公开(公告)号：KR100747618B1

公开(公告)日：2007-08-09

申请号：KR1020067001393

申请日：2005-03-25

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 도시마다카유키 ,  신도나오키 ,  야노히로시 ,  츠루사키고타로

IPC: H01L21/304

CPC classification number: H01L21/67034 ,  H01L21/67028 ,  H01L21/67757 ,  Y10S134/902

Abstract: 본 발명의 기판 처리 장치(1)는 기판을 처리액에 의해 처리하는 처리조(3)와, 처리조(3) 위쪽에 배치된 건조 처리부(6)와, 처리조(3)와 건조 처리부(6) 사이에서 기판(W)을 이동시키는 이동 기구(8)를 구비하고 있다. 건조 처리부(6)에 처리 가스를 공급하는 처리 가스 공급 라인(21)과, 건조 처리부(6)에 불활성 가스를 공급하는 불활성 가스 공급 라인(24, 25)이 접속되어 있다. 또한 건조 처리부(6)에 건조 처리부(6)로부터 압출된 분위기를 배기하는 제1 배기 라인(26)과, 상기 건조 처리부(6)를 강제적으로 배기하는 제2 배기 라인(27)이 접속되어 있다.

公开(公告)号：KR1020070058017A

公开(公告)日：2007-06-07

申请号：KR1020077010946

申请日：2005-03-25

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 도시마다카유키 ,  신도나오키 ,  야노히로시 ,  츠루사키고타로

IPC: H01L21/304

CPC classification number: H01L21/67034 ,  H01L21/67028 ,  H01L21/67757 ,  Y10S134/902

Abstract: Substrate processing equipment (1) is provided with a treatment tank (3) for treating a substrate with a treatment liquid, a dry process part (6) arranged at an upper part of the treatment tank (3), and a transfer mechanism (8) for transferring the substrate (W) between the treatment tank (3) and the dry process part (6). A process gas supplying line (21) for supplying a process gas and inert gas supplying lines (24, 25) for supplying the dry process part (6) with an inert gas are connected to the dry process part (6). A first exhaust line (26) for exhausting an atmosphere pushed out from the dry process part (6) and a second exhaust line (27) for forcibly exhausting the dry process part (6) are connected to the dry process part (6).

Abstract translation: 基板处理设备（1）设置有用处理液处理基板的处理槽（3），设置在处理槽（3）的上部的干法处理部（6）和传送机构（8） ），用于将处理槽（3）和干法处理部（6）之间的基板（W）传送。 用于供给处理气体的工艺气体供给管线（21）和用于向干法处理部件（6）供给惰性气体的惰性气体供给管线（24,25）连接到干法部件（6）。 用于排出从干燥处理部分（6）推出的气氛的第一排气管线（26）和用于强制排出干燥处理部分（6）的第二排出管线（27）连接到干燥处理部分（6）。

公开(公告)号：KR100830485B1

公开(公告)日：2008-05-20

申请号：KR1020077010946

申请日：2005-03-25

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 도시마다카유키 ,  신도나오키 ,  야노히로시 ,  츠루사키고타로

IPC: H01L21/304

CPC classification number: H01L21/67034 ,  H01L21/67028 ,  H01L21/67757 ,  Y10S134/902

Abstract: 본 발명의 기판 처리 장치(1)는 기판을 처리액에 의해 처리하는 처리조(3)와, 처리조(3) 위쪽에 배치된 건조 처리부(6)와, 처리조(3)와 건조 처리부(6) 사이에서 기판(W)을 이동시키는 이동 기구(8)를 구비하고 있다. 건조 처리부(6)에 처리 가스를 공급하는 처리 가스 공급 라인(21)과, 건조 처리부(6)에 불활성 가스를 공급하는 불활성 가스 공급 라인(24, 25)이 접속되어 있다. 또한 건조 처리부(6)에 건조 처리부(6)로부터 압출된 분위기를 배기하는 제1 배기 라인(26)과, 상기 건조 처리부(6)를 강제적으로 배기하는 제2 배기 라인(27)이 접속되어 있다.
기판 처리 장치, 약액 처리, 린스액 처리, 건조 처리, 배기

公开(公告)号：KR100887364B1

公开(公告)日：2009-03-06

申请号：KR1020020071057

申请日：2002-11-15

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 니우야타카유키 ,  오리이타케히코 ,  모리히로유키 ,  야노히로시 ,  나카모리미츠노리

IPC: H01L21/304

CPC classification number: H01L21/31133 ,  G03F7/422 ,  H01L21/02063 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/67017 ,  H01L21/67028 ,  H01L21/76814

Abstract: 반도체기판 상에 첨착된 레지스트막과 폴리머층을 제거하는 방법이 개시된다. 전형적인 예로 과산화수소 용액과 같은 산화제를 포함하는 제1 처리액이 기판에 공급되어 레지스트막과 폴리머층의 상태를 변화시킨다. 이후, 전형적인 예로 디메틸산화황과 아민 용매를 포함하는 제2 처리액이 기판에 공급되어 레지스트막과 폴리머층을 용해시킴으로써 기판으로부터 제거한다. 폴리머층에 포함된 증착된 구리입자들도 또한 제거될 수 있다.
반도체기판, 레지스트, 폴리머, 산화, 용해, 습식세정, 비아홀, 증착금속

Abstract translation: 公开了一种去除压印在半导体衬底上的抗蚀剂膜和聚合物层的方法。 作为典型的例子，将含有氧化剂如过氧化氢溶液的第一处理液供应到基板以改变抗蚀剂膜和聚合物层的状态。 然后，作为典型例子，将包含草酸二甲酯和胺溶剂的第二处理液供给至基板，以通过溶解抗蚀剂膜和聚合物层从基板去除抗蚀剂膜和聚合物层。 包含在聚合物层中的沉积铜颗粒也可以被去除。

公开(公告)号：KR1020060030119A

公开(公告)日：2006-04-07

申请号：KR1020067001393

申请日：2005-03-25

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 도시마다카유키 ,  신도나오키 ,  야노히로시 ,  츠루사키고타로

IPC: H01L21/304

CPC classification number: H01L21/67034 ,  H01L21/67028 ,  H01L21/67757 ,  Y10S134/902

Abstract: Substrate processing equipment (1) is provided with a treatment tank (3) for treating a substrate with a treatment liquid, a dry process part (6) arranged at an upper part of the treatment tank (3), and a transfer mechanism (8) for transferring the substrate (W) between the treatment tank (3) and the dry process part (6). A process gas supplying line (21) for supplying a process gas and inert gas supplying lines (24, 25) for supplying the dry process part (6) with an inert gas are connected to the dry process part (6). A first exhaust line (26) for exhausting an atmosphere pushed out from the dry process part (6) and a second exhaust line (27) for forcibly exhausting the dry process part (6) are connected to the dry process part (6).

Abstract translation: 基板处理设备（1）设置有用处理液处理基板的处理槽（3），设置在处理槽（3）的上部的干法处理部（6）和传送机构（8） ），用于将处理槽（3）和干法处理部（6）之间的基板（W）传送。 用于供给处理气体的工艺气体供给管线（21）和用于向干法处理部件（6）供给惰性气体的惰性气体供给管线（24,25）连接到干法部件（6）。 用于排出从干燥处理部分（6）推出的气氛的第一排气管线（26）和用于强制排出干燥处理部分（6）的第二排出管线（27）连接到干燥处理部分（6）。

公开(公告)号：KR1020030041091A

公开(公告)日：2003-05-23

申请号：KR1020020071057

申请日：2002-11-15

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 니우야타카유키 ,  오리이타케히코 ,  모리히로유키 ,  야노히로시 ,  나카모리미츠노리

IPC: H01L21/304

CPC classification number: H01L21/31133 ,  G03F7/422 ,  H01L21/02063 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/67017 ,  H01L21/67028 ,  H01L21/76814

Abstract: PURPOSE: To provide a substrate processing method and its apparatus for removing resist and polymer layers without damaging the base film. CONSTITUTION: The substrate processing apparatus 1 for removing a resist film of a wafer W, a polymer layer, and metal attached at sputtering, includes a rotor 5 for holding the wafer W in a rotatable state, chambers 7 and 8 for storing the rotor 5 for holding the wafer W, a first process liquid feeding mechanism 25 for feeding a chamber 7 with a first process liquid for changing the film quality of the resist film and the polymer layer and oxidizing the attached metal, a second process liquid feed mechanism 35 for feeding a chamber 8 with a second process liquid for solving and lifting off the resist film, the polymer layer, and the oxidized metal, and a N2 gas feed source 55 for feeding an inert gas to the inside of the chamber 8 and changing the inside of the chamber 8 into a non-oxidized atmosphere.

Abstract translation: 目的：提供一种基板处理方法及其除去抗蚀剂和聚合物层而不损坏基膜的装置。 构成：用于去除晶片W，聚合物层和溅射时附着的金属的抗蚀剂膜的基板处理装置1包括用于将晶片W保持在可旋转状态的转子5，用于存储转子5的室7和8 用于保持晶片W的第一处理液体供给机构25，用于向室7供给用于改变抗蚀剂膜和聚合物层的膜质量并氧化附着金属的第一处理液;第二处理液体供给机构35，用于 用第二处理液供给室8，用于解决和剥离抗蚀剂膜，聚合物层和氧化金属，以及用于将惰性气体供给到室8的内部并改变内部的N 2气体供给源55 的室8进入非氧化气氛。