증착원, 성막 장치 및 성막 방법
    2.
    发明授权
    증착원, 성막 장치 및 성막 방법 有权
    沉积源,膜形成装置和膜形成方法

    公开(公告)号:KR101149450B1

    公开(公告)日:2012-05-25

    申请号:KR1020090022100

    申请日:2009-03-16

    Abstract: (과제) 재료 용기 내의 재료의 충전 밀도를 높인다.
    (해결 수단) 증착원(100)은, 유기 재료(ma)를 수납하는 재료 용기(110)와, 재료 용기(110)에 수납된 유기 재료(ma)를 가열하는 히터(105)와, 복수의 관통공이 형성된 평판(115a)을 갖고, 평판(115a)의 압압면(pressing surface; 115a1)에 의해 재료 용기(110)에 수납된 유기 재료(ma)를 압압하면서, 히터(105)의 가열에 의해 기화한 유기 분자를 복수의 관통공에 통과시키는 압압 부재(115)와, 탄성력을 이용하여 압압 부재(115)에 의한 유기 재료(ma)로의 누름력을 완화하는 벨로우즈(120; bellows)를 구비한다.
    증착원, 재료 용기, 관통공, 압압 부재

    시료대 및 마이크로파 플라즈마 처리 장치
    3.
    发明授权
    시료대 및 마이크로파 플라즈마 처리 장치 有权
    样品台和微波等离子体处理设备

    公开(公告)号:KR101324589B1

    公开(公告)日:2013-11-01

    申请号:KR1020127010099

    申请日:2010-09-29

    CPC classification number: H01L21/68735 H01L21/6875

    Abstract: 랩핑 가공에 의해 접촉면의 평활성을 유지하고, 그리고 접촉면을 대략 오목 형상으로 함으로써, 반도체 웨이퍼를 안정적으로 보유지지(holding)할 수 있는 시료대 및 당해 시료대를 구비한 마이크로파 플라즈마 처리 장치를 제공한다. 플라즈마 처리가 행해질 반도체 웨이퍼(W)를 보유지지하는 시료대(2)에 있어서, 랩핑 가공이 행해져 있고, 반도체 웨이퍼(W)가 면접촉하는 접촉면을 갖고, 당해 접촉면에 면접촉한 반도체 웨이퍼(W)를 흡착하는 흡착판과, 당해 흡착판의 비접촉면이 접착된 오목면을 갖는 지지 기판을 구비하고, 상기 오목면의 대략 중앙부의 깊이와, 당해 중앙부로부터 이격된 이격 부위의 깊이와의 차이는, 당해 중앙부에 접촉하는 부위에 있어서의 상기 흡착판의 두께와, 상기 이격 부위에 접촉하는 부위에 있어서의 상기 흡착판의 두께와의 차이보다도 크게 구성한다. 또한, 시료대(2)를 마이크로파 플라즈마 처리 장치에 구비한다.

    증착 장치, 증착 방법 및 증착 장치의 제조 방법
    4.
    发明公开
    증착 장치, 증착 방법 및 증착 장치의 제조 방법 有权
    沉积装置,沉积方法和沉积装置制造方法

    公开(公告)号:KR1020090106649A

    公开(公告)日:2009-10-09

    申请号:KR1020097018192

    申请日:2008-01-30

    Inventor: 스도우켄지

    Abstract: [PROBLEMS] To continuously form a plurality of layers of film in a same processing container by reducing cross-contamination. [MEANS FOR SOLVING PROBLEMS] A deposition apparatus (10) is provided with a plurality of deposition sources (210) for vaporizing stored various film forming materials; a plurality of blow out mechanisms (110) for blowing out the film forming materials vaporized by the deposition sources (210) from a blow out port (Op); and one or more partitioning walls (120) for partitioning adjacent blow out mechanisms (110). The one or more partitioning walls (120) are arranged to satisfy the inequality of E

    Abstract translation: [问题]通过减少交叉污染在相同的处理容器中连续地形成多层膜。 解决问题的手段沉积装置(10)具有用于蒸发存储的各种成膜材料的多个沉积源(210) 用于从吹出口(Op)吹出由沉积源(210)蒸发的成膜材料的多个吹出机构(110); 以及一个或多个用于分隔相邻吹出机构(110)的分隔壁(120)。 一个或多个分隔壁(120)被布置成满足E <(G + T)×D×G / 2的不等式,其中,G是从每个分隔壁(120)到基板(W)的间隙,T是 从每个排出口(Op)到每个分隔壁(120)的上表面的高度,D是每个分隔壁的厚度,E是每个沉积源(210)的中心位置与中心位置之间的距离 的每个分隔壁(120)。 将沉积设备(10)的内部压力控制在0.01Pa以下,使得成膜材料的最长飞行距离设定为短于成膜材料的平均自由程。

    증착 장치, 증착 방법 및 증착 장치의 제조 방법
    5.
    发明授权
    증착 장치, 증착 방법 및 증착 장치의 제조 방법 有权
    沉积装置,沉积方法和沉积装置制造方法

    公开(公告)号:KR101212276B1

    公开(公告)日:2012-12-14

    申请号:KR1020097018192

    申请日:2008-01-30

    Inventor: 스도우켄지

    CPC classification number: C23C14/22 B01B1/005 C23C14/562

    Abstract: 크로스콘태미네이션을저감시키면서동일처리용기내에서복수층의막을연속적으로형성한다. 증착장치(10)는수납된상이한성막재료를각각기화시키는복수의증착원(210)과, 복수의증착원(210)에서기화된성막재료를분출구(Op)로부터분출하는복수의분출기구(110)와, 인접하는분출기구(110)를구획하는 1 또는 2 이상의격벽(120)을가지고있다. 1 또는 2 이상의격벽(120)은각 격벽(120)으로부터기판(W)까지의갭(G), 각분출구(Op)로부터각 격벽(120)의상면까지의높이(T), 각격벽의두께(D) 및각 증착원(210)의중심위치로부터각 격벽(120)의중심위치까지의거리(E)의관계가 E

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