公开(公告)号：KR1020150060567A

公开(公告)日：2015-06-03

申请号：KR1020140164252

申请日：2014-11-24

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 홍석형 ,  아시다미츠토시 ,  미야가와요시히로 ,  고이즈미마사키

IPC: H01L21/268 ,  H01L21/324

CPC classification number: H01L21/67115 ,  H05B6/6411 ,  H05B6/705 ,  H05B6/806

Abstract: 본발명은, 마이크로파가열처리장치에있어서, 반사파를억제하고, 마이크로파의이용효율이높은상태로기판에대해가열처리를행하는것을가능하게하는매칭방법및 마이크로파가열처리방법을제공한다. 스텝 S1에서는, 웨이퍼 W를제 1 높이위치로조정한다. 스텝 S2에서는, 웨이퍼 W를제 1 높이위치로유지한상태에서, 마그네트론(31)과처리용기(2)간의임피던스의매칭을행한다. 스텝 S3에서는, 웨이퍼 W의온도를지표로하여제 2 높이위치를결정한다. 스텝 S4에서는, 웨이퍼 W를제 2 높이위치로유지한상태에서, 재차임피던스의매칭을행한다. 스텝 S5에서는, 마이크로파도입장치(3)에의해서처리용기(2) 내에마이크로파를도입하고, 제 2 높이위치로유지한웨이퍼 W에대해마이크로파를조사하는것에의해가열처리를행한다.

Abstract translation: 在用于微波加热的装置中，提供一种匹配方法和加热微波的方法，该方法能够高效地抑制反射波并加热基板。 微波加热方法包括：将晶片（W）调整到第一高度位置的步骤（S1） 用于当晶片（W）保持在第一高度位置时匹配磁控管（31）和处理容器（2）之间的阻抗的步骤（S2） 用于基于所述晶片（W）的温度确定第二高度位置的步骤（S3）; 当所述晶片（W）保持在所述第二高度位置时，再次进行阻抗匹配的步骤（S4） 通过微波引入装置（3）将通过微波引入处理容器（2）的微波照射保持在第二高度位置的晶片（W）进行加热处理的步骤（S5）。

公开(公告)号：KR1020140147018A

公开(公告)日：2014-12-29

申请号：KR1020140071472

申请日：2014-06-12

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 몬덴다이치 ,  시모무라고우지 ,  홍석형 ,  미야가와요시히로 ,  야마시타쥰 ,  이케다다로 ,  모토무라유키

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/687 ,  H05B6/70 ,  H05B6/74 ,  H05B6/80

CPC classification number: H05B6/74 ,  H01L21/67115 ,  H01L21/68742 ,  H01L21/68792 ,  H05B6/705 ,  H05B6/806 ,  H05B2206/044

Abstract: The present invention provides a microwave heating apparatus and a heating method, capable of uniformly and effectively heating an object to be processed. The microwave heating apparatus (1) includes a phase control unit (7) configured to change a phase of a standing wave of a microwave introduced into a process container (2) by a microwave introduction unit (3). The phase control unit (7) includes a recessed portion recessed more than an inner surface (13b) of a bottom portion (13) of the processing container (2). The phase control unit (3) is formed of the bottom portion (13), and a fixing plate (27) installed at a lower surface of the bottom portion (13) from the outer side of the process container (2). The phase of the standing wave in the process container (2) is changed by the incidence and reflection of the microwave in the recessed portion of the phase control unit (7) surrounded by a metallic wall.

Abstract translation: 本发明提供一种微波加热装置和加热方法，能够均匀有效地加热待加工物体。 微波加热装置（1）包括相位控制单元（7），其被配置为通过微波引入单元（3）改变引入到处理容器（2）中的微波的驻波的相位。 相位控制单元（7）包括比处理容器（2）的底部（13）的内表面（13b）凹陷的凹部。 相位控制单元（3）由底部（13）和从处理容器（2）的外侧安装在底部（13）的下表面处的固定板（27）形成。 处理容器（2）中的驻波的相位通过由金属壁包围的相位控制单元（7）的凹部中的微波的入射和反射而改变。