公开(公告)号：KR1020040093043A

公开(公告)日：2004-11-04

申请号：KR1020040028391

申请日：2004-04-23

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 엔도쇼스케 ,  이와부치노리유키 ,  가토시게아키 ,  오쿠보도모야 ,  히로세준 ,  나가쿠라고이치 ,  고시미즈지시오 ,  덴포가즈키

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/67069 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/32642 ,  H01L21/6831

Abstract: PURPOSE: A plasma processing apparatus, a focus ring and a susceptor are provided to improve remarkably cooling efficiency of the focus ring without the increase of costs by providing a dielectric part and a conductive part for the focus ring. CONSTITUTION: A plasma processing apparatus includes a susceptor. The susceptor includes an electrostatic chuck(25) and a focus ring(30) connected with the electrostatic chuck through a contact portion. The focus ring is composed of a dielectric part(30a) with the contact portion and a conductive part(30b) on the dielectric part.

Abstract translation: 目的：提供等离子体处理装置，聚焦环和基座，以通过为聚焦环提供电介质部分和导电部分而不增加成本，从而显着提高聚焦环的冷却效率。 构成：等离子体处理装置包括基座。 感受器包括静电吸盘（25）和通过接触部分与静电吸盘连接的聚焦环（30）。 聚焦环由介电部分（30a）与介电部分上的接触部分和导电部分（30b）组成。

公开(公告)号：KR1020060052347A

公开(公告)日：2006-05-19

申请号：KR1020050102738

申请日：2005-10-31

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 가이세세이이치 ,  이와부치노리유키 ,  가토시게아키 ,  나카무라히로시 ,  요코우치다케시 ,  시바타마리코 ,  오비아키라

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/68

CPC classification number: Y02P90/02 ,  Y02P90/30 ,  H01L21/02 ,  H01L21/68

Abstract: 스루풋을 비약적으로 향상시킬 수 있는 기판 처리 방법을 제공한다. 웨이퍼 처리로서의 기판 처리 방법은 기판 처리 장치(2), 대기반송장치(3) 및 로드록실(4)를 구비하는 기판 처리 시스템(1)에 있어서 실행되고, 반도체 웨이퍼 W를 반송하는 기판반송 스텝(스텝 S43 및 S49)과, 반도체 웨이퍼 W에 에칭 처리를 실시하는 기판처리 스텝(스텝 S44 내지 S48)을 갖고, 기판반송 스텝 및 기판처리 스텝은 복수의 동작으로 이루어지며, 해당 기판 처리 방법은 각 스텝을 구성하는 복수의 동작 중 적어도 2개의 동작을 병행해서 실행한다.
기판처리방법, 기판처리시스템, 기판처리프로그램

公开(公告)号：KR100735935B1

公开(公告)日：2007-07-06

申请号：KR1020050102738

申请日：2005-10-31

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 가이세세이이치 ,  이와부치노리유키 ,  가토시게아키 ,  나카무라히로시 ,  요코우치다케시 ,  시바타마리코 ,  오비아키라

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/68

CPC classification number: Y02P90/02 ,  Y02P90/30

Abstract: 스루풋을 비약적으로 향상시킬 수 있는 기판 처리 방법을 제공한다. 웨이퍼 처리로서의 기판 처리 방법은 기판 처리 장치(2), 대기반송장치(3) 및 로드록실(4)를 구비하는 기판 처리 시스템(1)에 있어서 실행되고, 반도체 웨이퍼 W를 반송하는 기판반송 스텝(스텝 S43 및 S49)과, 반도체 웨이퍼 W에 에칭 처리를 실시하는 기판처리 스텝(스텝 S44 내지 S48)을 갖고, 기판반송 스텝 및 기판처리 스텝은 복수의 동작으로 이루어지며, 해당 기판 처리 방법은 각 스텝을 구성하는 복수의 동작 중 적어도 2개의 동작을 병행해서 실행한다.
기판처리방법, 기판처리시스템, 기판처리프로그램

公开(公告)号：KR100613198B1

公开(公告)日：2006-08-18

申请号：KR1020040028391

申请日：2004-04-23

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 엔도쇼스케 ,  이와부치노리유키 ,  가토시게아키 ,  오쿠보도모야 ,  히로세준 ,  나가쿠라고이치 ,  고시미즈지시오 ,  덴포가즈키

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/67069 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/32642 ,  H01L21/6831

Abstract: 본 발명은 비용의 증가를 방지하면서 포커스 링의 냉각 효율을 비약적으로 향상시킬 수 있는 포커스 링을 구비한 플라즈마 처리 장치를 제공한다. 이 플라즈마 처리 장치는 정전 척 및 포커스 링을 구비하는 서셉터를 포함한다. 프라즈마 처리될 웨이퍼(W)가 정전 척상에 장착된다. 포커스 링은 유전제부 및 도전체부를 구비한다. 유전체부는 정전 척과 접촉하여 배치된 접촉부를 형성한다. 도전체부는 유전체부를 사이에 두고 정전 척과 대향한다.