公开(公告)号：KR1020110031273A

公开(公告)日：2011-03-25

申请号：KR1020107023541

申请日：2009-09-29

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 즈지노리히코 ,  모로이마사유키 ,  사와치아츠시 ,  가토스스무

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/31

CPC classification number: C23C16/45544 ,  B29C66/71 ,  C23C16/45517 ,  C23C16/45527 ,  C23C16/45551 ,  C23C16/45563 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02197 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/3141 ,  H01L21/31608 ,  H01L21/31691

Abstract: 본 발명은 진공 용기 내에서, 제1 반응 가스와 제2 반응 가스를 교대로 공급하여 배기하는 사이클을 복수회 실행함으로써, 기판의 표면에 박막을 성막하는 성막 장치에 있어서, 상기 진공 용기 내에 설치되고, 각각 기판의 배치 영역을 포함하는 복수의 하부 부재와, 상기 복수의 하부 부재의 각각에 대향하여 설치되며, 상기 배치 영역과의 사이에 처리 공간을 형성하는 복수의 상부 부재와, 상기 처리 공간 내에 가스를 공급하기 위한, 제1 반응 가스 공급부, 제2 반응 가스 공급부, 및, 상기 제1 반응 가스를 공급하는 타이밍과, 상기 제2 반응 가스를 공급하는 타이밍 사이에 퍼지 가스를 공급하기 위한 퍼지 가스 공급부와, 상기 처리 공간의 둘레 방향을 따라 형성되고, 그 처리 공간 내와 그 처리 공간의 외부인 상기 진공 용기 내의 분위기를 연통하기 위한 배기용 개구부와, 상기 처리 공간을, 상기 배기용 개구부 및 상기 진공 용기 내의 분위기를 통해 진공 배기하기 위한 진공 배기 수단을 구비한 것을 특징으로 하는 성막 장치이다.

公开(公告)号：KR101271800B1

公开(公告)日：2013-06-07

申请号：KR1020127020098

申请日：2009-09-29

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 즈지노리히코 ,  모로이마사유키 ,  사와치아츠시 ,  이와타테루오

IPC: H01L21/205

CPC classification number: C23C16/45544 ,  B29C66/71 ,  C23C16/45517 ,  C23C16/45527 ,  C23C16/45551 ,  C23C16/45563 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02197 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/3141 ,  H01L21/31608 ,  H01L21/31691

Abstract: 본 발명은 진공 용기 내에서, 제1 반응 가스와 제2 반응 가스를 교대로 공급하여 배기하는 사이클을 복수회 실행함으로써, 기판의 표면에 박막을 성막하는 성막 장치에 있어서, 상기 진공 용기 내에 설치되고, 각각 기판의 배치 영역을 포함하는 복수의 하부 부재와, 상기 복수의 하부 부재의 각각에 대향하여 설치되며, 상기 배치 영역과의 사이에 처리 공간을 형성하는 복수의 상부 부재와, 상기 처리 공간 내에 가스를 공급하기 위한, 제1 반응 가스 공급부, 제2 반응 가스 공급부, 및, 상기 제1 반응 가스를 공급하는 타이밍과, 상기 제2 반응 가스를 공급하는 타이밍 사이에 퍼지 가스를 공급하기 위한 퍼지 가스 공급부와, 상기 처리 공간의 둘레 방향을 따라 형성되고, 그 처리 공간 내와 그 처리 공간의 외부인 상기 진공 용기 내의 분위기를 연통하기 위� � 배기용 개구부와, 상기 처리 공간을, 상기 배기용 개구부 및 상기 진공 용기 내의 분위기를 통해 진공 배기하기 위한 진공 배기 수단을 구비한 것을 특징으로 하는 성막 장치이다.

Abstract translation: 一种成膜装置，通过在真空容器内交替地供给和排出第一反应气体和第二反应气体来进行基板的排气循环，从而在基板的表面形成薄膜， 多个下部构件，所述多个下部构件布置成面对所述多个下部构件中的每一个并且在所述下部构件和所述布置区域之间形成处理空间; 在用于供给第一反应气体的时刻和供给用于供给第一反应气体的第二反应气体的时刻之间供给吹扫气体的吹扫气体，第一反应气体供给部件，第二反应气体供给部件， 以及沿着处理空间的圆周方向形成并与处理空间外部的真空室内的大气连通的真空室 和用于排气的开口，一个膜形成处理空间的装置，其特征在于，它包括一个真空排气装置，用于通过在所述排气口的气氛中，并在真空容器抽真空。

公开(公告)号：KR100964042B1

公开(公告)日：2010-06-16

申请号：KR1020077028017

申请日：2007-03-30

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 이이즈카하치시로 ,  사코다도모유키 ,  오다나오후미 ,  즈지노리히코 ,  모로이마사유키

IPC: C23C16/455 ,  H01L21/31

CPC classification number: C23C16/45565 ,  C23C16/409 ,  C23C16/4557 ,  C23C16/45574 ,  H01L21/31691

Abstract: 성막장치는, 반도체 웨이퍼(W)를 수용하는 처리용기(2)와, 처리용기(2)내에 배치되고, 반도체 웨이퍼(W)가 탑재되는 탑재대(5)와, 이 탑재대(5)와 대향하는 위치에 마련되어, 처리용기(2)내로 처리가스를 토출하는 처리가스 토출기구로서의 샤워헤드(40)와, 처리용기(2)내를 배기하는 배기장치(101)를 구비하고, 샤워헤드(40)는, 처리가스가 도입되는 가스유로를 갖고 있고, 가스유로를 둘러싸도록 환형의 온도 조절실(400)을 갖는다.

公开(公告)号：KR1020080010448A

公开(公告)日：2008-01-30

申请号：KR1020077028017

申请日：2007-03-30

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 이이즈카하치시로 ,  사코다도모유키 ,  오다나오후미 ,  즈지노리히코 ,  모로이마사유키

IPC: C23C16/455 ,  H01L21/31

CPC classification number: C23C16/45565 ,  C23C16/409 ,  C23C16/4557 ,  C23C16/45574 ,  H01L21/31691

Abstract: A film forming apparatus comprising treatment vessel (2) for accommodating of semiconductor wafer (W); mounting table (5) disposed in the treatment vessel (2), on which the semiconductor wafer (W) is placed; shower head (40) as a treating gas emitting mechanism for emitting of treating gas into the treatment vessel (2), which shower head (40) is disposed in a position opposite to the mounting table (5); and exhauster (101) for exhausting of the interior of the treatment vessel (2), wherein the shower head (40) has a gas flow channel for introducing of treating gas and has circular temperature control chamber (400) disposed so as to surround the gas flow channel.

Abstract translation: 一种成膜装置，包括用于容纳半导体晶片（W）的处理容器（2） 设置在处理容器（2）中的安装台（5），其上放置有半导体晶片（W）; 淋浴头（40）作为处理气体发射机构，用于将处理气体排放到处理容器（2）中，该喷头（40）设置在与安装台（5）相对的位置; 和用于排出处理容器（2）内部的排气器（101），其中喷淋头（40）具有用于引入处理气体的气体流动通道，并且具有环形温度控制室（400） 气流通道。

公开(公告)号：KR101248654B1

公开(公告)日：2013-03-28

申请号：KR1020107023541

申请日：2009-09-29

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 즈지노리히코 ,  모로이마사유키 ,  사와치아츠시 ,  가토스스무

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/31

CPC classification number: C23C16/45544 ,  B29C66/71 ,  C23C16/45517 ,  C23C16/45527 ,  C23C16/45551 ,  C23C16/45563 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02197 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/3141 ,  H01L21/31608 ,  H01L21/31691

Abstract: 본 발명은 진공 용기 내에서, 제1 반응 가스와 제2 반응 가스를 교대로 공급하여 배기하는 사이클을 복수회 실행함으로써, 기판의 표면에 박막을 성막하는 성막 장치에 있어서, 상기 진공 용기 내에 설치되고, 각각 기판의 배치 영역을 포함하는 복수의 하부 부재와, 상기 복수의 하부 부재의 각각에 대향하여 설치되며, 상기 배치 영역과의 사이에 처리 공간을 형성하는 복수의 상부 부재와, 상기 처리 공간 내에 가스를 공급하기 위한, 제1 반응 가스 공급부, 제2 반응 가스 공급부, 및, 상기 제1 반응 가스를 공급하는 타이밍과, 상기 제2 반응 가스를 공급하는 타이밍 사이에 퍼지 가스를 공급하기 위한 퍼지 가스 공급부와, 상기 처리 공간의 둘레 방향을 따라 형성되고, 그 처리 공간 내와 그 처리 공간의 외부인 상기 진공 용기 내의 분위기를 연통하기 위한 배기용 개구부와, 상기 처리 공간을, 상기 배기용 개구부 및 상기 진공 용기 내의 분위기를 통해 진공 배기하기 위한 진공 배기 수단을 구비한 것을 특징으로 하는 성막 장치이다.

公开(公告)号：KR1020120101165A

公开(公告)日：2012-09-12

申请号：KR1020127020098

申请日：2009-09-29

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 즈지노리히코 ,  모로이마사유키 ,  사와치아츠시 ,  이와타테루오

IPC: H01L21/205

CPC classification number: C23C16/45544 ,  B29C66/71 ,  C23C16/45517 ,  C23C16/45527 ,  C23C16/45551 ,  C23C16/45563 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02197 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/3141 ,  H01L21/31608 ,  H01L21/31691

Abstract: 본 발명은 진공 용기 내에서, 제1 반응 가스와 제2 반응 가스를 교대로 공급하여 배기하는 사이클을 복수회 실행함으로써, 기판의 표면에 박막을 성막하는 성막 장치에 있어서, 상기 진공 용기 내에 설치되고, 각각 기판의 배치 영역을 포함하는 복수의 하부 부재와, 상기 복수의 하부 부재의 각각에 대향하여 설치되며, 상기 배치 영역과의 사이에 처리 공간을 형성하는 복수의 상부 부재와, 상기 처리 공간 내에 가스를 공급하기 위한, 제1 반응 가스 공급부, 제2 반응 가스 공급부, 및, 상기 제1 반응 가스를 공급하는 타이밍과, 상기 제2 반응 가스를 공급하는 타이밍 사이에 퍼지 가스를 공급하기 위한 퍼지 가스 공급부와, 상기 처리 공간의 둘레 방향을 따라 형성되고, 그 처리 공간 내와 그 처리 공간의 외부인 상기 진공 용기 내의 분위기를 연통하기 위한 배기용 개구부와, 상기 처리 공간을, 상기 배기용 개구부 및 상기 진공 용기 내의 분위기를 통해 진공 배기하기 위한 진공 배기 수단을 구비한 것을 특징으로 하는 성막 장치이다.