公开(公告)号：KR100747618B1

公开(公告)日：2007-08-09

申请号：KR1020067001393

申请日：2005-03-25

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 도시마다카유키 ,  신도나오키 ,  야노히로시 ,  츠루사키고타로

IPC: H01L21/304

CPC classification number: H01L21/67034 ,  H01L21/67028 ,  H01L21/67757 ,  Y10S134/902

Abstract: 본 발명의 기판 처리 장치(1)는 기판을 처리액에 의해 처리하는 처리조(3)와, 처리조(3) 위쪽에 배치된 건조 처리부(6)와, 처리조(3)와 건조 처리부(6) 사이에서 기판(W)을 이동시키는 이동 기구(8)를 구비하고 있다. 건조 처리부(6)에 처리 가스를 공급하는 처리 가스 공급 라인(21)과, 건조 처리부(6)에 불활성 가스를 공급하는 불활성 가스 공급 라인(24, 25)이 접속되어 있다. 또한 건조 처리부(6)에 건조 처리부(6)로부터 압출된 분위기를 배기하는 제1 배기 라인(26)과, 상기 건조 처리부(6)를 강제적으로 배기하는 제2 배기 라인(27)이 접속되어 있다.

公开(公告)号：KR1020060030119A

公开(公告)日：2006-04-07

申请号：KR1020067001393

申请日：2005-03-25

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 도시마다카유키 ,  신도나오키 ,  야노히로시 ,  츠루사키고타로

IPC: H01L21/304

CPC classification number: H01L21/67034 ,  H01L21/67028 ,  H01L21/67757 ,  Y10S134/902

Abstract: Substrate processing equipment (1) is provided with a treatment tank (3) for treating a substrate with a treatment liquid, a dry process part (6) arranged at an upper part of the treatment tank (3), and a transfer mechanism (8) for transferring the substrate (W) between the treatment tank (3) and the dry process part (6). A process gas supplying line (21) for supplying a process gas and inert gas supplying lines (24, 25) for supplying the dry process part (6) with an inert gas are connected to the dry process part (6). A first exhaust line (26) for exhausting an atmosphere pushed out from the dry process part (6) and a second exhaust line (27) for forcibly exhausting the dry process part (6) are connected to the dry process part (6).

Abstract translation: 基板处理设备（1）设置有用处理液处理基板的处理槽（3），设置在处理槽（3）的上部的干法处理部（6）和传送机构（8） ），用于将处理槽（3）和干法处理部（6）之间的基板（W）传送。 用于供给处理气体的工艺气体供给管线（21）和用于向干法处理部件（6）供给惰性气体的惰性气体供给管线（24,25）连接到干法部件（6）。 用于排出从干燥处理部分（6）推出的气氛的第一排气管线（26）和用于强制排出干燥处理部分（6）的第二排出管线（27）连接到干燥处理部分（6）。

公开(公告)号：KR1020070058017A

公开(公告)日：2007-06-07

申请号：KR1020077010946

申请日：2005-03-25

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 도시마다카유키 ,  신도나오키 ,  야노히로시 ,  츠루사키고타로

IPC: H01L21/304

CPC classification number: H01L21/67034 ,  H01L21/67028 ,  H01L21/67757 ,  Y10S134/902

Abstract: Substrate processing equipment (1) is provided with a treatment tank (3) for treating a substrate with a treatment liquid, a dry process part (6) arranged at an upper part of the treatment tank (3), and a transfer mechanism (8) for transferring the substrate (W) between the treatment tank (3) and the dry process part (6). A process gas supplying line (21) for supplying a process gas and inert gas supplying lines (24, 25) for supplying the dry process part (6) with an inert gas are connected to the dry process part (6). A first exhaust line (26) for exhausting an atmosphere pushed out from the dry process part (6) and a second exhaust line (27) for forcibly exhausting the dry process part (6) are connected to the dry process part (6).

Abstract translation: 基板处理设备（1）设置有用处理液处理基板的处理槽（3），设置在处理槽（3）的上部的干法处理部（6）和传送机构（8） ），用于将处理槽（3）和干法处理部（6）之间的基板（W）传送。 用于供给处理气体的工艺气体供给管线（21）和用于向干法处理部件（6）供给惰性气体的惰性气体供给管线（24,25）连接到干法部件（6）。 用于排出从干燥处理部分（6）推出的气氛的第一排气管线（26）和用于强制排出干燥处理部分（6）的第二排出管线（27）连接到干燥处理部分（6）。

公开(公告)号：KR100830485B1

公开(公告)日：2008-05-20

申请号：KR1020077010946

申请日：2005-03-25

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 도시마다카유키 ,  신도나오키 ,  야노히로시 ,  츠루사키고타로

IPC: H01L21/304

CPC classification number: H01L21/67034 ,  H01L21/67028 ,  H01L21/67757 ,  Y10S134/902

Abstract: 본 발명의 기판 처리 장치(1)는 기판을 처리액에 의해 처리하는 처리조(3)와, 처리조(3) 위쪽에 배치된 건조 처리부(6)와, 처리조(3)와 건조 처리부(6) 사이에서 기판(W)을 이동시키는 이동 기구(8)를 구비하고 있다. 건조 처리부(6)에 처리 가스를 공급하는 처리 가스 공급 라인(21)과, 건조 처리부(6)에 불활성 가스를 공급하는 불활성 가스 공급 라인(24, 25)이 접속되어 있다. 또한 건조 처리부(6)에 건조 처리부(6)로부터 압출된 분위기를 배기하는 제1 배기 라인(26)과, 상기 건조 처리부(6)를 강제적으로 배기하는 제2 배기 라인(27)이 접속되어 있다.
기판 처리 장치, 약액 처리, 린스액 처리, 건조 처리, 배기

公开(公告)号：KR100780789B1

公开(公告)日：2007-11-30

申请号：KR1020067004349

申请日：2005-03-30

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 츠루사키고타로 ,  다나카히로시 ,  도시마다카유키 ,  에시마가즈요시

IPC: H01L21/304

CPC classification number: H01L21/67086 ,  H01L21/6708

Abstract: 처리조(1) 내의 반도체 웨이퍼(W)의 좌우 양측에 각각, 복수의 처리액 공급 노즐(10)을 다른 높이에 설치한다. 각 노즐(10)의 토출구는 반도체 웨이퍼(W)를 향하고 있다. 미리 정해진 순서에 따라서, 선택된 하나 또는 복수의 노즐(10)로부터 처리액이 토출된다. 약액 처리를 하는 경우, 예컨대, 맨 처음에 최하단의 노즐(10)로부터 약액의 토출이 이루어지고, 그 후, 약액을 토출하는 노즐(10)을 순차 상측으로 위치를 바꿔간다. 처리조(1) 내의 약액을 린스액으로 치환하면서 린스 처리를 하는 경우에는 예컨대, 맨 처음에 최하단의 노즐(10)로부터 린스액의 토출이 이루어지고, 그 후, 모든 노즐(10)로부터 린스액을 토출한다. 이에 따라, 액 처리의 효율 및 균일성이 향상된다.

公开(公告)号：KR1020060064066A

公开(公告)日：2006-06-12

申请号：KR1020067004349

申请日：2005-03-30

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 츠루사키고타로 ,  다나카히로시 ,  도시마다카유키 ,  에시마가즈요시

IPC: H01L21/304

CPC classification number: H01L21/67086 ,  H01L21/6708

Abstract: Treatment liquid supply nozzles (10) are individually arranged on both left and right sides of a semiconductor wafer (W) in a treatment vessel (1). A discharge opening of each of the nozzles (10) faces the semiconductor wafer (W). According to a predetermined procedure, a treatment liquid is discharged from one or more selected nozzles (10). To perform chemical liquid treatment, for example, first a chemical liquid is discharged from nozzles (10) on the lowermost positions, and then nozzles (10) for discharging the chemical liquid are sequentially changed to upper ones. To perform rinse treatment while the chemical liquid in the treatment vessel (1) is replaced with a rinse liquid, for example, first the rinse liquid is discharged from the nozzles (10) on the lowermost positions, and then the rinse liquid is discharged from all the nozzles (10). By this, liquid treatment is improved in efficiency and uniformity.

Abstract translation: 处理液供给喷嘴（10）分别设置在处理容器（1）中的半导体晶片（W）的左右两侧。 每个喷嘴（10）的排出口面向半导体晶片（W）。 根据预定的步骤，从一个或多个选定的喷嘴（10）排出处理液。 为了进行化学液处理，例如首先从最低位置的喷嘴（10）排出化学液，然后将用于排出药液的喷嘴（10）顺序地变更为上方。 为了在处理容器（1）中的化学液体被冲洗液体更换的情况下进行冲洗处理，例如首先将冲洗液从最下方的喷嘴（10）排出，然后将冲洗液从 所有喷嘴（10）。 由此，提高了液体处理的效率和均匀性。