기내에서피처리기판이탑재된다. 상부전극은, 처리용기내에서하부전극에대향하여배치된다. 가스공급부는, 상부전극과하부전극의사이의처리공간에서플라즈마화하는성막원료가스를처리공간에공급한다. 전압인가부는, 고주파전원및 직류전원을갖고, 고주파전원및 직류전원중 적어도한쪽으로부터출력되는전압을상부전극에인가한다. 전환부는, 상부전극에인가되는전압을, 고주파전원으로부터출력되는고주파전압과, 직류전원으로부터출력되는직류전압과, 고주파전압에직류전압이중첩된중첩전압에서전환한다.

公开(公告)号：KR1020170131219A

公开(公告)日：2017-11-29

申请号：KR1020170056296

申请日：2017-05-02

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 고바야시다카시 ,  무라카미세이시 ,  사쿠마다카시 ,  도미타마사히코 ,  기쿠치다카미치 ,  시미즈아키타케 ,  가마이시다카유키 ,  츠다에이노스케

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/02 ,  H01L29/66 ,  H01L21/56 ,  H01L21/67 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L21/3081 ,  H01L21/28512 ,  H01L21/28518 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/67207

Abstract: 패턴바닥부의실리콘부분에형성된실리콘함유산화막을제거할때에 CD 로스를억제한다. 소정패턴이형성된절연막을가지며, 패턴의바닥부의실리콘부분에형성된실리콘함유산화막을갖는피처리기판에있어서, 실리콘함유산화막을제거하는산화막제거방법은, 절연막의패턴을포함하는전면에, 카본원료가스를이용한 ALD에의해카본계보호막을성막하는공정과, 절연막의상면과패턴의바닥부의상기카본계보호막을이방성플라즈마처리에의해선택적으로제거하는공정과, 패턴의바닥부에형성된상기실리콘함유산화막을에칭에의해제거하는공정과, 카본계보호막의잔존부분을제거하는공정을갖는다.

Abstract translation: 当形成在图案底部的硅部分上的含硅氧化物膜被去除时，CD损失被抑制。 前具有形成有规定图案的绝缘层，在具有形成在图案底部的硅部分的含硅氧化物膜的基材，用于去除含氧化硅膜，包括绝缘膜的图案的氧化物膜去除方法中，所述碳源气体 到形成在步骤含硅的氧化膜，除去上表面上的底部，并通过各向异性等离子处理的上述绝缘膜的图案选择性的基于碳的保护膜的步骤，以及用于使用通过ALD形成的基于碳的保护膜的图案底部 并去除剩余部分的碳基保护膜。

公开(公告)号：KR100789007B1

公开(公告)日：2007-12-26

申请号：KR1020060107765

申请日：2006-11-02

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 니시무라에이이치 ,  기쿠치다카미치

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/304

CPC classification number: H01L21/6719 ,  H01J37/32192 ,  H01L21/67017 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/67196 ,  H01L21/67201

Abstract: 본 발명은 산화물층 및 유기물층을 효율적으로 제거할 수 있는 기판 처리 장치를 제공한다.
기판 처리 장치(10)의 제 3 프로세스 유닛(36)은 하우징 형상의 처리실 용기(챔버)(50), 산소 가스 공급계(192) 및 안테나 장치(191)를 구비하고, 산소 가스 공급계(192)는 웨이퍼(W)가 수용된 챔버(50)내에 산소 가스 공급 링(198)을 통해 산소 가스를 공급하고, 안테나 장치(191)는 산소 가스가 공급된 챔버(50)내에 마이크로파를 도입한다.