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公开(公告)号：KR1020090004485A
公开(公告)日：2009-01-12
申请号：KR1020080050663
申请日：2008-05-30
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
CPC classification number: G01R31/2891
Abstract: An inspecting method and a storage medium for storing program of the method are provided to estimate needle end location of a probe based on the correlation of the needle end location of a probe and the contact time of a probe so that thermal expansion of the probe is not needed. A wafer is mounted from a loader chamber on a mounting base within a probe chamber(S1). After the alignment of an electrode pad of the wafer and a probe card is performed, the needle end location of a probe is presumed based on the correlation of the needle end location of the probe and the contact time of the probe and the shift of the mounting base is corrected from the home location(S2). The mounting base horizontally moves to the origin location of the chip based on the correction value reaches to the predetermined probe(S3). A control device determines existence and nonexistence of Z up order from a tester(S4). In case of being determined that Z up order is the first command, the first chip of wafer is contacted with the probe with rising of the mounting base and is raised as the first OD amount(S6). According to electrical contact of the probe and the electrode pad, inspection toward electrical characteristic of the chip is performed based on the signal from the tester(S7).
Abstract translation: 提供了用于存储该方法的程序的检查方法和存储介质，以基于探针的针端位置与探针的接触时间的相关性来估计探针的针端位置，使得探针的热膨胀为 不需要。 晶片从装载器室安装在探针室（S1）内的安装基座上。 在执行晶片的电极焊盘和探针卡的对准之后，基于探针的针端位置与探针的接触时间与探针的移动的相关性，推测探针的针端位置 从原点位置校正安装基座（S2）。 基于到达预定探针的校正值（S3），安装座水平地移动到芯片的原点位置。 控制装置确定来自测试器的Z向上的存在和不存在（S4）。 在确定Z up顺序是第一命令的情况下，晶片的第一芯片与安装基座的上升与探头接触并且作为第一OD量升高（S6）。 根据探针和电极焊盘的电接触，根据来自测试仪的信号（S7）进行针对芯片的电特性的检查。
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公开(公告)号：KR100371677B1
公开(公告)日：2003-04-08
申请号：KR1019960078047
申请日：1996-12-30
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/66
CPC classification number: G01R1/025 , G01R31/2851 , G01R31/2893 , G01R31/31912
Abstract: An inspection apparatus comprises a prober section having a main chuck and a prober, and a loader section having a support table, a sub-chuck and a forceps assembly. A controller controlls the forceps assembly, the sub-chuck, the main chuck and the prober such that the forceps assembly conveys a semiconductor wafer in a cassette on the table before inspection from the cassette to the sub-chuck, the sub-chuck prealigns the semiconductor wafer, the forceps assembly conveys the prealigned semiconductor wafer to the main chuck, the prober inspects the semiconductor wafer supported by the main chuck, and then the forceps assembly conveys the inspected semiconductor wafer to the cassette. A wafer state display device is provided for performing display on a display screen so as to visually recognize whether the semiconductor wafer in the cassette is not inspected or has been inspected, and for graphically displaying movement of the semiconductor wafer between the cassette and the main chuck on the display screen in real time.
Abstract translation: 检查设备包括具有主卡盘和探测器的探测器部分以及具有支撑台，子卡盘和钳子组件的装载器部分。 控制器控制镊子组件，子卡盘，主卡盘和探测器，使得镊子组件在从卡匣检查到子卡盘之前将匣盒中的半导体晶片传送到工作台上，子卡盘预先对齐 半导体晶片，钳子组件将预先对齐的半导体晶片传送到主卡盘，探测器检查由主卡盘支撑的半导体晶片，然后钳子组件将检查的半导体晶片传送到盒子。 提供一种晶片状态显示装置，用于在显示屏上进行显示，以便可视地识别盒子中的半导体晶片是未被检查还是已经被检查过，并且用于以图形方式显示盒子和主卡盘之间的半导体晶片的移动 在显示屏上实时显示。
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公开(公告)号：KR100292699B1
公开(公告)日：2001-08-07
申请号：KR1019970018665
申请日：1997-05-15
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/66
Abstract: 프로브 검사장치의 사용국과 출하국이 상이하고, 또한 사용국과 출하국의 사용국의 사용언어가 서로 이해되기 어려운 경우에는 메인터넌스에 즈음해서 표시장치의 표시 패널에 표시된 조작 키의 조작 내용을 조작시마다 대조표 등에 의하여 확인하지 않으면 안되기 때문에, 대조 작업에 시간을 많이 들며 메인터넌스에 많은 시간을 필요로 하며 에러 대책 등의 메인터넌스 대책을 신속히 세우는 것이 가능하지 않다.
본 프로브 검사장치(10)는, 카세트(C)내의 반도체 웨이퍼(W)를 반송하는 핀 세트(12)를 구비한 로더부(13)와, 상기 핀 세트(12)를 거쳐서 반송된 반도체 웨이퍼(W)를 검사하는 프로버부(14)와, 이 프로버부(14) 및 로더부(13)를 제어하는 제어기(15)와, 이 제어기(15)의 조작 키(161A)를 표시하는 표시 패널을 가지는 표시장치(16)를 구비하며, 상기 조작 키(161A)에 대응하는 식별기호 키(S1)를 조작 키(161A)와 함께 표시 패널(161)에 표시하고, 식별기호 키(S1)의 조작에 의하여 그 조작 키(161A)의 조작 내용을 사용국의 언어와는 상이한 별개의 표현으로 표시하는 것을 특징으로 한다.-
公开(公告)号：KR100960403B1
公开(公告)日：2010-05-28
申请号：KR1020080050663
申请日：2008-05-30
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
CPC classification number: G01R31/2891
Abstract: 프로브 카드를 사전에 가열 또는 냉각하는 일 없이 검사를 실행할 수 있고, 또한, 프로브와 피검사체의 위치 어긋남을 확실히 방지하여 신뢰성이 높은 검사를 실행할 수 있는 프로브 장치를 이용하는 검사방법을 제공한다.
본 발명의 검사방법은, 웨이퍼(W)의 고온 검사를 실행할 때에, 프로브(14A)와 소정의 고온 또는 저온의 웨이퍼(W)의 접촉 시간과, 이 접촉 시간에 따라 신장하는 프로브(14A)의 침끝 위치의 상관관계를 미리 구하여 등록하는 공정과, 프로브(14A)의 신장이 없어질 때까지, 웨이퍼(W)의 칩(P)의 측정을 실행할 때마다, 프로브(14A)의 웨이퍼(W)와의 접촉 시간과 상기 상관관계를 기초로 프로브(14A)의 침끝 위치를 추정하고, 이 추정값에 근거하여 프로브(14A)의 침끝 위치를 보정하여 각 칩(P)의 측정을 실행하는 공정을 구비하고 있다.-
公开(公告)号：KR1020100019393A
公开(公告)日：2010-02-18
申请号：KR1020090072978
申请日：2009-08-07
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
CPC classification number: G01R31/2891
Abstract: PURPOSE: A probing method and a probing program are provided to reduce a test time by reducing a moving distance from a plurality of probes to a plurality of chips and inspecting objects simultaneously. CONSTITUTION: A probe electrically contacts chips arranged in the oblique direction of a wafer. A first standard chip array and a chip array arranged in parallel on the left top portion are identified. A probe(12A) is arranged in multiple of integer. A contact position of the chip array is selected. A contact position is set on a lower part of the right side of the first standards chip array. The sequence of a plurality of index groups and inspections is set by appointing the contact position.
Abstract translation: 目的：通过减少从多个探针到多个芯片的移动距离并同时检查对象来提供探测方法和探测程序以减少测试时间。 构成：探头电接触沿晶片倾斜方向布置的芯片。 识别在左上部平行布置的第一标准芯片阵列和芯片阵列。 探针（12A）以整数倍数排列。 选择芯片阵列的接触位置。 接触位置设置在第一标准芯片阵列的右侧的下部。 通过指定接触位置来设定多个索引组和检查的顺序。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR100886273B1
公开(公告)日：2009-03-04
申请号：KR1020060029766
申请日：2006-03-31
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: H01J37/32091 , H01J37/32082 , H01J37/32174
Abstract: 본 발명의 목적은 고주파 전력 외에 직류 전압을 인가하는 용량 결합형의 플라즈마 처리 장치를 전제로 하여, 양호한 플라즈마를 얻을 수 있는 플라즈마 처리 장치 및 플라즈마 처리 방법을 제공하는 것이다.
본 발명은, 챔버(10)내에 대향하여 배치되는 상부 전극(34) 및 하부 전극(16) 사이에 처리 가스의 플라즈마를 형성하여 웨이퍼 W에 플라즈마 에칭을 실시하는 플라즈마 에칭 장치로서, 상부 전극(34)에 고주파 전력을 공급하여 플라즈마를 형성하기 위한 고주파 전원(48)과, 상부 전극(34)에 직류 전압을 인가하는 가변 직류 전원(50)과, 고주파 전원(48) 및 가변 직류 전원(50)을 제어하는 제어부(95)를 구비하되, 제어부(95)는 고주파 전원(48)으로부터의 급전을 개시한 시점 또는 그 이후에, 가변 직류 전원(50)으로부터의 인가 전압이 설정값으로 되도록 제어한다.Abstract translation: 本发明的一个目的是提供一种良好的等离子体处理以获得等离子体装置，并与假设除了高频电源施加直流电压的电容耦合型的等离子体处理装置的等离子体处理方法。
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公开(公告)号：KR100576399B1
公开(公告)日：2006-05-03
申请号：KR1020040070432
申请日：2004-09-03
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Inventor： 고시이시아키라 , 다나카히데아키 , 오카야마노부유키 , 미야가와마사아키 , 미즈카미순스케 , 시미즈와타루 , 히로세준 , 와카키도시카츠 , 미와도모노리 , 오오야부준 , 하야시다이스케
IPC: H01L21/3065 , H01L21/02
Abstract: 처리의 면내 균일성을 향상시킬 수 있음과 동시에 반도체 웨이퍼의 주연부 이면측에 대한 데포지션의 발생을 종래에 비교해서 저감할 수 있는 포커스 링 및 플라즈마 처리 장치를 제공한다.
진공 챔버(1)내에는 반도체 웨이퍼(W)가 탑재되는 탑재대(2)가 설치되어 있고, 이 탑재대(2)에 탑재된 반도체 웨이퍼(W)의 주위를 둘러싸도록 포커스 링(8)이 설치되어 있다. 포커스 링(8)은 유전체로 이루어지는 링형상의 하측부재(9)와 이 하측부재(9)의 상부에 배치되고, 도전성 재료로 이루어지는 링형상의 상측부재(10)로 구성되어 있고, 상측부재(10)는 그 상면의 외주측이 반도체 웨이퍼(W)의 피처리면보다 높은 평탄부(10a)로 되고, 이 평탄부(10a)의 내주부가 외주측이 내주측보다 높아지도록 경사하는 경사부(10b)로 되어 있다.-
公开(公告)号：KR1020050025079A
公开(公告)日：2005-03-11
申请号：KR1020040070432
申请日：2004-09-03
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Inventor： 고시이시아키라 , 다나카히데아키 , 오카야마노부유키 , 미야가와마사아키 , 미즈카미순스케 , 시미즈와타루 , 히로세준 , 와카키도시카츠 , 미와도모노리 , 오오야부준 , 하야시다이스케
IPC: H01L21/3065 , H01L21/02
CPC classification number: H01L21/67069 , H01J37/32642
Abstract: A focus ring and a plasma processing apparatus are provided to obtain the same uniform plasma processing of an edge as a center of wafer and to reduce a deposition in the back surface of edge. A focus ring includes a lower member and an upper member. The lower member(9) is formed with a dielectric. An upper member(10) made of a conductive material is formed on the top of the lower member. An inclined portion that an outer circumferential side thereof is higher than an inner circumferential side is formed on the top surface of the upper member. The position of end of the outer circumferential side in the inclined portion is higher than the position of a surface of the wafer(W) to be processed. The inner circumferential side of the upper member is spaced apart from a circumferential edge of the wafer by a predetermined distance.
Abstract translation: 提供聚焦环和等离子体处理装置以获得作为晶片中心的边缘的相同的均匀等离子体处理并减少边缘的后表面中的沉积。 聚焦环包括下部构件和上部构件。 下部构件（9）形成有电介质。 由导电材料制成的上部构件（10）形成在下部构件的顶部上。 在上部构件的上表面上形成有外周侧高于内周侧的倾斜部。 倾斜部分中的外周侧的端部的位置高于待处理的晶片（W）的表面的位置。 上部构件的内周侧与晶片的圆周边缘间隔预定距离。
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公开(公告)号：KR1019970077433A
公开(公告)日：1997-12-12
申请号：KR1019970018665
申请日：1997-05-15
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/66
Abstract: 프로브 검사장치의 사용국과 출하국이 상이하고, 또한 사용국과 출하국의 사용국의 사용언어가 서로 이해되기 어려운 경우에는 메인터넌스에 즈음해서 표시장치의 표시 패널에 표시된 조작 키의 조작 내용을 조작시마다 대조표 등에 의하여 확인하지 않으면 안되기 때문에, 대조 작업에 시간을 많이 들며 메인터넌스에 많은 시간을 필요로 하며 에러 대책 등의 메인터넌스 대책을 신속히 세우는 것이 가능하지 않다.
본 프로브 검사장치(10)는, 카세트(C)내의 반도체 웨이퍼(W)를 반송하는 핀세트(12)를 구비한 로더부(13)와, 상기 핀 세트(12)를 거쳐서 반송된 반도체 웨이퍼(W)를 검사하는 프로버부(14)와, 이 프로버부(14) 및 로더부(13)를 제어하는 제어기(15)와, 이 제어기(15)의 조작 키(161A)를 표시하는 표시 패널을 가지는 표시장치(16)를 구비하여, 상기 조작 키(161A)에 대응하는 식별기호 키(S1)를 조작 키(161A)와 함께 표시 패널(161)에 표시하고, 식별기호 키(S1)의 조작에 의하여 그 조작 키(161A)의 조작 내용을 사용국의 언어와는 상이한 별개의 표현으로 표시하는 것을 특징으로 한다.-
公开(公告)号：KR101208773B1
公开(公告)日：2012-12-05
申请号：KR1020090077701
申请日：2009-08-21
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
CPC classification number: G01R3/00 , G01R1/07342
Abstract: 본발명은프로브의연마시에연마웨이퍼(연마체)의상면의이물을검출하고, 연마체로부터이물을확실하게제거하고, 연마후에피검사체의전기적특성검사를지장없이실행할수 있는프로브의연마방법을제공한다. 본발명의프로브의연마방법은, 연마웨이퍼(W')를버퍼테이블(20)로부터탑재대(17)로반송하는공정과, 탑재대(17) 상에탑재된연마웨이퍼(W')의상면의이물을검출하는제 2 공정과, 연마웨이퍼(W')의상면에이물을검출했을때에는, 탑재대(17)로부터웨이퍼테이블(21)로연마웨이퍼(W')를반송하는제 3 공정과, 웨이퍼테이블(21)로부터연마웨이퍼(W')를취출해서이물(O)을제거하는제 4 공정과, 이물(O)을제거한연마웨이퍼(W')를웨이퍼테이블(21)로부터탑재대(17) 위로반송하고, 연마웨이퍼(W')에의해복수의프로브(18A)의침 끝을연마하는제 5 공정을구비하고있다.
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