公开(公告)号：KR101882718B1

公开(公告)日：2018-07-27

申请号：KR1020110079424

申请日：2011-08-10

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 오가사와라마사히로 ,  가토요시유키 ,  미즈노히데키 ,  하야카와요시노부

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/30655 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32449 ,  H01J2237/3341

Abstract: (과제) 간이한방법을이용하여, 가스의전환시에발생하는가스유량의헌팅(hunting)을억제해, 가스유량의안정된제어를행한다. (해결수단) 에칭가스의공급방법은, 에칭프로세스에사용되는제1 에칭가스를처리용기내에공급하는스텝과, 상기에칭프로세스에사용되는제2 에칭가스를상기처리용기내에공급하는스텝을포함하고, 상기제1 에칭가스및 상기제2 에칭가스의한쪽으로부터다른한쪽으로가스를전환할때, 전환전의에칭가스로서필요하며전환후의에칭가스로서필요하지않은가스를미소량만계속공급한다.

公开(公告)号：KR1020150056553A

公开(公告)日：2015-05-26

申请号：KR1020157006770

申请日：2013-09-17

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 미즈노히데키 ,  야마자키쿠미코

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/311

CPC classification number: H01L21/31116 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32165 ,  H01J37/32889 ,  H01J37/32917 ,  H01J2237/332 ,  H01J2237/334 ,  H01L21/02263 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/3086 ,  H01L21/32137 ,  H01L21/67069

Abstract: 플라즈마에칭방법은제 1 공정과제 2 공정을포함한다. 제 1 공정은, 처리챔버의내부에수용된기판에형성된피처리막을에칭하는에칭처리를실행함으로써피처리막에홀을형성한다. 제 2 공정은, 제거공정과퇴적공정과깊게에칭하는연장공정을반복실행한다. 제거공정은, 에칭처리를실행함으로써형성된홀의입구부에부착된반응생성물을제거한다. 퇴적공정은, 제거공정에의해반응생성물이제거된홀의측벽부에퇴적물을퇴적시킨다. 연장공정은, 퇴적공정에의해퇴적물이측벽부에퇴적된홀을, 에칭처리를진행시킴으로써깊게에칭한다.

Abstract translation: 等离子体蚀刻方法包括第一工序和第二工序。 在第一工序中，通过进行蚀刻处理对象膜的蚀刻工序，在容纳在处理室内的基板上形成的处理对象膜中形成有孔。 在第二过程中，重复执行去除处理，沉积处理和延伸处理。 在去除过程中，去除附着在通过蚀刻工艺形成的孔的入口部分的反应产物。 在沉积过程中，沉积物沉积在孔的侧壁上，通过去除过程从中除去反应产物。 在延伸过程中，通过沉积工艺沉积在其侧壁上的孔通过进行蚀刻工艺被深刻蚀刻。

公开(公告)号：KR1020100128238A

公开(公告)日：2010-12-07

申请号：KR1020100048487

申请日：2010-05-25

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 야츠다코이치 ,  미즈노히데키

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01J37/32642 ,  H01J37/32091

Abstract: PURPOSE: Plasma processing ring-shaped components and a plasma processing apparatus are provided to improve the yield of a plasma processing process by regulating the distribution of electric field on the main surface of a wafer. CONSTITUTION: An electrostatic chuck(16) functions as a heat exchanging plate by being in connection with a wafer(15). The heat exchanging plate regulates the temperature of the wafer. A focus ring(5), which is one of plasma processing ring-shaped components, is arranged on the external side of the wafer. A ring-shaped exhaust duct(6) is formed between the sidewall of a processing chamber and a cylindrical supporting part.

Abstract translation: 目的：提供等离子体处理环形部件和等离子体处理装置，以通过调节晶片主表面上的电场分布来提高等离子体处理工艺的产量。 构成：静电卡盘（16）通过与晶片（15）连接而用作热交换板。 热交换板调节晶片的温度。 作为等离子体处理环状部件之一的聚焦环（5）布置在晶片的外侧。 在处理室的侧壁和圆柱形支撑部件之间形成环形排气管道（6）。

公开(公告)号：KR102099408B1

公开(公告)日：2020-04-10

申请号：KR1020157006770

申请日：2013-09-17

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 미즈노히데키 ,  야마자키쿠미코

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/311 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/67 ,  H01J37/32

公开(公告)号：KR1020120024420A

公开(公告)日：2012-03-14

申请号：KR1020110079424

申请日：2011-08-10

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 오가사와라마사히로 ,  가토요시유키 ,  미즈노히데키 ,  하야카와요시노부

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/30655 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32449 ,  H01J2237/3341

Abstract: PURPOSE: An etching device and a method for supplying etching gas are provided to stably control gas flow rate by controlling hunting of the gas flow rate generating when gas is changed. CONSTITUTION: First etching gas which is used for an etching process is provided within a treatment basin. Second etching gas used for the etching process is provided within the treatment basin. The flow rate of the second etching gas and the first etching gas is controlled by a gas flow rate control device. The change of the second etching gas and the first etching gas is processed by turns. A gas supply source supplies the second etching gas and the first etching gas to the treatment basin.

Abstract translation: 目的：提供蚀刻装置和提供蚀刻气体的方法，通过控制气体变化时产生的气体流量的波动来稳定地控制气体流量。 构成：在处理池内设置用于蚀刻处理的第一蚀刻气体。 用于蚀刻工艺的第二蚀刻气体设置在处理池内。 第二蚀刻气体和第一蚀刻气体的流量由气体流量控制装置控制。 第二蚀刻气体和第一蚀刻气体的变化被轮流处理。 气体供给源将第二蚀刻气体和第一蚀刻气体供给到处理池。