Abstract:
증착 장치(10)는, 제 1 처리 용기(100)와 제 2 처리 용기(200)를 가지고, 제 1 처리 용기(100)에 내장된 분출기(110)와 제 2 처리 용기(200)에 내장된 증착원(210)은, 연결관(220)을 통해 서로 연결된다. 제 1 처리 용기(100)에는, 그 내부를 원하는 진공도까지 배기하는 배기 기구가 접속된다. 증착원(210)에 의해 기화된 유기 분자는, 연결관(220)을 통하여 분출기(110)로부터 분출되어 기판(G) 상에 흡착하고, 이에 의해 기판(G) 상에 박막이 형성된다. 제 2 처리 용기(200)와 제 1 처리 용기(100)를 별개로 설치함으로써, 성막 재료 보충시에 제 1 처리 용기(100) 내를 대기로 개방하는 일이 없으므로, 배기 효율을 높일 수 있다.
Abstract:
랩핑 가공에 의해 접촉면의 평활성을 유지하고, 그리고 접촉면을 대략 오목 형상으로 함으로써, 반도체 웨이퍼를 안정적으로 보유지지(holding)할 수 있는 시료대 및 당해 시료대를 구비한 마이크로파 플라즈마 처리 장치를 제공한다. 플라즈마 처리가 행해질 반도체 웨이퍼(W)를 보유지지하는 시료대(2)에 있어서, 랩핑 가공이 행해져 있고, 반도체 웨이퍼(W)가 면접촉하는 접촉면을 갖고, 당해 접촉면에 면접촉한 반도체 웨이퍼(W)를 흡착하는 흡착판과, 당해 흡착판의 비접촉면이 접착된 오목면을 갖는 지지 기판을 구비하고, 상기 오목면의 대략 중앙부의 깊이와, 당해 중앙부로부터 이격된 이격 부위의 깊이와의 차이는, 당해 중앙부에 접촉하는 부위에 있어서의 상기 흡착판의 두께와, 상기 이격 부위에 접촉하는 부위에 있어서의 상기 흡착판의 두께와의 차이보다도 크게 구성한다. 또한, 시료대(2)를 마이크로파 플라즈마 처리 장치에 구비한다.
Abstract:
[PROBLEMS] To continuously form a plurality of layers of film in a same processing container by reducing cross-contamination. [MEANS FOR SOLVING PROBLEMS] A deposition apparatus (10) is provided with a plurality of deposition sources (210) for vaporizing stored various film forming materials; a plurality of blow out mechanisms (110) for blowing out the film forming materials vaporized by the deposition sources (210) from a blow out port (Op); and one or more partitioning walls (120) for partitioning adjacent blow out mechanisms (110). The one or more partitioning walls (120) are arranged to satisfy the inequality of E
Abstract:
가스 공급 부재(11)는, 환상(annular shape)으로 연장되는 가스의 유로가 그 내부에 설치된 환상부(12)를 포함한다. 환상부(12)는, 가스를 공급하는 복수의 공급공(19)이 형성된 평판부(18)를 포함하는 환상의 제1 부재(13a)와, 제1 부재(13a)와의 사이에 가스의 유로가 되는 공간(14)을 형성하는 환상의 제2 부재(13b)를 구비한다.
Abstract:
증착 장치(10)는, 제 1 처리 용기(100)와 제 2 처리 용기(200)를 가지고, 제 1 처리 용기(100)에 내장된 분출기(110)와 제 2 처리 용기(200)에 내장된 증착원(210)은, 연결관(220)을 통해 서로 연결된다. 제 1 처리 용기(100)에는, 그 내부를 원하는 진공도까지 배기하는 배기 기구가 접속된다. 증착원(210)에 의해 기화된 유기 분자는, 연결관(220)을 통하여 분출기(110)로부터 분출되어 기판(G) 상에 흡착하고, 이에 의해 기판(G) 상에 박막이 형성된다. 제 2 처리 용기(200)와 제 1 처리 용기(100)를 별개로 설치함으로써, 성막 재료 보충시에 제 1 처리 용기(100) 내를 대기로 개방하는 일이 없으므로, 배기 효율을 높일 수 있다.
Abstract:
증착 장치(10)는, 증착원(210)과, 수송로(110e21)와, 분출 용기(110)와, 제 1 처리 용기(100)를 가진다. 수송로(110e21)는, 연결로(220e)를 거쳐 증착원(210)에 연결되고, 증착원(210)에서 기화된 성막 재료를 수송한다. 분출구(110e11)는, 메탈 포러스로 형성되고, 수송로(110e21)를 통하여 완충 공간(S)을 통과한 성막 재료를 분출한다. 제 1 처리 용기(100)는, 분출된 성막 재료에 의해 피처리체(G) 상에 성막 처리를 실시한다. 메탈 포러스로부터 균일성이 높은 기체 분자가 방출됨으로써, 피처리체(G)와 분출구(110e1)와의 간격을 짧게할 수 있다.
Abstract:
증착 장치(10)는, 제 1 처리 용기(100)와 제 2 처리 용기(200)를 가지고, 제 1 처리 용기(100)에 내장된 분출기(110)와 제 2 처리 용기(200)에 내장된 증착원(210)은, 연결관(220)을 통해 서로 연결된다. 제 1 처리 용기(100)에는, 그 내부를 원하는 진공도까지 배기하는 배기 기구가 접속된다. 증착원(210)에 의해 기화된 유기 분자는, 연결관(220)을 통하여 분출기(110)로부터 분출되어 기판(G) 상에 흡착하고, 이에 의해 기판(G) 상에 박막이 형성된다. 제 2 처리 용기(200)와 제 1 처리 용기(100)를 별개로 설치함으로써, 성막 재료 보충시에 제 1 처리 용기(100) 내를 대기로 개방하는 일이 없으므로, 배기 효율을 높일 수 있다.