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公开(公告)号:KR1020120054636A
公开(公告)日:2012-05-30
申请号:KR1020127006745
申请日:2010-08-11
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/205 , H01L21/26
CPC classification number: H01L21/67115 , H01L21/68792
Abstract: 열처리 장치(100)는 웨이퍼 W를 수용하는 처리 용기(1)와, 처리 용기(1)내에서 웨이퍼 W를 수평으로 지지하는 기판 지지부(4)와, 처리 용기(1)의 위쪽에 설치된 램프 유닛(3)을 구비하고, 램프 유닛(3)은 베이스 부재(40)와, 베이스 부재(40)의 하면에, 선단을 하부를 향해 마련된 복수의 램프(45)와, 베이스 부재(40)의 하면에, 동심상이고 또한 아래쪽으로 돌출하도록 마련된 링형상의 복수의 리플렉터(41, 42, 43)와, 리플렉터(41, 42, 43)의 내부에 냉각 매체를 공급하는 냉각 헤드(47)를 갖고, 복수의 램프(45)의 적어도 일부는 리플렉터(41, 42, 43)를 따라 마련되어 있고, 리플렉터(41, 42, 43)의 내부에는 그 배치방향을 따라 링형상의 공간으로 이루어지는 냉각 매체 유로(68)가 형성되어 있다.
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公开(公告)号:KR101290051B1
公开(公告)日:2013-07-30
申请号:KR1020097020418
申请日:2008-03-26
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Inventor: 야마자키료지
IPC: B01D53/34 , C23C16/44 , H01L21/205
CPC classification number: C23C16/4412 , B01D2258/0216 , H01L21/67017
Abstract: 피처리체 W에 대해 처리를 실행하는 처리실(10)로부터의 배기 가스를 배출하는 배기로(22)에 마련되어, 배기 가스중으로부터 배기물을 포착하기 위한 트랩 장치에 있어서, 트랩 요소에 포착된 배기물을 효율 좋게 제거하여 트랩 요소를 재생할 수 있는 기술이 제공된다. 트랩 장치는 배기로에 개설되는 하우징(42)과, 하우징내에 마련되어 배기물을 포착하는 트랩 요소(48)와, 트랩 요소를 가열하는 트랩 가열 장치(54)와, 하우징내에 냉매를 도입하는 냉매 도입 장치(60)와, 하우징으로부터 냉매를 배출하기 위한 냉매 배출부(62)와, 트랩 요소에 의해 포착한 배기물을 제거하기 위해, 트랩 가열 장치에 의해 트랩 요소를 가열한 상태에서 냉매 도입 장치에 의해 상기 냉매를 하우징내에 도입하도록 제어하는 제어부(88)를 구비하고 있다.
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公开(公告)号:KR101332252B1
公开(公告)日:2013-11-22
申请号:KR1020120017275
申请日:2012-02-21
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/324
CPC classification number: H01L21/67017 , H01L21/67109 , H01L21/67115 , H01L21/67248 , H05B6/806
Abstract: 피처리체에 대하여 마이크로파를 조사하면서, 이와는 별개 독립적으로 피처리체의 온도 제어를 행할 수 있는 마이크로파 조사 장치를 제공한다. 피처리체(W)에 대하여 마이크로파를 조사하여 처리를 하는 마이크로파 조사 장치(2)는, 진공 배기가 가능하게 이루어진 처리 용기(4)와, 피처리체를 지지하는 지지대(6)와, 처리 가스를 도입하는 처리 가스 도입 수단(106)과, 마이크로파를 도입하는 마이크로파 도입 수단(72)과, 피처리체를 가열하는 가열 수단(16)과, 피처리체를 냉각 가스에 의해 냉각하는 가스 냉각 수단(104)과, 피처리체의 온도를 측정하는 방사 온도계(64)와, 방사 온도계의 측정치에 기초하여, 가열 수단과 가스 냉각 수단을 제어함으로써, 피처리체의 온도를 조정하는 온도 제어부(70)를 구비한다. 이에 따라, 피처리체에 대하여 마이크로파를 조사하면서 이와는 별개로 독립적으로 피처리체의 온도 제어를 행한다.
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公开(公告)号:KR1020140129301A
公开(公告)日:2014-11-06
申请号:KR1020147026992
申请日:2013-02-05
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H05B6/74 , H05B6/72 , H01L21/268
CPC classification number: H05B6/707 , H01L21/67115 , H01L21/6719 , H01L21/68792 , H05B6/6411 , H05B6/806 , H05B2206/044
Abstract: 마이크로파 가열 처리 장치(1)에서는, 어닐 처리 동안, 복수의 지지 핀(16)에 의해 웨이퍼 W를 지지하여, 회전 구동부(17)를 구동시키는 것에 의해, 웨이퍼 W를 수평 방향으로 소정의 속도로 회전시킨다. 복수의 지지 핀(16)은, 승강 구동부(18)를 구동시키는 것에 의해, 샤프트(14)와 함께 상하 방향으로 승강하여, 웨이퍼 W의 높이 위치를 가변으로 조절한다. 고전압 전원부(40)로부터 마그네트론(31)에 대해서 전압을 인가하여 마이크로파를 생성하고, 도파관(32), 투과창(33)을 거쳐서, 처리 용기(2)내에서 회전하는 웨이퍼 W의 상방의 공간에 도입한다. 처리 용기(2)에 도입된 마이크로파는, 회전하는 웨이퍼 W의 표면에 조사되어, 주울 가열, 자성 가열, 유도 가열 등의 전자파 가열에 의해, 웨이퍼 W가 신속히 가열된다.
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公开(公告)号:KR1020120096892A
公开(公告)日:2012-08-31
申请号:KR1020120017275
申请日:2012-02-21
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/324
CPC classification number: H01L21/67017 , H01L21/67109 , H01L21/67115 , H01L21/67248 , H05B6/806
Abstract: PURPOSE: A microwave irradiation apparatus is provided to separately control the temperature of a processed object by irradiating the processed object with microwaves. CONSTITUTION: A support supports a processed object. A processing gas introduction unit(106) introduces process gas. A microwave introduction unit introduces microwaves. A gas cooling unit(104) cools the processed object with cooling gas. A radiation thermometer(64) measures the temperature of the processed object. A temperature control unit(70) controls the temperature of the processed object by controlling a heating unit and the gas cooling unit based on the measured value of the radiation thermometer.
Abstract translation: 目的:提供微波照射装置,通过用加工对象的微波进行照射来分别控制被处理物的温度。 构成:支持支持处理对象。 处理气体导入部(106)引入处理气体。 微波引入单元引入微波。 气体冷却单元(104)用冷却气体冷却被处理物体。 辐射温度计(64)测量被处理物体的温度。 温度控制单元(70)通过基于辐射温度计的测量值控制加热单元和气体冷却单元来控制被处理物体的温度。
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公开(公告)号:KR1020100122893A
公开(公告)日:2010-11-23
申请号:KR1020107007170
申请日:2009-02-25
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Inventor: 야마자키료지
IPC: H01L21/677 , H01L21/68 , C23C16/44
CPC classification number: H01L21/67201 , C23C16/4412 , H01L21/67742 , H01L21/68714 , H01L21/68742 , H01L21/68785
Abstract: 본 발명의 로드락 장치(6,7)는, 진공의 반송실(5)에 대응하는 압력과 대기압 사이에서 압력을 변동할 수 있게 마련된 용기(31)와, 용기(31) 안의 압력을 반송실(5)에 대응하는 진공과 대기압으로 조정하는 압력 조정 기구(49)와, 용기(31) 안에 서로 대향하게 마련되고, 웨이퍼(W)에 근접 또는 접촉하여 웨이퍼(W)를 냉각하는 하부 쿨링 플레이트(32) 및 상부 쿨링 플레이트(33)와, 웨이퍼(W)를 하부 쿨링 플레이트(32)의 냉각 위치에 반송하는 웨이퍼 승강 핀(50) 및 구동 기구(53)와, 웨이퍼(W)를 상부 쿨링 플레이트(33)의 냉각 위치에 반송하는 웨이퍼 지지 부재(60) 및 구동 기구(63)를 구비한다.
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公开(公告)号:KR1020090125262A
公开(公告)日:2009-12-04
申请号:KR1020097020418
申请日:2008-03-26
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Inventor: 야마자키료지
IPC: B01D53/34 , C23C16/44 , H01L21/205
CPC classification number: C23C16/4412 , B01D2258/0216 , H01L21/67017
Abstract: Provided is a trap apparatus, which is disposed in an exhaust passage (22) for discharging an exhaust gas from a treating chamber (10) for treating a work (W), thereby to trap the exhaust from the exhaust gas, so that the exhaust trapped by a trap element can be efficiently eliminated to reproduce the trap element. The trap apparatus comprises a casing (42) disposed in the exhaust passage, a trap element (48) disposed in the casing for trapping the exhaust, a trap heating device (54) for heating the trap element, a coolant introducing device (60) for introducing a coolant into the casing, a coolant discharging unit (62) for discharging the coolant from the casing, and a control unit (88) for making a control to introduce the coolant from the coolant introducing device into the casing, while the trap element being heated by the trap heating device, so as to eliminate the exhaust trapped by the trap element.
Abstract translation: 提供一种捕集装置,其设置在用于从用于处理工件(W)的处理室(10)排出废气的排气通道(22)中,从而排出废气,从而排气 可以有效地消除由陷阱元件捕获的重现陷阱元件。 捕集装置包括设置在排气通道中的壳体(42),设置在壳体中用于捕集排气物的捕集元件(48),用于加热捕集元件的捕集器加热装置(54),冷却剂引入装置(60) 用于将冷却剂引入到壳体中,用于从壳体排出冷却剂的冷却剂排出单元(62),以及用于进行控制以将冷却剂从冷却剂引入装置引入壳体的控制单元(88) 元件由捕集器加热装置加热,以消除由捕集元件捕获的废气。
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