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公开(公告)号：KR100860683B1
公开(公告)日：2008-09-26
申请号：KR1020040074054
申请日：2004-09-16
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/318 , H01L21/205 , H01L21/324 , H01L21/336
CPC classification number: H01L21/0217 , C23C16/345 , C23C16/45531 , C23C16/45546 , H01L21/022 , H01L21/02271 , H01L21/3141 , H01L21/3185
Abstract: 본 발명의 과제는 불순물의 관통을 방지하는 것이 가능한 절연층을 형성할 수 있는 성막 방법을 제공하는 것이다.
표면에 SiO
2 막, 혹은 SiON막으로 이루어지는 베이스막이 형성되어 있는 복수매의 피처리체(W)에 성막을 실시하는 방법에 있어서, 복수매의 피처리체를 소정의 간격을 두고 다단으로 수용한 처리 용기 내에 디클로로실란, 헥사클로로디실란, 테트라클로로실란으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 어느 하나의 원료 가스와 암모니아 가스를 교대로 복수회 반복해서 공급하여 낮은 프로세스 온도에서 베이스막 상에 얇은 실리콘 질화막을 적층하도록 성막한다. 이에 의해, 적층 실리콘 질화막의 막질이 개선되어 불순물의 관통을 대폭으로 억제한다.
베이스막, 적층 실리콘 질화막, CVD 절연층, 반도체 웨이퍼-
公开(公告)号：KR1020050028321A
公开(公告)日：2005-03-22
申请号：KR1020040074054
申请日：2004-09-16
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/318 , H01L21/205 , H01L21/324 , H01L21/336
CPC classification number: H01L21/0217 , C23C16/345 , C23C16/45531 , C23C16/45546 , H01L21/022 , H01L21/02271 , H01L21/3141 , H01L21/3185
Abstract: A film forming method is provided to greatly control penetration of impurities and avoid a shift of a flat band voltage or deterioration of mobility by forming a thin silicon nitride layer. A plurality of objects to be processed are received at regular intervals in a receptacle. One of material gas selected from a group of a dichlorosilane, hexachlorodisilane and tetrachlorosilane and ammonia gas are alternatively and repeatedly supplied to stack a thin silicon nitride layer on a base layer at a low process temperature.
Abstract translation: 提供了一种成膜方法以大大地控制杂质的渗透，并通过形成薄的氮化硅层来避免平带电压的偏移或迁移率的劣化。 待处理的多个物体以规则的间隔接收在容器中。 交替地并且重复地提供选自二氯硅烷，六氯二硅烷和四氯硅烷和氨气中的一种材料气体，以在低的工艺温度下在基底层上堆叠薄的氮化硅层。
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公开(公告)号：KR1020060002805A
公开(公告)日：2006-01-09
申请号：KR1020057016676
申请日：2004-04-20
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/302 , H01L21/3065
CPC classification number: H01L21/31116
Abstract: A method for removing a silicon oxide film is disclosed which enables to efficiently remove a silicon oxide film such as a natural oxide film or a chemical oxide film at a temperature considerably higher than room temperature. In the method for removing a silicon oxide film formed on the surface of an object (W) to be processed within an evacuatable process chamber (18), the silicon oxide film is removed by using a mixed gas of HF gas and NH3 gas. By using the mixed gas of HF gas and NH3 gas, the silicon oxide film formed on the surface of the object can be efficiently removed.
Abstract translation: 公开了一种去除氧化硅膜的方法，其能够在远高于室温的温度下有效地除去氧化硅膜，例如天然氧化物膜或化学氧化物膜。 在除去在可抽空处理室（18）内待处理物体（W）的表面上形成的氧化硅膜的方法中，通过使用HF气体和NH 3气体的混合气体除去氧化硅膜。 通过使用HF气体和NH 3气体的混合气体，可以有效地除去形成在物体表面上的氧化硅膜。
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公开(公告)号：KR101046523B1
公开(公告)日：2011-07-04
申请号：KR1020057016676
申请日：2004-04-20
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/302 , H01L21/3065
CPC classification number: H01L21/31116
Abstract: 자연 산화막이나 케미컬 산화막 등의 실리콘 산화막을, 실온보다도 상당히 높은 온도 하에서 효율적으로 제거하는 것이 가능한 실리콘 산화막의 제거 방법을 제공한다.
진공화 가능하게 이루어진 처리 용기(18) 내에서, 피처리체(W)의 표면에 형성되어 있는 실리콘 산화막을 제거하기 위한 제거 방법에 있어서, HF 가스와 NH
3 가스의 혼합 가스를 이용하여 상기 실리콘 산화막을 제거한다. 이와 같이 HF 가스와 NH
3 가스의 혼합 가스를 이용함으로써, 피처리체의 표면에 형성되어 있는 실리콘 산화막을 효율적으로 제거하는 것이 가능해진다.
처리 용기, 피처리체, 케미컬 산화막, 실리콘 산화막, 열산화막Abstract translation: 一种氧化硅膜去除方法，其能够在远高于室温的温度下有效地去除诸如天然氧化物膜或化学氧化物膜的氧化硅膜。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020090124961A
公开(公告)日：2009-12-03
申请号：KR1020090046779
申请日：2009-05-28
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/302 , H01L21/324
CPC classification number: C03C23/0075
Abstract: PURPOSE: A method and a system for removing metal contaminant attached to a quartz member of a vertical annealing apparatus are provided to remove the metal contaminant attached to the quartz member by dipping the quartz member into a cleaning bath accommodating a cleaning solution. CONSTITUTION: A quartz member not installed in a vertical annealing apparatus is comprised. A diluted hydrofluoric acid cleaning is performed by cleaning the quartz member using a diluted hydrofluoric acid. A first deionized water cleaning is performed by cleaning the quartz member using deionized water. A hydrochloric acid cleaning is performed by cleaning the quartz member with hydrochloric acid. A second deionized water cleaning is performed by cleaning the quartz member with deionized water. An exhaust pipe(44) is arranged on the bottom of a cleaning bath(41) of a deionized water cleaning apparatus(4). A pump(45), a filter(46) and a valve(47) are installed in the exhaust pipe.
Abstract translation: 目的：提供一种用于去除垂直退火装置的石英构件附着的金属污染物的方法和系统，以通过将石英构件浸入容纳清洁溶液的清洁浴中来除去附着在石英构件上的金属污染物。 构成：未安装在垂直退火装置中的石英部件。 通过使用稀释的氢氟酸清洗石英构件来进行稀释的氢氟酸清洗。 首先通过使用去离子水清洗石英部件来进行去离子水清洗。 用盐酸清洗石英部件进行盐酸清洗。 通过用去离子水清洗石英构件进行第二次去离子水清洗。 排气管（44）布置在去离子水清洗装置（4）的清洗槽（41）的底部。 泵（45），过滤器（46）和阀（47）安装在排气管中。
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公开(公告)号：KR1020060002807A
公开(公告)日：2006-01-09
申请号：KR1020057016741
申请日：2004-04-20
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/205
CPC classification number: H01L21/67109 , C23C16/4405
Abstract: A method for cleaning a heat treatment apparatus is disclosed. In an evacuatable process chamber of the heat treatment apparatus, an SiO2film is formed on an object to be treated by using TEOS. The method comprises a cleaning step wherein an HF gas and an NH3 gas are supplied into the process chamber.
Abstract translation: 公开了一种清洗热处理设备的方法。 在热处理装置的可抽空处理室中，通过使用TEOS在待处理物体上形成SiO 2膜。 该方法包括清洗步骤，其中HF气体和NH 3气体被供应到处理室中。
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公开(公告)号：KR1020050109046A
公开(公告)日：2005-11-17
申请号：KR1020047018897
申请日：2004-03-25
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
CPC classification number: C23C16/4408 , C23C16/4404
Abstract: Disclosed is a method for cleaning a thin-film forming apparatus wherein a thin film is formed on an object to be processed by supplying a process gas into a reaction chamber in which the object is housed. The cleaning method comprises a purging step for purging the inside of the reaction chamber by supplying an activatable nitrogenous gas containing nitrogen into the reaction chamber. The purging step comprises a substep wherein the nitrogenous gas is activated for nitriding the surfaces of members within the reaction chamber.
Abstract translation: 公开了一种清洁薄膜形成装置的方法，其中通过将处理气体供应到容纳物体的反应室中，在待加工物体上形成薄膜。 清洗方法包括一个清洗步骤，用于通过向反应室中提供含有氮的可活化含氮气体来净化反应室的内部。 吹扫步骤包括一个子步骤，其中氮气被活化用于氮化反应室内的构件的表面。
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公开(公告)号：KR101184880B1
公开(公告)日：2012-09-20
申请号：KR1020090046779
申请日：2009-05-28
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/302 , H01L21/324
CPC classification number: C03C23/0075
Abstract: 본 발명은, 반도체 처리용 종형 열처리 장치의 반응관, 웨이퍼 보트, 보온통으로 이루어지는 군으로부터 선택된 석영 부재에 부착된 금속 오염 물질을 제거하는 것이다. 이 방법은, 상기 종형 열처리 장치에 설치되어 있지 않은 상태의 상기 석영 부재를 얻는 공정과, 다음에 상기 석영 부재를 희불산에 의해 세정하는 희불산 세정을 행하는 공정과, 다음에 상기 석영 부재를 순수에 의해 세정하는 제1 순수 세정을 행하는 공정과, 다음에 상기 석영 부재를 염산에 의해 세정하는 염산 세정을 행하는 공정과, 다음에 상기 석영 부재를 순수에 의해 세정하는 제2 순수 세정을 행하는 공정을 구비한다.
세정조, DHF 세정 장치, 순수 세정 장치, HCl 세정 장치, 석영 부재-
公开(公告)号：KR100779823B1
公开(公告)日：2007-11-28
申请号：KR1020047018897
申请日：2004-03-25
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
CPC classification number: C23C16/4408 , C23C16/4404
Abstract: 본 발명은 피처리체를 수용하는 반응실 내에 처리 가스를 공급하여 상기 피처리체에 박막을 형성하는 박막 형성 장치를 세정하는 방법이며, 상기 반응실 내에 질소를 포함하는 활성화 가능한 질소계 가스를 공급하여 상기 반응실 내를 퍼지하는 퍼지 공정을 구비한다. 상기 퍼지 공정은 상기 질소계 가스를 활성화시켜 상기 반응실 내의 부재의 표면을 질화시키는 공정을 구비한다.
박막 형성 장치, 질소계 가스, 퍼지 공정, 열처리 장치
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