公开(公告)号：KR100735935B1

公开(公告)日：2007-07-06

申请号：KR1020050102738

申请日：2005-10-31

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 가이세세이이치 ,  이와부치노리유키 ,  가토시게아키 ,  나카무라히로시 ,  요코우치다케시 ,  시바타마리코 ,  오비아키라

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/68

CPC classification number: Y02P90/02 ,  Y02P90/30

Abstract: 스루풋을 비약적으로 향상시킬 수 있는 기판 처리 방법을 제공한다. 웨이퍼 처리로서의 기판 처리 방법은 기판 처리 장치(2), 대기반송장치(3) 및 로드록실(4)를 구비하는 기판 처리 시스템(1)에 있어서 실행되고, 반도체 웨이퍼 W를 반송하는 기판반송 스텝(스텝 S43 및 S49)과, 반도체 웨이퍼 W에 에칭 처리를 실시하는 기판처리 스텝(스텝 S44 내지 S48)을 갖고, 기판반송 스텝 및 기판처리 스텝은 복수의 동작으로 이루어지며, 해당 기판 처리 방법은 각 스텝을 구성하는 복수의 동작 중 적어도 2개의 동작을 병행해서 실행한다.
기판처리방법, 기판처리시스템, 기판처리프로그램

公开(公告)号：KR1020060052347A

公开(公告)日：2006-05-19

申请号：KR1020050102738

申请日：2005-10-31

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 가이세세이이치 ,  이와부치노리유키 ,  가토시게아키 ,  나카무라히로시 ,  요코우치다케시 ,  시바타마리코 ,  오비아키라

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/68

CPC classification number: Y02P90/02 ,  Y02P90/30 ,  H01L21/02 ,  H01L21/68

Abstract: 스루풋을 비약적으로 향상시킬 수 있는 기판 처리 방법을 제공한다. 웨이퍼 처리로서의 기판 처리 방법은 기판 처리 장치(2), 대기반송장치(3) 및 로드록실(4)를 구비하는 기판 처리 시스템(1)에 있어서 실행되고, 반도체 웨이퍼 W를 반송하는 기판반송 스텝(스텝 S43 및 S49)과, 반도체 웨이퍼 W에 에칭 처리를 실시하는 기판처리 스텝(스텝 S44 내지 S48)을 갖고, 기판반송 스텝 및 기판처리 스텝은 복수의 동작으로 이루어지며, 해당 기판 처리 방법은 각 스텝을 구성하는 복수의 동작 중 적어도 2개의 동작을 병행해서 실행한다.
기판처리방법, 기판처리시스템, 기판처리프로그램