公开(公告)号：KR100886273B1

公开(公告)日：2009-03-04

申请号：KR1020060029766

申请日：2006-03-31

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 마츠모토나오키 ,  다나카히데아키 ,  후지와라히사시 ,  고시미즈치시오 ,  고이와후미아키 ,  고바야시도시유키 ,  나카야마요우이치 ,  나카무라히로시

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/32091 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/32174

Abstract: 본 발명의 목적은 고주파 전력 외에 직류 전압을 인가하는 용량 결합형의 플라즈마 처리 장치를 전제로 하여, 양호한 플라즈마를 얻을 수 있는 플라즈마 처리 장치 및 플라즈마 처리 방법을 제공하는 것이다.
본 발명은, 챔버(10)내에 대향하여 배치되는 상부 전극(34) 및 하부 전극(16) 사이에 처리 가스의 플라즈마를 형성하여 웨이퍼 W에 플라즈마 에칭을 실시하는 플라즈마 에칭 장치로서, 상부 전극(34)에 고주파 전력을 공급하여 플라즈마를 형성하기 위한 고주파 전원(48)과, 상부 전극(34)에 직류 전압을 인가하는 가변 직류 전원(50)과, 고주파 전원(48) 및 가변 직류 전원(50)을 제어하는 제어부(95)를 구비하되, 제어부(95)는 고주파 전원(48)으로부터의 급전을 개시한 시점 또는 그 이후에, 가변 직류 전원(50)으로부터의 인가 전압이 설정값으로 되도록 제어한다.

Abstract translation: 本发明的一个目的是提供一种良好的等离子体处理以获得等离子体装置，并与假设除了高频电源施加直流电压的电容耦合型的等离子体处理装置的等离子体处理方法。

公开(公告)号：KR100755535B1

公开(公告)日：2007-09-06

申请号：KR1020060005471

申请日：2006-01-18

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 오비아키라 ,  나카무라히로시

IPC: H01L21/66

CPC classification number: Y02P90/02

Abstract: 본 발명은 오퍼레이터의 공수를 삭감할 수 있는 기판 처리 장치의 검사 방법에 관한 것이다. 기판 처리 장치의 청소 시기에, 호스트 컴퓨터가 기판 처리 장치에 상기 기판 처리 장치내로의 제품용 웨이퍼의 반입 금지를 지시하고, 기판 처리 장치가 호스트 컴퓨터로, 소정의 검사 항목의 검사에 사용하는 검사용 웨이퍼의 종류 및 매수를 통지하고, 호스트 컴퓨터가 기판 처리 장치로, 검사용 웨이퍼의 준비 완료를 통지한다.

公开(公告)号：KR100735935B1

公开(公告)日：2007-07-06

申请号：KR1020050102738

申请日：2005-10-31

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 가이세세이이치 ,  이와부치노리유키 ,  가토시게아키 ,  나카무라히로시 ,  요코우치다케시 ,  시바타마리코 ,  오비아키라

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/68

CPC classification number: Y02P90/02 ,  Y02P90/30

Abstract: 스루풋을 비약적으로 향상시킬 수 있는 기판 처리 방법을 제공한다. 웨이퍼 처리로서의 기판 처리 방법은 기판 처리 장치(2), 대기반송장치(3) 및 로드록실(4)를 구비하는 기판 처리 시스템(1)에 있어서 실행되고, 반도체 웨이퍼 W를 반송하는 기판반송 스텝(스텝 S43 및 S49)과, 반도체 웨이퍼 W에 에칭 처리를 실시하는 기판처리 스텝(스텝 S44 내지 S48)을 갖고, 기판반송 스텝 및 기판처리 스텝은 복수의 동작으로 이루어지며, 해당 기판 처리 방법은 각 스텝을 구성하는 복수의 동작 중 적어도 2개의 동작을 병행해서 실행한다.
기판처리방법, 기판처리시스템, 기판처리프로그램

公开(公告)号：KR1020060052347A

公开(公告)日：2006-05-19

申请号：KR1020050102738

申请日：2005-10-31

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 가이세세이이치 ,  이와부치노리유키 ,  가토시게아키 ,  나카무라히로시 ,  요코우치다케시 ,  시바타마리코 ,  오비아키라

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/68

CPC classification number: Y02P90/02 ,  Y02P90/30 ,  H01L21/02 ,  H01L21/68

Abstract: 스루풋을 비약적으로 향상시킬 수 있는 기판 처리 방법을 제공한다. 웨이퍼 처리로서의 기판 처리 방법은 기판 처리 장치(2), 대기반송장치(3) 및 로드록실(4)를 구비하는 기판 처리 시스템(1)에 있어서 실행되고, 반도체 웨이퍼 W를 반송하는 기판반송 스텝(스텝 S43 및 S49)과, 반도체 웨이퍼 W에 에칭 처리를 실시하는 기판처리 스텝(스텝 S44 내지 S48)을 갖고, 기판반송 스텝 및 기판처리 스텝은 복수의 동작으로 이루어지며, 해당 기판 처리 방법은 각 스텝을 구성하는 복수의 동작 중 적어도 2개의 동작을 병행해서 실행한다.
기판처리방법, 기판처리시스템, 기판처리프로그램

公开(公告)号：KR1020060105675A

公开(公告)日：2006-10-11

申请号：KR1020060029766

申请日：2006-03-31

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 마츠모토나오키 ,  다나카히데아키 ,  후지와라히사시 ,  고시미즈치시오 ,  고이와후미아키 ,  고바야시도시유키 ,  나카야마요우이치 ,  나카무라히로시

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/32091 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/32174

Abstract: 본 발명의 목적은 고주파 전력 외에 직류 전압을 인가하는 용량 결합형의 플라즈마 처리 장치를 전제로 하여, 양호한 플라즈마를 얻을 수 있는 플라즈마 처리 장치 및 플라즈마 처리 방법을 제공하는 것이다.
본 발명은, 챔버(10)내에 대향하여 배치되는 상부 전극(34) 및 하부 전극(16) 사이에 처리 가스의 플라즈마를 형성하여 웨이퍼 W에 플라즈마 에칭을 실시하는 플라즈마 에칭 장치로서, 상부 전극(34)에 고주파 전력을 공급하여 플라즈마를 형성하기 위한 고주파 전원(48)과, 상부 전극(34)에 직류 전압을 인가하는 가변 직류 전원(50)과, 고주파 전원(48) 및 가변 직류 전원(50)을 제어하는 제어부(95)를 구비하되, 제어부(95)는 고주파 전원(48)으로부터의 급전을 개시한 시점 또는 그 이후에, 가변 직류 전원(50)으로부터의 인가 전압이 설정값으로 되도록 제어한다.

公开(公告)号：KR1020060084388A

公开(公告)日：2006-07-24

申请号：KR1020060005471

申请日：2006-01-18

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 오비아키라 ,  나카무라히로시

IPC: H01L21/66

CPC classification number: Y02P90/02 ,  H01L21/67276

Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method of inspecting a substrate processing apparatus capable of reducing the number of processing steps of an operator. SOLUTION: In this inspection method, if it is determined that the operation time of a substrate processing apparatus 10 communicating with a host 26 comes under a period required for wet cleaning, a carrying-in prohibition trigger for instructing to prohibit carrying a wafer W for product into a target process unit is transmitted from the host 26 to the substrate processing apparatus 10 (S202). When the contents of an automatic setup recipe is confirmed and the kind and the number of inspection wafers corresponding to inspection items using wafers are confirmed, a request of carrying a test hoop is transmitted from the substrate processing apparatus 10 to the host 26 (S212). When the mapping information of the test hoop attached on a load port 24 is reported from the substrate processing apparatus 10 to the host 26, the kind of wafers for inspection stored in the test hoop and information about a target process unit to which each of the wafers for inspection is carried in are transmitted as a special port declaration to the substrate processing apparatus 10 (S220). COPYRIGHT: (C)2006,JPO&NCIPI