Abstract:
An inspection apparatus comprises a prober section having a main chuck and a prober, and a loader section having a support table, a sub-chuck and a forceps assembly. A controller controlls the forceps assembly, the sub-chuck, the main chuck and the prober such that the forceps assembly conveys a semiconductor wafer in a cassette on the table before inspection from the cassette to the sub-chuck, the sub-chuck prealigns the semiconductor wafer, the forceps assembly conveys the prealigned semiconductor wafer to the main chuck, the prober inspects the semiconductor wafer supported by the main chuck, and then the forceps assembly conveys the inspected semiconductor wafer to the cassette. A wafer state display device is provided for performing display on a display screen so as to visually recognize whether the semiconductor wafer in the cassette is not inspected or has been inspected, and for graphically displaying movement of the semiconductor wafer between the cassette and the main chuck on the display screen in real time.
Abstract:
본 발명은 반도체웨이퍼에 형성된 반도체소자나 액정표시체 등의 피검사체의 전기적 검사를 실시하는 검사장치에 관한 것으로서, 피검사체를 검사하는 검사수단을 갖는 검사섹션과, 복수의 피검사체가 안에 수용된 용기를 지지하는 지지수단과, 이 용기와 상기 검사섹션의 사이에서 피검사체를 반송하는 반송수단을 갖는 로더섹션과, 반송수단이 용기내의 피검사체를 꺼내어 검사섹션에 반송하고 검사수단이 반송된 피검사체를 검사하며, 반송수단이 검사된 피검사체를 상기 용기 또는 다른 용기내에 반송하도록 상기 검사수단과, 지지수단과, 반송수단을 각각 제어하는 제어수단과, 표시화면과, 상기 제어수단의 제어를 완수하게 하는 조작수단을 갖는 표시장치와, 검사시에 상기 피검사체의 소재장소 및 검사의 진보상황을 포함하는 피검사체의 상태를 상기 표시장치의 표시화면에 리얼타임으로 표시시키는 상태표시처리수단을 구비하고, 이 상태표시처리수단은 상기 로더섹션에 있어서의 상기 피검사체의 상태를 점검하는 동시에 그 상태를 표시처리하는 로더상태표시처리수단과, 상기 검사섹션에서의 상기 피검사체의 상태를 점검하는 동시에 그 상태를 표시처리하는 검사상태표시처리수단을 갖는 검사장치로 이루어지는 것을 특징으로 한다.
Abstract:
반송 유니트(30)를 위한 직선의 제 1 반송로(13)의 일단에는, 반도체 웨이퍼(12)를 1 장씩 공급하는 로더부(14)가 설치되어 있다. 제 1 반송로(13)를 사이에 둔 양측에는 버언 인 검사부(15), 프로우브 검사부(16), 레이저 리페어부(17a), 디포지션 리페어부(17b), 마킹부(18), 베이킹부(19), 육안 검사부(20)가 각각 배치되어 있다. 로더부(14)에 설치된 프리 얼라인먼트부(15)에서는 카세트(21)로부터 취출된 반도체 웨이퍼(12)를 프리 얼라인먼트한다. 프리 얼라인먼트된 반도체 웨이퍼(12)는, 반송 유니트(30)에 의하여, 미리 정해진 검사순서에 따라서 각 검사부(15),(16) 및 리페어부(17)에 반도체 웨이퍼(1)를 반입 반출시키고, 여러 검사항목 및 리페어 공정을 인라인 방식으로 실시한다. 버언 인 검사부(15)에서는 반도체 웨이퍼(12) 상에 형성된 다수의 반도체 칩 군의 전부에 일괄하여 접촉하는 도전성 돌기(50)를 가지는 프로우브 카드(47)를 인가한 상태로 버언 인 검사를 실시한다.
Abstract:
본 발명의 프로브 방법은 포밍 가스를 이용하여 웨이퍼(W)의 전극을 환원 처리하는 공정과, 건조 분위기하에서 전극과 프로브 핀(14A)을 접촉시키는 공정을 구비하고 있다. 또한, 피검사체의 전극(P)의 환원 처리 전에, 피검사체를 불활성 가스 분위기에 있어서, 피검사체를 가열하는 것을 구비하고, 상기 환원 처리는 상압하에서 환원성 가스를 피검사체의 전극에 접촉시킴으로써 실시된다.
Abstract:
A probing method comprising a step for reducing the electrode of a wafer W using a forming gas, and a step for contacting a probe pin (14A) with the electrode in a dry atmosphere. Prior to reducing the electrode P of an article under inspection, the article is heated in an inert gas atmosphere and reduction is carried out by contacting a reducing gas with the electrode of the article under inspection under a normal pressure.
Abstract:
본 발명은 반도체 등의 피검사체의 전기적 특성을 검사하기 위한 프로브시스템에 관한 것으로서, 서로 소정 거리 이간하여 일렬로 배치되고 테스트헤드를 피검사체의 전극과 전기적으로 도통시켜서 피검사체의 전기적 특성검사를 실시하는 복수의 검사부와, 검사부의 열을 따라서 평행하게 연장되는 반송로와, 복수의 피검사체가 재치되고 반송로와 대향하며, 또한 반송로의 윗쪽에서 반송로에 대하여 수직으로 승강하는 재치부와, 반송로를 따라서 이동하고 재치부와 각 검사부의 사이에서 피검사체를 수수하는 수수기구를 구비하고 있는 것을 특징으로 한다.
Abstract:
본 발명은 반도체 등의 피검사체의 전기적 특성을 검사하기 위한 프로브시스템에 관한 것으로서, 서로 소정거리 이간하여 일렬로 배치되고 테스트헤드를 피검사체의 전극과 전기적으로 도통시켜서 피검사체의 전기적 특성검사를 실시하는 복수의 검사부와, 검사부의 열을 따라서 평행하게 연장되는 반송로와, 복수의 피검사체가 재치되고 반송로와 대향하며, 또한 반송로의 윗쪽에서 반송로에 대하여 수직으로 승강하는 재치부와, 반송로를 따라서 이동하고 재치부와 각 검사부의 사이에서 피검사체를 수수하는 수수기구를 구비하고 있는 것을 특징으로 한다.
Abstract:
반송 유니트(30)을 위한 직선형상의 제1반송로(13)의 일단에는 반도체 웨이퍼(12)를 1장씩 공급하는 로더부(14)가 설치되어 있다. 제1반송로(13)를 사이에 둔 양측에는 버언 인 검사부(15), 프로우브 검사부(16), 레이저 리페어부(17a), 디포지션 리페어부(17b), 마킹부(18), 베이킹부(19), 육안 검사부(20)가 각각 배치되어 있다. 로더부(14)에 설치된 파인 얼라인먼트부(15)에서는 카세트(21)로부터 취출된 반도체 웨이퍼(12)를 프리 얼라인먼트 한다. 프리 얼라인먼트된 반도체 웨이퍼(12)는, 반송 유니트(30)에 의하여, 미리 정해진 검사수 순에 따라서 각 검사부(15), (16) 및 리페어부(17)에 반도체 웨이퍼(1)를 반입반출시키고, 여러 검사항목 및 리페어 공정을 인라인 방식으로 실시한다. 버언 인 검사부(15)에서는 반도체 웨이퍼(12) 상에 형성된 다수의 반도체 칩 군의 전부에 일괄하여 접촉하는 도전성 돌기(50)를 가지는 프로우브 카드(47)를 인가한 상태로 버언 인 검사를 실시한다.