公开(公告)号：KR1020150077367A

公开(公告)日：2015-07-07

申请号：KR1020140190968

申请日：2014-12-26

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 우에다히로카즈 ,  오카마사히로 ,  스기모토야스히로 ,  호리고메마사히로 ,  고바야시유우키

IPC: H01L21/265 ,  H05H1/46 ,  H01L21/324 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L21/2236 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32412 ,  H01L29/66803

Abstract: 플라즈마도핑방법은, 피처리기판에도펀트를주입하여도핑을행하는플라즈마도핑방법이다. 플라즈마도핑방법은, 실시형태의일례에있어서, 마이크로파를이용하여처리용기내에플라즈마를발생시킴으로써, 처리용기내의유지대에유지된피처리기판에대하여플라즈마도핑처리를행하는플라즈마도핑처리공정을포함한다. 또한, 플라즈마도핑방법은, 실시형태의일례에있어서, 플라즈마도핑처리가행해진피처리기판에대하여어닐링처리를행하는어닐링처리공정을포함한다.

Abstract translation: 本发明涉及一种半导体器件的掺杂方法，掺杂装置和制造方法。 等离子体掺杂法通过将掺杂剂插入未处理衬底来进行掺杂。 等离子体掺杂方法包括等离子体掺杂工艺，以通过在一个实施例中通过使用微波在等离子体内在处理容器内产生等离子体来对保持在处理容器内的维持台上的未处理衬底进行等离子体掺杂。 此外，等离子体掺杂方法包括对在其中在一个实施例中执行等离子体掺杂工艺的未处理衬底执行取消处理的废止处理过程。

公开(公告)号：KR1020150138369A

公开(公告)日：2015-12-09

申请号：KR1020157031579

申请日：2014-04-03

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 벤트젝피터 ,  네모토다케나오 ,  우에다히로카즈 ,  고바야시유우키 ,  호리고메마사히로

IPC: H01L21/223 ,  H01L29/66 ,  H01J37/32

CPC classification number: H01L21/2236 ,  H01J37/32412 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32449 ,  H01L29/66803

Abstract: 본발명은도펀트로기판의표면을도핑하기위한방법및 장치에관한것으로, 도펀트는예를들어, 포스핀또는아르신이다. 도핑은낮은농도의도펀트로주로헬륨또는아르곤과같은불활성가스로수행된다. 등각의도핑을제공하기위해, 바람직하게도펀트의모노층(monolayer)을형성하기위해, 가스흐름유입위치는도핑프로세스동안스위칭되고, 가스혼합물은주로제 1 시간주기동안프로세스챔버에서중심최상부포트를통해유입된다음에제 2 시간주기동안주로주변또는에지분사포트를통해가스혼합물이유입되고, 스위칭은플라즈마프로세스로서교번방식으로계속한다.

公开(公告)号：KR101269925B1

公开(公告)日：2013-05-31

申请号：KR1020117017379

申请日：2010-01-22

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 호리고메마사히로 ,  구로토리타쿠야 ,  고바야시야스오 ,  마츠오카타카아키 ,  노자와토시히사

IPC: H01L21/314 ,  H01L21/203

CPC classification number: H01L21/32051 ,  H01L21/02115 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/2855 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/3146 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76864

Abstract: 반도체장치의제조방법은, 절연층을어닐링하는단계및 그절연층위에금속원소를포함하는배리어층을형성하는단계를구비한다. 절연층은탄화불소(CFx)막을포함한다. 배리어층은어닐링단계이후에고온스퍼터링공정에의하여형성된다.

Abstract translation: 一种半导体器件的制造方法包括退火绝缘层的步骤和在绝缘层上形成包括金属元素的阻挡层的步骤。 绝缘层包括氟碳（CFx）膜。 在退火步骤之后，通过高温溅射工艺形成阻挡层。

公开(公告)号：KR101544938B1

公开(公告)日：2015-08-17

申请号：KR1020130159409

申请日：2013-12-19

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 우에다히로카즈 ,  오카마사히로 ,  호리고메마사히로 ,  고바야시유우키

IPC: H01L21/265

CPC classification number: H01J37/32192 ,  H01J21/22 ,  H01J37/3222 ,  H01J37/32449 ,  H01J37/32972 ,  H01J37/3299 ,  H01L21/22

Abstract: 본발명은피처리기판에대한안정된도핑을행할수 있고, 피처리기판에대한도우즈량의면내균일성을높일수 있는플라즈마도핑장치를제공하는것을과제로한다. 이러한플라즈마도핑장치(31)에구비되는플라즈마발생기구(39)는, 플라즈마여기용의마이크로파를발생시키는마이크로파발생기(35)와, 마이크로파발생기(35)에의해발생시킨마이크로파를처리용기(32) 내에투과시키는유전체창(36)과, 복수의슬롯이마련되어있고, 마이크로파를유전체창(36)에방사하는레이디얼라인슬롯안테나(37)를포함한다. 제어부(28)는, 유지대(34) 상에피처리기판(W)을배치시킨상태로, 처리용기(32) 내에가스공급부(33)에의해도핑가스및 플라즈마여기용의가스를공급하고, 가스공급부(33)에의해도핑가스및 플라즈마여기용의가스를공급한후에플라즈마발생기구(39)에의해플라즈마를발생시켜피처리기판(W)에도핑을행하며, 피처리기판(W)에주입되는도펀트의농도가 1×10atoms/㎠미만이되도록제어한다.

公开(公告)号：KR1020140043677A

公开(公告)日：2014-04-10

申请号：KR1020130115028

申请日：2013-09-27

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 오카마사히로 ,  고바야시유우키 ,  우에다히로카즈 ,  호리고메마사히로

IPC: H01J37/317 ,  H01L21/265

CPC classification number: H01L21/22 ,  H01L21/2236 ,  H01L21/67011 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/6831 ,  H01L29/66803

Abstract: Provided is a plasma doping apparatus which performs doping without deforming a substrate before and after the doping with good conformaility, and makes the injected dopants be not separated in a process of cleaning after the doping. A control unit (28), which is formed to the plasma doping apparatus, controls a pressure control unit to make the pressure in a processing container (32) be a first pressure, controls a bias power supply unit to make a bias power which is supplied to a maintenance unit (34) be a first bias power; performs a first plasma processing on a substrate (W) which is to be processed by the plasma generated by a plasma generation unit (39); controls the pressure control unit to make the pressure within the processing container be a second pressure which is higher than the first pressure after the first plasma processing; controls the bias power supply unit to make the bias power supplied to the maintenance unit to be a second bias power which is lower than the first bias power; and performs a second plasma processing on the target substrate by the plasma generated by the plasma generation unit.

Abstract translation: 提供了一种等离子体掺杂装置，其在良好的适形性下，在掺杂前后进行掺杂而不使基板发生变形，并且使得注入的掺杂剂在掺杂后的清洗过程中不分离。 形成在等离子体掺杂装置上的控制单元（28）控制压力控制单元使处理容器（32）中的压力为第一压力，控制偏压供电单元以产生偏压功率 提供给维护单元（34）的是第一偏置功率; 对由等离子体产生单元（39）产生的等离子体进行处理的基板（W）进行第一等离子体处理。 控制所述压力控制单元使得所述处理容器内的压力为所述第一等离子体处理之后的所述第一压力以上的第二压力; 控制所述偏置电源单元，使提供给所述维护单元的偏置功率为低于所述第一偏置功率的第二偏置功率; 并且通过由等离子体产生单元产生的等离子体对目标衬底进行第二等离子体处理。

公开(公告)号：KR1020090085645A

公开(公告)日：2009-08-07

申请号：KR1020097010945

申请日：2007-11-30

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 호리고메마사히로

IPC: C23C16/26 ,  H01L21/205 ,  C23C16/511 ,  H01L21/31

CPC classification number: C23C16/36 ,  C23C16/0272 ,  H01L21/0212 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/3127 ,  H01L21/76811

Abstract: A film forming method is provided with a step of placing a substrate on a placing section in a processing chamber; a step of supplying inside the processing chamber with a gas to be excited by microwaves for generating plasma; a step of vacuum-exhausting inside the processing chamber; and a step of supplying inside the processing chamber with C5F8 gas. The gas inside the processing chamber is brought into the plasma state by supplying inside the processing chamber with microwaves from a planar antenna member, which is arranged on an upper part of the processing chamber to face the placing section and has many slits along the circumference direction, and a fluorine-added carbon film is formed on the substrate with the gas brought into the plasma state. High frequency power is applied to the placing section while forming the fluorine-added carbon film on the substrate so that a biasing high frequency power of 0.32W/cm2 or less is applied on the substrate per unit area. ® KIPO & WIPO 2009

Abstract translation: 提供一种成膜方法，其具有将基板放置在处理室中的放置部分上的步骤; 在处理室内部供给要被微波激发以产生等离子体的气体的步骤; 在处理室内真空排气的步骤; 以及在处理室内部供给C5F8气体的步骤。 处理室内部的气体通过从处理室的上部设置在与处理室相对的位置的平面天线构件内部向处理室内部供给微波而使其处于等离子体状态，沿着圆周方向具有许多狭缝 并且在气体进入等离子体状态的基板上形成氟加成碳膜。 在基板上形成氟化碳膜时，向放置部施加高频电力，使得每单位面积的基板上施加0.32W / cm 2以下的偏置高频功率。 ®KIPO＆WIPO 2009

公开(公告)号：KR1020090007773A

公开(公告)日：2009-01-20

申请号：KR1020087029146

申请日：2007-05-11

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 마츠오카타카아키 ,  호리고메마사히로

IPC: H01L21/312

CPC classification number: H01L21/3127 ,  C23C16/26 ,  C23C16/45565 ,  C23C16/511 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32449 ,  H01L21/0212 ,  H01L21/02274

Abstract: A technique for obtaining a fluorine-containing carbon film satisfactory in leak characteristics, coefficient of linear expansion, and mechanical strength. An active species obtained by activating C5F8 gas and hydrogen gas is used to deposit the fluorine-containing carbon film. In the fluorine-containing carbon film, polymerization is accelerated because the fluorine gradually passes off together with hydrogen. As a result, the number of terminal carbon bonds in the fluorine-containing carbon film decreases to attain a reduction in leak current. Since the polymerization acceleration enhances film strength, the fluorine-containing carbon film obtained can have high mechanical strengths concerning hardness, modulus of elasticity, etc.

Abstract translation: 一种获得泄漏特性，线膨胀系数和机械强度令人满意的含氟碳膜的技术。 使用通过活化C5F8气体和氢气获得的活性物质沉积含氟碳膜。 在含氟碳膜中，由于氟与氢一起逐渐脱落，因此加速聚合。 结果，含氟碳膜中的末端碳键的数量减少以达到漏电流的减少。 由于聚合加速度提高膜强度，所得到的含氟碳膜可以具有关于硬度，弹性模量等的高机械强度。

公开(公告)号：KR101815746B1

公开(公告)日：2018-01-30

申请号：KR1020157031579

申请日：2014-04-03

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 벤트젝피터 ,  네모토다케나오 ,  우에다히로카즈 ,  고바야시유우키 ,  호리고메마사히로

IPC: H01L21/223 ,  H01L29/66 ,  H01J37/32

CPC classification number: H01L21/2236 ,  H01J37/32412 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32449 ,  H01L29/66803

Abstract: 본발명은도펀트로기판의표면을도핑하기위한방법및 장치에관한것으로, 도펀트는예를들어, 포스핀또는아르신이다. 도핑은낮은농도의도펀트로주로헬륨또는아르곤과같은불활성가스로수행된다. 등각의도핑을제공하기위해, 바람직하게도펀트의모노층(monolayer)을형성하기위해, 가스흐름유입위치는도핑프로세스동안스위칭되고, 가스혼합물은주로제 1 시간주기동안프로세스챔버에서중심최상부포트를통해유입된다음에제 2 시간주기동안주로주변또는에지분사포트를통해가스혼합물이유입되고, 스위칭은플라즈마프로세스로서교번방식으로계속한다.

Abstract translation: 本发明涉及用掺杂剂掺杂衬底表面的方法和设备，其中掺杂剂例如是膦或胂。 用低浓度的掺杂剂掺杂惰性气体，如氦气或氩气。 为了提供共形掺杂，优选形成掺杂剂的单层，在掺杂过程期间切换气流入口位置，并且气体混合物主要在第一时间段期间流过处理室中的中央顶端口 在引入之后的第二时间段内，气体混合物主要通过外围或边缘注入口引入，并且开关作为等离子体工艺以交替方式继续。

公开(公告)号：KR1020140113663A

公开(公告)日：2014-09-24

申请号：KR1020147018379

申请日：2012-10-19

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 호리고메마사히로 ,  우에다히로카즈 ,  오카마사히로 ,  고바야시유우키 ,  가라카와다카유키

IPC: H01L21/265 ,  H05H1/46

CPC classification number: H01L21/2236 ,  C23C16/452 ,  H01L29/66803 ,  H01L29/7833

Abstract: 플라즈마 도핑 장치(31)는, 피처리 기판(W)에 도펀트를 주입하여 도핑을 하는 플라즈마 도핑 장치(31)로서, 그 내부에서 피처리 기판(W)에 도펀트를 주입시키는 처리 용기(32)와, 처리 용기(32) 내에 도핑 가스 및 플라즈마 여기용의 불활성 가스를 공급하는 가스 공급부(33)와, 처리 용기(32) 내에 배치되고, 그 위에서 피처리 기판(W)을 유지하는 유지대(34)와, 마이크로파를 이용하여, 처리 용기(32) 내에 플라즈마를 발생시키는 플라즈마 발생 기구(39)와, 처리 용기(32) 내의 압력을 조정하는 압력 조정 기구와, 플라즈마 도핑 장치(31)를 제어하는 제어부(28)를 구비한다. 제어부(28)는, 처리 용기(32) 내의 압력을 100 mTorr 이상 500 mTorr 미만으로 하도록 압력 조정 기구를 제어하고, 플라즈마 발생 기구(39)에 의해 발생시킨 플라즈마에 의해 피처리 기판(W)에 플라즈마 처리를 한다.

公开(公告)号：KR1020110105847A

公开(公告)日：2011-09-27

申请号：KR1020117017379

申请日：2010-01-22

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 호리고메마사히로 ,  구로토리타쿠야 ,  고바야시야스오 ,  마츠오카타카아키 ,  노자와토시히사

IPC: H01L21/314 ,  H01L21/203

CPC classification number: H01L21/32051 ,  H01L21/02115 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/2855 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/3146 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76864

Abstract: 반도체 장치의 제조 방법은, 절연층을 어닐링하는 단계 및 그 절연층 위에 금속 원소를 포함하는 배리어층을 형성하는 단계를 구비한다. 절연층은 탄화불소(CFx)막을 포함한다. 배리어층은 어닐링 단계 이후에 고온 스퍼터링 공정에 의하여 형성된다.