탑재대 구조체 및 이 탑재대 구조체를 갖는 열처리 장치
    2.
    发明公开
    탑재대 구조체 및 이 탑재대 구조체를 갖는 열처리 장치 有权
    装载台和热处理装置装载台

    公开(公告)号:KR1020050119684A

    公开(公告)日:2005-12-21

    申请号:KR1020057019032

    申请日:2004-04-07

    Abstract: A heat treating apparatus, wherein a treated body (W) is placed on the upper surface of a loading table (32) which is erected from the bottom part of a treatment container (4) through a column and in which a heating means (38) is buried and a specified heat treatment is applied to the treated body. Insulating cover members (72), (74), and (76) are installed on the upper surface, side surface, and lower surface of the loading table. Thus, since metallic atoms causing contamination can be prevented from being thermo-diffused from the loading table, various contaminations such as metallic contamination and organic substance contamination can be prevented from occurring.

    Abstract translation: 一种热处理装置,其中处理体(W)被放置在从处理容器(4)的底部通过柱竖立的装载台(32)的上表面上,并且其中加热装置(38) ),并对被处理体施加特定的热处理。 绝缘盖构件(72),(74)和(76)安装在装载台的上表面,侧表面和下表面上。 因此,由于可以防止由于引起污染的金属原子从装载台热扩散,所以可以防止诸如金属污染物和有机物质污染的各种污染物发生。

    면형상 히터
    3.
    发明公开
    면형상 히터 有权
    平面加热器

    公开(公告)号:KR1020080081360A

    公开(公告)日:2008-09-09

    申请号:KR1020087018780

    申请日:2007-02-07

    Abstract: Provided is a planar heater having a substantially uniform heating temperature with a carbon wire heat generating body. The inner region and the outer region have different in-plane arrangement densities of carbon wire heat generating bodies (CW). A power supply terminal section having a connecting line for carrying electricity to a heat generating body (CW) is arranged at the center portion on the rear side of a silica glass board-like body. The connecting wire of the inner carbon wire heat generating body is connected at the center portion of the silica glass board-like body, the connecting lines (3a, 3b) of the outer carbon wire heat generating body are extended to the outer regions from the center portion of the silica glass board-like body, without crossing the inner carbon wire heat generating body (CW), and are connected with the outer carbon wire heat generating body (CW).

    Abstract translation: 本发明提供一种具有与碳丝发热体基本均匀的加热温度的平面加热器。 内部区域和外部区域具有不同的碳线发热体的面内排列密度(CW)。 在石英玻璃板状体的后侧的中央部配置具有用于向发热体(CW)传送电力的连接线的电源端子部。 内碳丝发热体的连接线在石英玻璃板状体的中心部分连接,外部碳线发热体的连接线(3a,3b)从外部碳线发热体延伸到外部区域 石墨玻璃板状体的中心部分,不与内碳丝发热体(CW)交叉,并与外碳丝发热体(CW)连接。

    처리장치
    4.
    发明公开
    처리장치 有权
    治疗装置

    公开(公告)号:KR1020060129341A

    公开(公告)日:2006-12-15

    申请号:KR1020067015363

    申请日:2005-01-14

    CPC classification number: C23C16/45565 C23C16/455 C23C16/45572 H01L21/67109

    Abstract: A showerhead structure (26) has a showerhead body (78) of a one-piece structure. The showerhead body (78) is formed as a whole in a cup shape, and has a bottom wall (78A) in which gas jetting holes (30A, 30B) are formed and a side wall (78B) rising from the peripheral edge of the bottom wall. Gas diffusion chamber partition plates (82A-82C) are received in the showerhead body (78). A through-hole is provided in a head installation frame body (76) installed at a ceiling section of a treatment container (24), an upper section of the side wall (78B) of the showerhead body (78) is inserted in the through-hole, and this causes a part of the side wall (78B) to be exposed to the outside. A cooling mechanism (84) is installed on an upper end section of the side wall (78B). As a result, thermal conductivity between the cooling mechanism (84) and the bottom wall (78A) is improved, enabling the temperature of the bottom wall (78A) to be regulated to an appropriate level to prevent undesired adhesion of a film to the bottom wall (78A).

    Abstract translation: 喷头结构(26)具有单件式结构的喷头体(78)。 淋浴头体(78)整体形成为杯状,具有形成有气体喷射孔(30A,30B)的底壁(78A)和形成有气体喷射孔(30A,30B)的侧壁(78B) 底壁。 气体扩散室分隔板(82A-82C)容纳在喷头体(78)中。 在安装在处理容器(24)的顶部的头部安装框架体(76)中设置通孔,喷头体(78)的侧壁(78B)的上部插入通孔 并且这导致侧壁(78B)的一部分暴露于外部。 冷却机构(84)安装在侧壁(78B)的上端部。 结果,改善了冷却机构(84)和底壁(78A)之间的导热性,使得底壁(78A)的温度能够被调整到适当的水平,以防止膜不期望地粘附到底部 墙(78A)。

    처리장치
    7.
    发明授权
    처리장치 有权
    治疗装置

    公开(公告)号:KR100758744B1

    公开(公告)日:2007-09-14

    申请号:KR1020067015363

    申请日:2005-01-14

    CPC classification number: C23C16/45565 C23C16/455 C23C16/45572 H01L21/67109

    Abstract: 샤워 헤드 구조(26)는, 복수의 가스 분사구(30A,30B)가 형성된 바닥벽(78A)과 상기 바닥벽의 둘레가장자리부로부터 기립하는 측벽(78B)을 가진 전체적으로 컵형으로 형성된 원피스 구조의 샤워 헤드 본체(78)를 가진다. 샤워 헤드 본체(78)내에는 복수의 가스 확산실 구획판(82A∼82C)이 수용된다. 처리용기(24)의 천정부에 설치된 헤드 부착 프레임 몸체(76)에 관통구멍이 형성되고, 거기에 샤워 헤드 본체(78)의 측벽(78B) 위쪽 부분이 삽입되고, 이에 따라 측벽(78B)의 일부가 처리용기의 외부에 노출한다. 측벽(78B)의 상단부에는 냉각기구(84)가 장착된다. 냉각기구(84)와 바닥벽(78A)과의 사이의 열전도성이 향상하고, 바닥벽(78A)을 적정한 온도로 제어할 수 있으며, 바닥벽(78A)에 불필요한 막의 부착을 방지할 수 있다.
    처리장치, 처리가스, 헤드, 샤워, 힌지

    샤워 헤드 및 이것을 이용한 성막장치
    8.
    发明授权
    샤워 헤드 및 이것을 이용한 성막장치 有权
    淋浴头和成膜装置使用它

    公开(公告)号:KR100728401B1

    公开(公告)日:2007-06-13

    申请号:KR1020067008748

    申请日:2004-10-22

    CPC classification number: C23C16/45565

    Abstract: 본 발명은, 성막 장치의 처리 용기 내에 성막용의 원료 가스와 지원 가스를 공급하는 샤워 헤드에 관한 것이다. 이 샤워 헤드는, 가스 분사면(8)을 가진 본체를 구비한다. 샤워 헤드 본체 내에는, 원료 가스를 받아들여 확산시키는 제 1 확산실(60)과, 지원 가스를 받아들여 확산시키는 제 2 확산실(62)이 형성된다. 가스 분사면에는, 제 1 확산실에 연이어 통해진 원료 가스 분사구(10A)와, 제 2 확산실에 연이어 통해진 제 1 지원 가스 분사구(10B)가 형성된다. 각 제 1 지원 가스 분사구(10B)는, 각각 원료 가스 분사구(10A)를 근접하여 둘러싸는 링 형상으로 형성되어 있다.

    성막 장치 및 가스 토출 부재
    9.
    发明授权
    성막 장치 및 가스 토출 부재 有权
    薄膜沉积装置和气体喷射构件

    公开(公告)号:KR101336363B1

    公开(公告)日:2013-12-04

    申请号:KR1020117020104

    申请日:2010-01-28

    CPC classification number: C23C16/46 C23C16/4404 C23C16/45565

    Abstract: 성막 장치(100)는 웨이퍼(W)를 수용하는 챔버(1)와, 챔버(1)내에서 웨이퍼 W를 탑재하는 서셉터(2)와, 서셉터(2)상의 웨이퍼 W를 가열하는 히터(5a, 5b)와, 서셉터(2)에 대향해서 마련되고, 웨이퍼(W)를 향해 성막을 위한 처리 가스를 토출하는 본체가 알루미늄 또는 알루미늄 합금으로 이루어지는 샤워 플레이트(12)를 구비하고, 웨이퍼(W)의 표면에, 성막 온도에 있어서 열팽창율이 샤워 플레이트(12)의 본체(13)의 열팽창율보다 5×10
    -6 /℃ 이상 낮은 막을 성막하는 것이며, 샤워 플레이트(12)는 본체(13)의 서셉터(2)에 대향하는 면에 두께가 10㎛ 이상의 양극 산화 피막(14)이 형성되어 있다.

    성막 장치 및 가스 토출 부재
    10.
    发明公开
    성막 장치 및 가스 토출 부재 有权
    薄膜沉积装置和气体喷射构件

    公开(公告)号:KR1020110122147A

    公开(公告)日:2011-11-09

    申请号:KR1020117020104

    申请日:2010-01-28

    CPC classification number: C23C16/46 C23C16/4404 C23C16/45565

    Abstract: 성막 장치(100)는 웨이퍼(W)를 수용하는 챔버(1)와, 챔버(1)내에서 웨이퍼 W를 탑재하는 서셉터(2)와, 서셉터(2)상의 웨이퍼 W를 가열하는 히터(5a, 5b)와, 서셉터(2)에 대향해서 마련되고, 웨이퍼(W)를 향해 성막을 위한 처리 가스를 토출하는 본체가 알루미늄 또는 알루미늄 합금으로 이루어지는 샤워 플레이트(12)를 구비하고, 웨이퍼(W)의 표면에, 성막 온도에 있어서 열팽창율이 샤워 플레이트(12)의 본체(13)의 열팽창율보다 5×10
    -6 /℃ 이상 낮은 막을 성막하는 것이며, 샤워 플레이트(12)는 본체(13)의 서셉터(2)에 대향하는 면에 두께가 10㎛ 이상의 양극 산화 피막(14)이 형성되어 있다.

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