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1.发明公开증착 장치, 증착 장치의 제어 장치, 증착 장치의 제어 방법, 증착 장치의 사용 방법 및 분출구의 제조 방법 有权蒸发装置，控制蒸发装置的装置，控制蒸发装置的方法，使用蒸发装置的方法和制造吹气口的方法
公开(公告)号：KR1020090045393A
公开(公告)日：2009-05-07
申请号：KR1020097006201
申请日：2007-10-01
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
CPC classification number: C23C14/12 , C23C14/24 , C23C14/243 , C23C14/544 , H01L51/001 , H01L51/50 , Y10T29/49 , H01L21/3145 , H01L23/3733 , H01L2251/558
Abstract: 증착 장치(10)는, 증착원(210)과, 수송로(110e21)와, 분출 용기(110)와, 제 1 처리 용기(100)를 가진다. 수송로(110e21)는, 연결로(220e)를 거쳐 증착원(210)에 연결되고, 증착원(210)에서 기화된 성막 재료를 수송한다. 분출구(110e11)는, 메탈 포러스로 형성되고, 수송로(110e21)를 통하여 완충 공간(S)을 통과한 성막 재료를 분출한다. 제 1 처리 용기(100)는, 분출된 성막 재료에 의해 피처리체(G) 상에 성막 처리를 실시한다. 메탈 포러스로부터 균일성이 높은 기체 분자가 방출됨으로써, 피처리체(G)와 분출구(110e1)와의 간격을 짧게할 수 있다.
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公开(公告)号：KR1020100012818A
公开(公告)日：2010-02-08
申请号：KR1020090065911
申请日：2009-07-20
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
CPC classification number: C23C14/243 , C23C14/12 , C30B23/066
Abstract: PURPOSE: An evaporation unit, an evaporation method, a controller for the evaporation unit and a film forming apparatus are provided to form a film which has high quality by maintaining desired speed of forming the film. CONSTITUTION: An evaporation unit comprises: a material inserting unit(210) with a material container which has film formation material; an outer case(220) in which a material inserting unit is detachably mounted; a first heat member which directly heats the material container; and a carrier way(210c) which transfers film formation material which is evaporated by the heat of a first heating element.
Abstract translation: 目的：提供蒸发单元，蒸发方法，用于蒸发单元的控制器和成膜设备，以通过保持形成膜的所需速度来形成具有高质量的膜。 构成：蒸发单元包括：具有成膜材料的材料容器的材料插入单元（210）; 外壳（220），其中材料插入单元可拆卸地安装; 第一加热构件，其直接加热所述材料容器; 以及传送由第一加热元件的热量蒸发的成膜材料的载体方式（210c）。
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公开(公告)号：KR1020140126674A
公开(公告)日：2014-10-31
申请号：KR1020140047537
申请日：2014-04-21
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L51/56 , H01L21/302 , H01L21/205 , H01L21/3065
Abstract: The objective of the present invention is to remove organic matter existing on a surface of a substrate. According to one example of an embodiment, a cleaning method of an indium tin oxide (ITO) substrate includes: a process of introducing a process gas including an oxygen gas, an argon gas, and a nitrogen gas. Also, according to one example of the embodiment, the cleaning method of the ITO substrate includes a process of generating plasma by the process gas; and the cleaning method of the ITO substrate in one example of the embodiment includes a process of treating the ITO substrate by the plasma.
Abstract translation: 本发明的目的是去除存在于基材表面上的有机物质。 根据实施例的一个示例，铟锡氧化物（ITO）衬底的清洁方法包括：引入包括氧气，氩气和氮气的处理气体的方法。 此外，根据实施例的一个示例，ITO基板的清洁方法包括通过处理气体产生等离子体的工艺; 并且在本实施例的一个示例中的ITO基板的清洁方法包括用等离子体处理ITO基板的工艺。
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公开(公告)号：KR101149450B1
公开(公告)日：2012-05-25
申请号：KR1020090022100
申请日：2009-03-16
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Abstract: (과제) 재료 용기 내의 재료의 충전 밀도를 높인다.
(해결 수단) 증착원(100)은, 유기 재료(ma)를 수납하는 재료 용기(110)와, 재료 용기(110)에 수납된 유기 재료(ma)를 가열하는 히터(105)와, 복수의 관통공이 형성된 평판(115a)을 갖고, 평판(115a)의 압압면(pressing surface; 115a1)에 의해 재료 용기(110)에 수납된 유기 재료(ma)를 압압하면서, 히터(105)의 가열에 의해 기화한 유기 분자를 복수의 관통공에 통과시키는 압압 부재(115)와, 탄성력을 이용하여 압압 부재(115)에 의한 유기 재료(ma)로의 누름력을 완화하는 벨로우즈(120; bellows)를 구비한다.
증착원, 재료 용기, 관통공, 압압 부재-
公开(公告)号：KR1020110047254A
公开(公告)日：2011-05-06
申请号：KR1020117006888
申请日：2009-09-18
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
CPC classification number: C23C14/24 , C23C14/12 , C23C14/541 , C23C14/544 , C23C14/56
Abstract: 증착 장치(10)는, 재료 용기(110a)와 캐리어 가스 도입관(110b)을 갖고, 재료 용기(110a)에 수납된 성막 재료를 기화시켜, 캐리어 가스 도입관(110b)으로부터 도입된 제1 캐리어 가스에 의해 성막 재료의 기화 분자를 반송시키는 복수의 증착원 유닛(100)과, 복수의 증착원 유닛(100)에 연결되어, 각 증착원 유닛을 반송한 성막 재료의 기화 분자를 반송시키는 연결관(200)과, 연결관(200)에 연결되어, 제2 캐리어 가스를 연결관(200)에 직접 도입하는 바이패스관(300)과, 연결관(200)에 연결된 취출(吹出) 기구(400)를 내장하여, 제1 및 제2 캐리어 가스를 이용하여 반송시킨 성막 재료의 기화 분자를 취출 기구(400)로부터 취출시켜 내부에서 기판을 성막하는 처리 용기(Ch)를 갖는다.
Abstract translation: 蒸镀装置10具有材料容器110a和运载气体导入管110b，构成为使收容在材料容器110a内的成膜材料蒸发而形成第一载体 多个蒸发源单元（100），用于通过气体输送成膜材料的蒸发分子;多个蒸发源单元（100），连接到蒸发源单元 连接到连接管200并将第二载气直接引入到连接管200的旁路管300和连接到连接管200的吹送机构400， 以及处理腔室Ch，用于吸取通过使用来自取出机构400的第一和第二载气输送的成膜材料的气化分子，并在内部形成膜。
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公开(公告)号：KR101123706B1
公开(公告)日：2012-03-20
申请号：KR1020097020606
申请日：2008-02-27
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
CPC classification number: C23C14/545 , C23C14/228 , C23C14/246 , C23C14/56 , H01L51/001
Abstract: 성막 속도를 정밀도 높게 제어한다. 증착원(110)에서 기화된 성막 재료에 의해 기판(G)을 성막 처리하는 증착 장치(100)의 제어 장치(700)로서, 제어 장치(700)의 기억부(710)는 성막 속도와 캐리어 가스의 유량과의 관계를 나타낸 복수의 테이블을 기억한다. 테이블 선택부(750)는 프로세스 조건에 기초하여 기억부(710)에 기억된 복수의 테이블로부터 원하는 테이블을 선택한다. 성막 콘트롤러(200)는 성막 재료의 기화 속도를 검출하기 위한 QCM(180)으로부터 출력된 신호에 기초하여 기판(G)에의 성막 속도를 구한다. 캐리어 가스 조정부(760)는 기억부(710)에 기억된 테이블에 나타난 성막 속도와 캐리어 가스의 유량과의 관계를 나타내는 데이터를 이용하여, 성막 콘트롤러(200)에 의해 구해진 성막 속도와 목표로 하는 성막 속도와의 편차에 따라 원하는 성막 속도를 얻기 위해 캐리어 가스의 유량을 조정한다.
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7.发明授权증착 장치, 증착 장치의 제어 장치, 증착 장치의 제어 방법, 증착 장치의 사용 방법 및 분출구의 제조 방법 有权蒸发装置，用于控制蒸发装置的控制装置，用于控制蒸发装置的方法，使用蒸发装置的方法和制造吹气口的方法
公开(公告)号：KR101075131B1
公开(公告)日：2011-10-19
申请号：KR1020097006201
申请日：2007-10-01
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
CPC classification number: C23C14/12 , C23C14/24 , C23C14/243 , C23C14/544 , H01L51/001 , H01L51/50 , Y10T29/49
Abstract: 증착장치(10)는, 증착원(210)과, 수송로(110e21)와, 분출용기(110)와, 제 1 처리용기(100)를가진다. 수송로(110e21)는, 연결로(220e)를거쳐증착원(210)에연결되고, 증착원(210)에서기화된성막재료를수송한다. 분출구(110e11)는, 메탈포러스로형성되고, 수송로(110e21)를통하여완충공간(S)을통과한성막재료를분출한다. 제 1 처리용기(100)는, 분출된성막재료에의해피처리체(G) 상에성막처리를실시한다. 메탈포러스로부터균일성이높은기체분자가방출됨으로써, 피처리체(G)와분출구(110e1)와의간격을짧게할수 있다.
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公开(公告)号：KR101226518B1
公开(公告)日：2013-01-25
申请号：KR1020117006888
申请日：2009-09-18
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
CPC classification number: C23C14/24 , C23C14/12 , C23C14/541 , C23C14/544 , C23C14/56
Abstract: 증착 장치(10)는, 재료 용기(110a)와 캐리어 가스 도입관(110b)을 갖고, 재료 용기(110a)에 수납된 성막 재료를 기화시켜, 캐리어 가스 도입관(110b)으로부터 도입된 제1 캐리어 가스에 의해 성막 재료의 기화 분자를 반송시키는 복수의 증착원 유닛(100)과, 복수의 증착원 유닛(100)에 연결되어, 각 증착원 유닛을 반송한 성막 재료의 기화 분자를 반송시키는 연결관(200)과, 연결관(200)에 연결되어, 제2 캐리어 가스를 연결관(200)에 직접 도입하는 바이패스관(300)과, 연결관(200)에 연결된 취출(吹出) 기구(400)를 내장하여, 제1 및 제2 캐리어 가스를 이용하여 반송시킨 성막 재료의 기화 분자를 취출 기구(400)로부터 취출시켜 내부에서 기판을 성막하는 처리 용기(Ch)를 갖는다.
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公开(公告)号：KR1020100002078A
公开(公告)日：2010-01-06
申请号：KR1020090022100
申请日：2009-03-16
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Abstract: PURPOSE: A deposition source, a film forming apparatus, and a film forming method are provided to manufacture a liquid crystal display and form an organic film. CONSTITUTION: A deposition source comprises a material container(200), a heating member(105), a pressing member(115) and an elastic member. The container contains materials. The heating member heats the material accepted in the material container. The pressing member has a flat board in which a plurality of through-holes are formed. A pressing surface of the flat board presses the material accepted in the material container. The pressing member passes the material particles vaporized with the heating of the upper heating member through the through-holes. The elastic member releases the pressure of the pressing member on the material.
Abstract translation: 目的：提供沉积源，成膜装置和成膜方法来制造液晶显示器并形成有机膜。 构成：沉积源包括材料容器（200），加热构件（105），按压构件（115）和弹性构件。 容器包含材料。 加热构件加热材料容器中接受的材料。 按压构件具有形成有多个通孔的平板。 平板的按压面压迫容纳在材料容器中的材料。 按压构件使通过上述加热构件的加热而蒸发的材料粒子通过贯通孔。 弹性构件释放材料上的按压构件的压力。
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公开(公告)号：KR1020090116823A
公开(公告)日：2009-11-11
申请号：KR1020097020606
申请日：2008-02-27
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
CPC classification number: C23C14/545 , C23C14/228 , C23C14/246 , C23C14/56 , H01L51/001 , H01L51/5012
Abstract: [PROBLEMS] To accurately control a film forming speed. [MEANS FOR SOLVING PROBLEMS] A control apparatus (700) is provided for a deposition apparatus (100) which performs film forming process to a substrate (G) by using a film forming material evaporated at a deposition source (110). A storage section (710) of the control apparatus (700) stores a plurality of tables indicating relationships between the film forming speeds and carrier gas flow quantities. A table selecting section (750) selects a desired table from among the tables stored in the storage section (710), based on process conditions. A film formation controller (200) obtains a film forming speed for the substrate (G), based on a signal outputted from a QCM (180) for detecting the evaporating speed of the film forming material. A carrier gas adjusting section (760) uses data on the relationships between the film forming speeds and the carrier gas flow quantities indicated on the table stored in the storage section (710), and adjusts the flow quantity of the carrier gas to obtain a desired film forming speed, corresponding to the deviation between the film forming speed obtained by the film forming controller (200) and a target film forming speed.
Abstract translation: [问题]精确地控制成膜速度。 解决问题的手段对于通过使用在沉积源（110）蒸发的成膜材料对基板（G）进行成膜处理的沉积设备（100），设置有控制装置（700）。 控制装置（700）的存储部（710）存储表示成膜速度与载气流量之间的关系的多个表。 表格选择部分（750）基于处理条件从存储在存储部分（710）中的表格中选择期望的表格。 成膜控制器（200）基于从用于检测成膜材料的蒸发速度的QCM（180）输出的信号，获得基板（G）的成膜速度。 载气调整部（760）使用关于成膜速度与存储在存储部（710）中的工作台上指示的载气流量之间的关系的数据，调整载气的流量，得到期望的 成膜速度对应于由成膜控制器（200）获得的成膜速度与目标成膜速度之间的偏差。
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