Abstract:
온도에 관한 조건에 근거하여 처리 용기 내의 상태를 조정하기 위해 더미 처리를 실행할지 여부를 판정한다. EC(200)는, 제품 기판(웨이퍼 W)에 대하여 에칭 처리를 실행하는 기판 처리 실행부(280), 더미 기판에 대하여 더미 처리를 실행하는 더미 처리 실행부(275) 및 온도에 관한 조건에 근거하여 더미 처리를 실행할지 여부를 판정하는 판정부(270)를 갖고 있다. 판정부(270)는, PM(400)에 마련된 각 PM의 처리 용기 내의 분위기를 조정하기 위한 온도에 관한 정보를 취득하고, 취득한 온도 정보에 근거하여 처리 용기 내의 온도 상태가 조정되고 있는지 여부를 판정한다. 판정부(270)에 의해 처리 용기의 온도 상태가 조정되고 있다고 판정된 경우, 기판 처리 실행부(280)는, 더미 처리 실행부(275)에 더미 처리를 실행시키지 않고, 즉시 제품 기판에 대하여 에칭 처리를 실행하도록 제어한다.
Abstract:
스루풋을 비약적으로 향상시킬 수 있는 기판 처리 방법을 제공한다. 웨이퍼 처리로서의 기판 처리 방법은 기판 처리 장치(2), 대기반송장치(3) 및 로드록실(4)를 구비하는 기판 처리 시스템(1)에 있어서 실행되고, 반도체 웨이퍼 W를 반송하는 기판반송 스텝(스텝 S43 및 S49)과, 반도체 웨이퍼 W에 에칭 처리를 실시하는 기판처리 스텝(스텝 S44 내지 S48)을 갖고, 기판반송 스텝 및 기판처리 스텝은 복수의 동작으로 이루어지며, 해당 기판 처리 방법은 각 스텝을 구성하는 복수의 동작 중 적어도 2개의 동작을 병행해서 실행한다. 기판처리방법, 기판처리시스템, 기판처리프로그램
Abstract:
A substrate processing apparatus, a method for modifying substrate processing conditions and a storage medium are provided to modify the processing conditions for the substrate whose process has been stopped, thereby performing a process on a substrate again whose process has been stopped in an optimal manner. A setting unit sets substrate processing conditions for a substrate(W) in a substrate processing unit processing the substrate. A detection unit detects an abnormality of the substrate processing unit while the substrate processing unit processes the substrate under the substrate processing conditions. A stopping unit stops the process of the substrate processing unit if the abnormality is detected. A modifying unit modifies the substrate processing conditions for a substrate on which the process is stopped by the stopping unit. The modifying unit modifies the substrate processing conditions by revising the substrate processing conditions.
Abstract:
A substrate processing apparatus is provided to enable correction of a process condition by removing prohibition of variation of a process condition while a predetermined number of substrates are being processed. A substrate is processed in a substrate processing unit. While a predetermined number of substrates are processed, a prohibition part prohibits variation of the process condition of the process. A removal part removes the prohibition of the variation of the process condition, the predetermined number of substrates being processed. A correction part corrects the process condition. A transfer prohibition part can prohibit the substrate from being transferred to the substrate processing unit. The correction part can correct the process condition when the substrate is prohibited from being transferred to the substrate processing unit.
Abstract:
기판의 처리조건의 검토에 시간을 요하는 일이 없는 기판 처리 장치를 제공한다. 기판 처리 장치(10)에서는, 1로트분의 웨이퍼(W)에 RIE 처리를 실시하는 동안에 있어 레시피의 검토를 실행할 때, 시스템 컨트롤러의 EC(89)가 1로트분의 웨이퍼(W)에 실시하는 RIE 처리의 레시피로서 레시피(A)를 설정하고, 또한 제 1 프로세서 유닛(25)의 레시피 버퍼링 기능을 무효로 하고(스텝 S801), 레시피(A)에 따른 RIE 처리를 웨이퍼(W)에 대하여 실행하고(스텝 S803), 레시피(A)가 RIE 처리의 레시피로서 적절하지 않았을 경우(스텝 S805에서 NO), 레시피(A)의 수정 입력에 따라 레시피(A)를 수정하고, 해당 수정된 레시피(A)를 제 1 프로세서 유닛(25)에서 전개하고(스텝 S808), 수정된 레시피(A)에 따른 RIE 처리를 다음의 웨이퍼(W)에 대하여 실행한다(스텝 S811).
Abstract:
A controller of a substrate processing apparatus, a controlling method of the substrate processing apparatus, and a storage medium storing a control program thereon are provided to save resources and energy for a dummy process by omitting the dummy process when the temperature of a process chamber is properly regulated according to a product substrate. A controller of a substrate processing apparatus includes a substrate process unit, a dummy process unit(275), and a determining unit(270). The substrate process unit performs a predetermined process on a product substrate. The dummy process unit performs a dummy process on a non-product substrate. The determining unit obtains information on a temperature inside a process chamber and determines whether the temperature inside the process chamber is properly regulated based on the obtained temperature information. The substrate process unit prevents the dummy process unit from performing the dummy process on the substrate, when the temperature inside the process chamber is determined to be property regulated. At least one recipe used for processing the substrate is stored in a memory(250).
Abstract:
A substrate processing apparatus, a method for modifying substrate processing conditions and a storage medium are provided to modify the processing conditions for the substrate whose process has been stopped, thereby performing a process on a substrate again whose process has been stopped in an optimal manner. A setting unit sets substrate processing conditions for a substrate(W) in a substrate processing unit processing the substrate. A detection unit detects an abnormality of the substrate processing unit while the substrate processing unit processes the substrate under the substrate processing conditions. A stopping unit stops the process of the substrate processing unit if the abnormality is detected. A modifying unit modifies the substrate processing conditions for a substrate on which the process is stopped by the stopping unit. The modifying unit modifies the substrate processing conditions by revising the substrate processing conditions.
Abstract:
스루풋을 비약적으로 향상시킬 수 있는 기판 처리 방법을 제공한다. 웨이퍼 처리로서의 기판 처리 방법은 기판 처리 장치(2), 대기반송장치(3) 및 로드록실(4)를 구비하는 기판 처리 시스템(1)에 있어서 실행되고, 반도체 웨이퍼 W를 반송하는 기판반송 스텝(스텝 S43 및 S49)과, 반도체 웨이퍼 W에 에칭 처리를 실시하는 기판처리 스텝(스텝 S44 내지 S48)을 갖고, 기판반송 스텝 및 기판처리 스텝은 복수의 동작으로 이루어지며, 해당 기판 처리 방법은 각 스텝을 구성하는 복수의 동작 중 적어도 2개의 동작을 병행해서 실행한다. 기판처리방법, 기판처리시스템, 기판처리프로그램