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公开(公告)号：KR102003058B1
公开(公告)日：2019-07-24
申请号：KR1020147018465
申请日：2012-11-09
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/3065 , H01L21/336 , H01L29/78
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公开(公告)号：KR1020140061558A
公开(公告)日：2014-05-21
申请号：KR1020147012364
申请日：2012-11-08
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H05H1/46 , C23C16/511 , H01L21/205 , H01L21/3065
CPC classification number: H01J37/32238
Abstract: 플라즈마 처리 장치용 이 유전체창은, 마이크로파를 플라즈마원으로 하는 플라즈마 처리 장치에 제공되고, 유전체창은 원판형이며, 마이크로파의 전파를 허용한다. 플라즈마 처리 장치용 유전체창은, 유전체창이 플라즈마 처리 장치에 제공될 때에 플라즈마가 생성되는 하면에 제공되며, 하면측에 개구를 갖고, 플라즈마 처리 장치용 유전체창의 판두께 방향으로 패인 오목부를 갖는다. 오목부는, 판두께 방향에 수직인 방향으로 연장되는 저면; 저면의 둘레 가장자리로부터 오목부의 개구측을 향하여 판두께 방향으로 연장되는 측면; 및 측면의 개구측의 둘레 가장자리로부터 오목부의 개구측을 향하여 판두께 방향에 대하여 경사져 연장되는 경사면을 갖는다.
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公开(公告)号：KR1020140119011A
公开(公告)日：2014-10-08
申请号：KR1020147018465
申请日：2012-11-09
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/3065 , H01L21/336 , H01L29/78
CPC classification number: H01L21/3065 , H01J37/32192 , H01L21/30621 , H01L21/31116 , H01L21/32136 , H01L21/32137 , H01L29/4916 , H01L29/665 , H01L29/6653 , H01L29/6656 , H01L29/6659
Abstract: 일 실시형태에서는, 표면에 Ni 및 Si를 포함하는 제1 층과, Si 및 N을 포함하는 제2 층이 노출된 피처리 기체에 있어서, 제2 층을 에칭하는 방법을 제공한다. 일 실시형태의 방법은, (a) 피처리 기체를 처리 용기 내에서 준비하는 공정과, (b) 처리 용기 내에 탄소 및 불소를 포함하고 산소를 포함하지 않는 제1 처리 가스를 공급하고, 상기 처리 용기 내에서 플라즈마를 발생시키는 공정을 포함한다.
Abstract translation: 示例性实施例提供了一种蚀刻待处理的基体中的第二层的方法，该第一层具有包含Ni和Si的第一层和暴露于其表面的含有Si和N的第二层。 根据示例性实施例的方法包括（a）在处理室中制备待处理的基体，以及（b）将含有碳和氟但不含氧的第一处理气体供应到处理室中并产生等离子体 处理室。
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公开(公告)号：KR101420078B1
公开(公告)日：2014-07-17
申请号：KR1020147012364
申请日：2012-11-08
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H05H1/46 , C23C16/511 , H01L21/205 , H01L21/3065
CPC classification number: H01J37/32238
Abstract: 플라즈마 처리 장치용 이 유전체창은, 마이크로파를 플라즈마원으로 하는 플라즈마 처리 장치에 제공되고, 유전체창은 원판형이며, 마이크로파의 전파를 허용한다. 플라즈마 처리 장치용 유전체창은, 유전체창이 플라즈마 처리 장치에 제공될 때에 플라즈마가 생성되는 하면에 제공되며, 하면측에 개구를 갖고, 플라즈마 처리 장치용 유전체창의 판두께 방향으로 패인 오목부를 갖는다. 오목부는, 판두께 방향에 수직인 방향으로 연장되는 저면; 저면의 둘레 가장자리로부터 오목부의 개구측을 향하여 판두께 방향으로 연장되는 측면; 및 측면의 개구측의 둘레 가장자리로부터 오목부의 개구측을 향하여 판두께 방향에 대하여 경사져 연장되는 경사면을 갖는다.
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