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公开(公告)号：KR1020130033313A
公开(公告)日：2013-04-03
申请号：KR1020120105582
申请日：2012-09-24
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Inventor： 아시다미츠토시
IPC: H01L21/268
CPC classification number: H01J37/32192 , H01J37/32311
Abstract: PURPOSE: A microwave processing apparatus and a method for processing an object are provided to uniformly process the object by changing the state of a standing wave in a processing container. CONSTITUTION: A processing container(2) receives a wafer(W). A microwave introduction device(3) introduces microwaves in the processing container and includes a plurality of magnetrons(31) which generate the microwaves. A support device(4) supports the wafer arranged in the processing container. A gas supply device(5) supplies gas to the processing container. An exhaust device(6) decompresses and exhausts the processing container. [Reference numerals] (22a,AA,BB,CC) Gas passage; (27) Temperature measuring unit; (31) Magnetron; (34) Circulator; (35) Detector; (36) Tuner; (37) Dummy load; (40) High voltage power source unit; (5) Gas supply device; (6) Exhaust device; (8) Control unit; (93) Motor;
Abstract translation: 目的：提供一种微波处理装置和用于处理物体的方法，以通过改变处理容器中驻波的状态来均匀地处理物体。 构成：处理容器（2）接收晶片（W）。 微波引入装置（3）在处理容器中引入微波，并且包括产生微波的多个磁控管（31）。 支撑装置（4）支撑布置在处理容器中的晶片。 气体供给装置（5）向处理容器供给气体。 排气装置（6）对处理容器进行减压和排气。 （22a，AA，BB，CC）气体通道; （27）温度测量单元; （31）磁控管; （34）循环器 （35）检测器; （36）调谐器; （37）虚拟负载; （40）高压电源单元; （5）供气装置; （6）排气装置; （8）控制单元; （93）电机;
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公开(公告)号：KR1020120096892A
公开(公告)日：2012-08-31
申请号：KR1020120017275
申请日：2012-02-21
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/324
CPC classification number: H01L21/67017 , H01L21/67109 , H01L21/67115 , H01L21/67248 , H05B6/806
Abstract: PURPOSE: A microwave irradiation apparatus is provided to separately control the temperature of a processed object by irradiating the processed object with microwaves. CONSTITUTION: A support supports a processed object. A processing gas introduction unit(106) introduces process gas. A microwave introduction unit introduces microwaves. A gas cooling unit(104) cools the processed object with cooling gas. A radiation thermometer(64) measures the temperature of the processed object. A temperature control unit(70) controls the temperature of the processed object by controlling a heating unit and the gas cooling unit based on the measured value of the radiation thermometer.
Abstract translation: 目的：提供微波照射装置，通过用加工对象的微波进行照射来分别控制被处理物的温度。 构成：支持支持处理对象。 处理气体导入部（106）引入处理气体。 微波引入单元引入微波。 气体冷却单元（104）用冷却气体冷却被处理物体。 辐射温度计（64）测量被处理物体的温度。 温度控制单元（70）通过基于辐射温度计的测量值控制加热单元和气体冷却单元来控制被处理物体的温度。
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公开(公告)号：KR1020150121668A
公开(公告)日：2015-10-29
申请号：KR1020150055074
申请日：2015-04-20
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/324 , H01L21/268
CPC classification number: H05B6/80 , H01L21/67115 , H01L21/6875 , H05B6/6408 , H05B6/645
Abstract: 피처리체에대해균일하고또한효율이좋은가열처리를행하는것이가능한마이크로파가열처리장치및 마이크로파가열처리방법을제공한다. 마이크로파가열처리장치(1)는, 상벽(11), 바닥벽(13) 및측벽부(12)를갖고, 웨이퍼(W)를수용하는처리용기(2)와, 웨이퍼(W)를가열처리하기위한마이크로파를생성하여상벽(11)에형성된하나내지복수의마이크로파도입포트(10)로부터처리용기(2)에도입하는마이크로파도입장치(3)와, 웨이퍼(W)에당접함으로써처리용기(2) 내에서상벽(11)에대향하는위치에웨이퍼(W)를유지하는유지부(15)를구비하고있다. 마이크로파가열처리장치(1)에서는, 유지부(15)에의해서, 바닥벽(13)의상면으로부터웨이퍼(W)의하면까지의거리 H1가, 마이크로파의파장λ에대해 H1
Abstract translation: 本发明提供一种微波加热装置和微波加热方法，其能够对被处理物进行均匀有效的加热。 本发明的微波加热装置（1）包括：处理容器（2），包括：顶壁（11）; 地板壁（13）; 和用于容纳晶片（W）的侧壁单元（12）; 微波引入单元（3），用于产生用于加热晶片（W）的微波并将其从形成在顶壁（11）上的一个或多个微波引入口（10）引入到处理容器（2）; 以及用于接触晶片（W）以将晶片（W）保持在处理容器（2）中面向顶壁（11）的位置的维持单元（15）。 微波加热装置（1）通过保持单元（15）将晶片（W）保持在第一高度位置进行加热，其中H1是从地板壁（13）的顶面到底部的距离 晶片（W）的表面对于作为微波的波长的λ满足H1 <λ/ 2，作为从顶壁（11）的底面到顶壁的顶面的距离的H2 晶片（W）对于作为微波波长的λ，满足3λ/ 4 <= H2 <λ。
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公开(公告)号：KR1020130028689A
公开(公告)日：2013-03-19
申请号：KR1020120099334
申请日：2012-09-07
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Inventor： 아시다미츠토시
IPC: H01L21/268
CPC classification number: H01J37/32192 , H01J37/32247 , H05H2001/4682
Abstract: PURPOSE: A microwave processing apparatus and a control method thereof are provided to improve impedance matching between process containers. CONSTITUTION: A process container(2) accommodates an object. A microwave introduction device(3) induces microwave to the process container. The object is processed by using microwave. A control unit(8) controls the microwave introduction device. Transmission lines send the microwave generated from microwave sources to the process container. [Reference numerals] (22b) Gas path; (27) Temperature measuring unit; (31) Magnetron; (34) Circulator; (35) Detector; (36) Tuner; (37) Dummy load; (40) High voltage power source unit; (5) Gas supply device; (6) Exhaust device; (8) Control unit; (93) Motor
Abstract translation: 目的：提供一种微波处理装置及其控制方法，以改善处理容器之间的阻抗匹配。 构成：处理容器（2）容纳物体。 微波引入装置（3）向处理容器引入微波。 物体通过微波处理。 控制单元（8）控制微波引入装置。 传输线将从微波源产生的微波发送到处理容器。 （22b）气路; （27）温度测量单元; （31）磁控管; （34）循环器 （35）检测器; （36）调谐器; （37）虚拟负载; （40）高压电源单元; （5）供气装置; （6）排气装置; （8）控制单元; （93）电机
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公开(公告)号：KR102027687B1
公开(公告)日：2019-10-01
申请号：KR1020180026650
申请日：2018-03-07
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Inventor： 아시다미츠토시
IPC: H01J37/32
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020150060567A
公开(公告)日：2015-06-03
申请号：KR1020140164252
申请日：2014-11-24
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/268 , H01L21/324
CPC classification number: H01L21/67115 , H05B6/6411 , H05B6/705 , H05B6/806
Abstract: 본발명은, 마이크로파가열처리장치에있어서, 반사파를억제하고, 마이크로파의이용효율이높은상태로기판에대해가열처리를행하는것을가능하게하는매칭방법및 마이크로파가열처리방법을제공한다. 스텝 S1에서는, 웨이퍼 W를제 1 높이위치로조정한다. 스텝 S2에서는, 웨이퍼 W를제 1 높이위치로유지한상태에서, 마그네트론(31)과처리용기(2)간의임피던스의매칭을행한다. 스텝 S3에서는, 웨이퍼 W의온도를지표로하여제 2 높이위치를결정한다. 스텝 S4에서는, 웨이퍼 W를제 2 높이위치로유지한상태에서, 재차임피던스의매칭을행한다. 스텝 S5에서는, 마이크로파도입장치(3)에의해서처리용기(2) 내에마이크로파를도입하고, 제 2 높이위치로유지한웨이퍼 W에대해마이크로파를조사하는것에의해가열처리를행한다.
Abstract translation: 在用于微波加热的装置中，提供一种匹配方法和加热微波的方法，该方法能够高效地抑制反射波并加热基板。 微波加热方法包括：将晶片（W）调整到第一高度位置的步骤（S1） 用于当晶片（W）保持在第一高度位置时匹配磁控管（31）和处理容器（2）之间的阻抗的步骤（S2） 用于基于所述晶片（W）的温度确定第二高度位置的步骤（S3）; 当所述晶片（W）保持在所述第二高度位置时，再次进行阻抗匹配的步骤（S4） 通过微波引入装置（3）将通过微波引入处理容器（2）的微波照射保持在第二高度位置的晶片（W）进行加热处理的步骤（S5）。
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公开(公告)号：KR101413933B1
公开(公告)日：2014-06-30
申请号：KR1020120099334
申请日：2012-09-07
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Inventor： 아시다미츠토시
IPC: H01L21/268
CPC classification number: H01J37/32192 , H01J37/32247 , H05H2001/4682
Abstract: 마이크로파 처리 장치(1)에 있어서 복수의 마이크로파원과 처리용기의 사이의 임피던스 정합의 정밀도를 향상시킨다. 마이크로파 처리 장치(1)는 웨이퍼 W를 수용하는 처리용기(2)와, 웨이퍼 W를 처리하기 위한 마이크로파를 생성해서 처리용기(2)에 도입하는 마이크로파 도입 장치(3)와, 마이크로파 도입 장치(3)를 제어하는 제어부(8)를 구비하고 있다. 마이크로파 도입 장치(3)는 마이크로파를 생성하는 복수의 마그네트론(31)과, 복수의 마그네트론(31)에 의해서 생성된 마이크로파를 처리용기(2)에 전송하는 복수의 도파관(32)을 갖고, 복수의 마이크로파를 동시에 처리용기(2)에 도입하는 것이 가능하다. 제어부(8)는 복수의 마이크로파를 동시에 처리용기(2)에 도입하는 제 1 상태가 지속되고 있는 동안에, 선택적 또한 일시적으로, 복수의 마그네트론(31) 중의 1개에 의하여 마이크로파를 생성하고, 이 마이크로파만을 처리용기(2)에 도입하는 제 2 상태로 전환한다.
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公开(公告)号：KR101411116B1
公开(公告)日：2014-06-25
申请号：KR1020120105582
申请日：2012-09-24
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Inventor： 아시다미츠토시
IPC: H01L21/268
CPC classification number: H01J37/32192 , H01J37/32311
Abstract: 마이크로파 처리 장치에 있어서 피처리체에 대해 균일한 처리를 실행한다. 마이크로파 처리 장치(1)는 웨이퍼 W를 수용하는 처리용기(2)와, 마이크로파 도입 장치(3)와, 제어부(8)를 구비하고 있다. 마이크로파 도입 장치(3)는 마이크로파를 생성하는 복수의 마그네트론(31)을 갖고, 제어부(8)는 웨이퍼 W를 처리하기 위한 상태가 계속되고 있는 동안에, 복수의 마그네트론(31)의 각각을 임의로 조합한 복수의 조합마다, 또한, 각 조합내에서 동기하여, 마이크로파를 생성하는 상태와 마이크로파를 생성하지 않는 상태가 교대로 복수회 반복되도록, 복수의 마그네트론(31)을 제어한다.
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公开(公告)号：KR101354355B1
公开(公告)日：2014-01-22
申请号：KR1020110092347
申请日：2011-09-14
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/22 , H01L21/324
CPC classification number: H05B6/68 , H01L21/324 , H01L21/67115 , H05B6/806 , H05B2206/04 , Y02B40/143
Abstract: 피처리체를 수용하는 챔버와, 마이크로파를 발생시키고, 그 마이크로파를 상기 챔버내의 피처리체에 조사하기 위한 복수의 마그네트론과, 상기 복수의 마그네트론에 펄스형상 전압을 공급하는 전원부를 구비하는 마이크로파 조사 장치가 제공된다. 상기 전원부는 상기 복수의 마그네트론에 각각 공급되는 펄스형상 전압의 전압 펄스끼리가 시간적으로 중첩되지 않도록 전압을 공급한다.
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公开(公告)号：KR1020120028275A
公开(公告)日：2012-03-22
申请号：KR1020110092347
申请日：2011-09-14
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/22 , H01L21/324
CPC classification number: H05B6/68 , H01L21/324 , H01L21/67115 , H05B6/806 , H05B2206/04 , Y02B40/143
Abstract: PURPOSE: A microwave irradiation apparatus and a microwave irradiation method thereof are provided to suppress interference between microwaves generated from a plurality of magnetrons, thereby preventing generation of reflected waves. CONSTITUTION: A chamber(1) stores a semiconductor wafer(W). A mounting pin(2) is located within the chamber. A plurality of magnetrons(10a,10b) projects microwaves on the semiconductor wafer within the chamber. A power supply part(20) supplies pulse shape voltage to the plurality of magnetrons. Circulators(11a,11b) and a dummy load(12) form an isolator for separating reflected microwaves.
Abstract translation: 目的：提供一种微波照射装置及其微波照射方法，以抑制由多个磁控管产生的微波之间的干涉，从而防止产生反射波。 构成：室（1）存储半导体晶片（W）。 安装销（2）位于室内。 多个磁控管（10a，10b）在室内的半导体晶片上投射微波。 电源部件（20）向多个磁控管提供脉冲形状电压。 循环器（11a，11b）和虚拟负载（12）形成用于分离反射微波的隔离器。
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