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公开(公告)号：KR1020160140450A
公开(公告)日：2016-12-07
申请号：KR1020160064180
申请日：2016-05-25
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/3065 , H01L21/683 , H01L21/02 , H01L21/3213 , H05H1/46
CPC classification number: H01J37/32642 , H01L21/67109 , H01L21/6831 , H01L21/68735 , H01L21/3065 , H01L21/02315 , H01L21/32136 , H01L21/6835 , H05H1/46
Abstract: 포커스링의소모에수반하는홀의기울기의변동을억제한다. 플라즈마처리장치는챔버와배치대(2)와포커스링(8)을구비한다. 챔버는반도체웨이퍼(W)를플라즈마처리한다. 배치대(2)는챔버의내부에마련되고, 반도체웨이퍼(W)가배치되는유지면(9a)을가진다. 포커스링(8)은유지면(9a)에배치된반도체웨이퍼(W)를둘러싸도록배치대의주위에마련되고, 유지면(9a)보다낮은제 1 평탄부(8a)와, 제 1 평탄부(8a)보다낮은제 2 평탄부(8b)와, 제 1 평탄부(8a)보다높은제 3 평탄부(8c)가내주측으로부터외주측을향해차례로형성된다.
Abstract translation: 等离子体处理装置包括室，安装台2和聚焦环8.该室被配置为用等离子体处理半导体晶片W. 安装台2设置在室内，并且包括保持表面9a，半导体晶片W安装在保持表面9a上。 聚焦环8被设置为围绕安装在保持表面9a上的半导体晶片W，并且包括第一平坦部分8a，第二平坦部分8b和第三平坦部分8c，第一平坦部分8a，第二平坦部分8b和第三平坦部分8c从 聚焦环8朝向其外周侧。 这里，第一平坦部8a比保持面9a低，第二平坦部8b低于第一平坦部8a，第三平坦部8c高于第一平坦部8a。
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公开(公告)号：KR1020150068312A
公开(公告)日：2015-06-19
申请号：KR1020140176014
申请日：2014-12-09
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/3065 , H05H1/46 , H01L21/02
CPC classification number: H01J37/32642 , H01J37/32715
Abstract: 포커스링의소모에수반하는틸팅변동의진행을억제하는것이다. 플라즈마처리장치는, 피처리체를플라즈마처리하기위한챔버와, 챔버의내부에설치되고, 피처리체가재치되는재치면을가지는재치대와, 재치면에재치된피처리체를둘러싸도록재치대에설치된포커스링으로서, 재치면보다낮은제 1 평탄부와, 제 1 평탄부보다높고, 또한피처리체의피처리면보다높지않은제 2 평탄부와, 제 2 평탄부및 피처리체의피처리면보다높은제 3 평탄부가내주측으로부터외주측을향해차례로형성된포커스링을구비했다.
Abstract translation: 本发明抑制由聚焦环的消耗引起的倾斜变化的进展。 等离子体处理装置包括用于处理具有等离子体的物体的室，安装在所述室中并具有安装所述物体的安装表面的安装台和安装在所述安装台上以围绕所述物体的所述聚焦环 安装在安装表面上。 聚焦环包括比安装表面低的第一平坦部分，比第一平坦部分高的第二平坦部分，并且不高于物体的处理表面，并且第三环高于 第二平面部分和物体的处理表面，其从内周侧到外周侧依次形成。
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公开(公告)号：KR1020170072809A
公开(公告)日：2017-06-27
申请号：KR1020160170373
申请日：2016-12-14
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/3065 , H01L21/02 , H01L21/3213 , H01L21/687 , H05H1/46
CPC classification number: H01J37/32798 , H01J37/32091 , H01J37/32137 , H01J37/32165 , H01J37/32568 , H01J37/32697 , H01J37/32715 , H01J37/32926 , H01J2237/334 , H01J2237/3343 , H01L21/3065 , H01L22/12
Abstract: 포커스링의소모에수반하는홀의경사의변동을억제한다. 플라즈마처리장치(1)는챔버(10)와, 배치대(16)와, 포커스링(24a)과, 제 1 전극판(36)과, 제 2 전극판(35)을구비한다. 포커스링(24a)은배치대(16)의배치면을둘러싸도록배치대(16)의주위에마련된다. 제 1 전극판(36)은배치대(16)의상방에마련된다. 제 2 전극판(35)은제 1 전극판(36)을둘러싸도록제 1 전극판(36)의주위에마련되고, 제 1 전극판(36)과절연된다. 플라즈마처리장치(1)는, 제 1 공정에있어서, 챔버내에생성된플라즈마에의해, 배치대(16)의배치면에배치된반도체웨이퍼(W)에정해진처리를실시한다. 또한플라즈마처리장치(1)는, 제 2 공정에있어서, 제 1 공정의경과시간에따라, 제 2 전극판(35)에인가되는음의직류전압의절대값을증가시킨다.
Abstract translation: 抑制了由于聚焦环的消耗引起的孔的倾斜的波动。 等离子体处理装置1包括腔室10，平台16，聚焦环24a，第一电极板36和第二电极板35。 聚焦环24a以包围载置台16的载置面的方式设置于载置台16的周围。 第一电极板36设置在轴环16的上表面上。 第二电极板35设置在第一电极板36的周围以围绕第一电极板36并且与第一电极板36绝缘。 等离子体处理装置1通过在第一步骤中在腔室中产生的等离子体对放置在放置台16的放置表面上的半导体晶片W执行预定的处理。 此外，在第二步骤中，等离子体处理装置1根据第一步骤的经过时间增加施加到第二电极板35的负DC电压的绝对值。
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公开(公告)号：KR1020170028849A
公开(公告)日：2017-03-14
申请号：KR1020160111667
申请日：2016-08-31
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/687 , H01L21/683 , H01L21/02 , H05H1/46
Abstract: 포커스링의흡착특성을안정화시키는것을목적으로한다. 처리용기내에서기판을배치하는하부전극의주연부에배치되고, 상기하부전극의부재와접촉하는포커스링으로서, 상기포커스링의접촉면은실리콘함유재료, 알루미나(AlO) 또는석영중 어느하나로형성되고, 상기포커스링의접촉면및 상기하부전극의부재의접촉면중 적어도어느하나는 0.1 μm 이상의표면거칠기인포커스링이제공된다.
Abstract translation: 聚焦环设置在下电极的周边部分上，该下电极在处理容器中接收基板，从而与下电极的部件接触。 聚焦环包括与下电极的构件接触并由含硅材料，氧化铝和石英中的任一种制成的接触表面。 聚焦环的接触表面和下电极的构件的接触表面中的至少一个具有0.1微米或更大的表面粗糙度。
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