公开(公告)号：KR101685148B1

公开(公告)日：2016-12-09

申请号：KR1020137014445

申请日：2011-12-06

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 이시카와히라쿠 ,  하야시테루유키

IPC: H01L51/52 ,  C23C16/54 ,  G09F13/22

CPC classification number: H01L51/5253 ,  C23C16/54 ,  G09F13/22

Abstract: 표시디바이스의임시밀봉체를대기중에폭로하여일시보관을행하는것이가능하며, 요구성능에따른각종막 구조를가지는표시디바이스의최종제품을얻을수 있어, 양호한스루풋을가지는표시디바이스제조장치, 표시디바이스의제조방법및 표시디바이스를제공한다. 제 1 밀봉막형성장치(27)에의해, 유기 EL 소자의표면에제 1 밀봉막이형성되고, 임시밀봉체가얻어진다. 이임시밀봉체는, LL(28)에의해감압공간으로부터대기압공간내에있는임시밀봉체보관부(29)로취출된다. 임시밀봉체는, 제 1 밀봉막에의해내투습성이확보된상태로임시밀봉체보관부(29)에일시보관된후, 타이밍을도모하여반송장치에의해, 각제 2 밀봉막형성부(6)의각 SiN막형성장치(30)로반송되고, 각 SiN막형성장치(30)에서임시밀봉체에제 2 밀봉막이형성된다.

Abstract translation: 公开了一种显示装置制造装置，其能够暴露于大气并临时存储显示装置的临时密封体，能够根据性能要求获得具有各种膜结构的显示装置最终产品，并且具有良好的生产能力; 还公开了显示装置制造方法和显示装置。 通过第一密封膜形成装置（27）在有机EL元件的表面上形成第一密封膜以获得临时密封体。 所述临时密封体通过LL（28）从减压空间提取到临时密封的体积存储单元（29），在大气压的空间中。 在通过第一密封膜确保耐湿性传递的状态下将临时密封体临时存储在临时密封体存放单元（29）中之后，所述临时密封体通过适当的时间由输送装置输送到SiN膜 第二密封膜形成单元（6）的形成装置（30），其中在临时密封体上形成第二密封膜。

公开(公告)号：KR1020150046045A

公开(公告)日：2015-04-29

申请号：KR1020157004373

申请日：2013-08-09

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 이시카와히라쿠

IPC: H01L51/56 ,  H01L21/318 ,  H01L21/02 ,  C23C16/34 ,  C23C16/452 ,  C23C16/455 ,  C23C16/511

CPC classification number: H01L51/56 ,  C23C16/345 ,  C23C16/452 ,  C23C16/455 ,  C23C16/45565 ,  C23C16/50 ,  C23C16/511 ,  C23C16/52 ,  H01L51/5253 ,  H01L51/5256 ,  H05B33/04 ,  H05B33/10 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/318

Abstract: 본실시형태의실리콘질화막의성막방법은, 처리용기내에수용된기판상에실리콘질화막을성막하는성막방법이다. 실리콘질화막의성막방법은, 처리용기내에실란계가스와, 질소가스및 수소가스또는암모니아가스를포함하는처리가스를공급한다. 실리콘질화막의성막방법은, 처리가스를여기시켜플라즈마를생성하고, 상기플라즈마에의한플라즈마처리를행하여기판상에실리콘질화막을성막한다. 실리콘질화막의성막방법은, 실리콘질화막의성막중 또는성막후에, 고주파전원의 ON/OFF를간헐적으로제어함으로써, 실리콘질화막의일부에대하여바이어스전계를인가한다.

公开(公告)号：KR101326166B1

公开(公告)日：2013-11-06

申请号：KR1020127033470

申请日：2011-06-16

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 이시카와히라쿠 ,  하야시테루유키

IPC: H01L51/56 ,  H05B33/04 ,  H05B33/10

CPC classification number: H01L33/44 ,  H01L33/005 ,  H01L51/5253 ,  H05B33/04

Abstract: 내투습성이 높은 밀봉막을, 종래 기술에 비해 보다 단시간 및 저코스트로 형성할 수 있는 밀봉막 형성 방법을 제공한다. 유기 EL 소자(12)를 밀봉하기 위한 밀봉막(13)을 형성하는 밀봉막 형성 방법에서, 유기 EL 소자(12)의 표면에 제 1 무기층(13a)을 형성하고, 제 1 무기층(13a) 상에 탄화수소층(13c)을 형성하고, 탄화수소층(13c)을 연화 또는 융해시킴으로써 평탄화시키고, 탄화수소층(13c)을 경화시키고, 탄화수소층(13c)을 경화시킨 후, 탄화수소층(13c) 상에 제 1 무기층(13a)보다 두꺼운 제 2 무기층(13e)을 형성한다.

公开(公告)号：KR101025821B1

公开(公告)日：2011-03-30

申请号：KR1020087029490

申请日：2007-07-04

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 이시카와히라쿠

IPC: H01L21/31 ,  H01L21/324

CPC classification number: H01L21/3146 ,  C23C16/26 ,  C23C16/56 ,  H01L21/3105

Abstract: 본 발명은, 기판 상에 성막된 후에, 가열을 수반하는 처리가 행해진 아모퍼스 카본막에 더 행해지는 후처리 방법으로서, 가열을 수반하는 처리의 직후에, 아모퍼스 카본막의 산화를 방지하는 처리가 행해지는 것을 특징으로 하는 아모퍼스 카본막의 후처리 방법이다.
아모퍼스, 카본막, 후처리, 산화

公开(公告)号：KR1020110027759A

公开(公告)日：2011-03-16

申请号：KR1020117000272

申请日：2009-06-30

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 이시카와히라쿠 ,  니시무라에이이치

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/027 ,  C23C16/34 ,  C23C16/26

CPC classification number: H01L21/31144 ,  C23C16/347 ,  C23C16/5096 ,  G03F7/091 ,  H01L21/02115 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/3146 ,  H01L21/318 ,  H01L21/205 ,  C23C16/26 ,  H01L21/0274

Abstract: 에칭 내성이 우수하고, 그리고 레지스트막의 노광시, 반사율의 저하가 가능한 어모퍼스 카본막을 형성한다. 반도체 장치의 제조 방법에서는, 웨이퍼 상에 에칭 대상막을 형성하는 공정, 처리 용기 내에 CO 가스 및 N
2 가스를 포함하는 처리 가스를 공급하는 공정, 공급된 CO 가스 및 N
2 가스로부터 어모퍼스 카본 나이트라이드막(330)을 성막하는 공정, 막(330) 상에 산화 실리콘막(335)을 형성하는 공정, 막(335) 상에 ArF 레지스트막(345)을 형성하는 공정, ArF 레지스트막(345)을 패터닝하는 공정, ArF 레지스트막(345)을 마스크로 하여 산화 실리콘막(335)을 에칭하는 공정, 산화 실리콘막(335)을 마스크로 하여 어모퍼스 카본 나이트라이드막(330)을 에칭하는 공정, 어모퍼스 카본 나이트라이드막(330)을 마스크로 하여 에칭 대상막을 에칭하는 공정을 갖는다.

公开(公告)号：KR1020090087466A

公开(公告)日：2009-08-17

申请号：KR1020097011467

申请日：2007-11-30

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 키쿠치요시유키 ,  코바야시야스오 ,  카와무라코헤이 ,  노자와토시히사 ,  이시카와히라쿠

IPC: C23C16/26 ,  H01L21/31 ,  H01L21/768 ,  H01L23/522

CPC classification number: H01L23/5329 ,  C23C16/26 ,  H01L21/0276 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/3146 ,  H01L21/76811 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/76835 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53295 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: Provided are an amorphous carbon film having a high elasticity and a low thermal contraction ratio with a suppressed specific dielectric constant, a semiconductor device provided with the film and a technology for forming the amorphous carbon film. The amorphous carbon film is formed by controlling an additive amount of Si (silicon) during film formation. Thus, the amorphous carbon film having a high elasticity and a low thermal contraction ratio with a suppressed specific dielectric constant of 3.3 or less is obtained. Therefore, troubles such as film peeling can be suppressed when the amorphous carbon film is used as a film that configures a semiconductor device. ® KIPO & WIPO 2009

Abstract translation: 提供具有高弹性和具有抑制的介电常数的低热收缩率的非晶碳膜，设置有该膜的半导体器件和用于形成无定形碳膜的技术。 无定形碳膜通过在成膜期间控制Si（硅）的添加量而形成。 因此，具有高的弹性和低的热收缩率，具有抑制的比介电常数为3.3以下的无定形碳膜。 因此，当将非晶碳膜用作构成半导体器件的膜时，可以抑制诸如膜剥离的问题。 ®KIPO＆WIPO 2009

公开(公告)号：KR101994164B1

公开(公告)日：2019-06-28

申请号：KR1020180074876

申请日：2018-06-28

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 하야시데루유키 ,  이시카와히라쿠

IPC: H01L51/52 ,  H01L21/02 ,  H01L51/56

公开(公告)号：KR1020120014589A

公开(公告)日：2012-02-17

申请号：KR1020117030057

申请日：2010-08-25

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 이시카와히라쿠 ,  오노유지 ,  하야시데루유키

IPC: C23C14/34

CPC classification number: C23C14/352 ,  H01J37/3408 ,  H01J37/3414

Abstract: 스퍼터링 처리 대상인 유기 박막이 성막된 기판에 대한, 스퍼터 공간으로부터의 광을 차광하여, 유기 박막 특성의 열화를 방지한 상태로 스퍼터링 처리를 행하는 스퍼터링 장치를 제공한다.
마주보게 배치되는 한쌍의 타겟 사이에 형성되는 스퍼터 공간의 측방에 배치되는 기판에 스퍼터링 처리를 행하는 스퍼터링 장치로서, 상기 한쌍의 타겟 사이에 전압을 인가하는 전원과, 상기 스퍼터 공간에 불활성 가스를 공급하는 가스 공급부와, 상기 스퍼터 공간과 상기 기판 사이에 배치되는 차광 기구를 포함하는 스퍼터링 장치가 제공된다.

公开(公告)号：KR101098314B1

公开(公告)日：2011-12-26

申请号：KR1020097020482

申请日：2008-02-26

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 이시카와히라쿠 ,  토베야스히로

IPC: H05H1/46 ,  H01L21/3065 ,  C23C16/511

CPC classification number: C23C16/511 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/3266

Abstract: 개시되는플라즈마처리장치는, 피처리체를수용하는처리용기와, 마이크로파를발생시키는마이크로파발생부와, 마이크로파발생부에서발생된마이크로파를처리용기를향해유도하는도파로와, 도파로에유도된마이크로파를처리용기를향해방사하는복수의마이크로파방사홀을가지는도체로이루어지는평면안테나와, 처리용기의천벽(天壁)을구성하고평면안테나의마이크로파방사홀을통과한마이크로파를투과하는, 유전체로이루어지는마이크로파투과판과, 처리용기내로처리가스를도입하는처리가스도입기구와, 평면안테나의상방에설치되어처리용기내에자계를형성하고당해자계에의해마이크로파에의해처리용기내에생성되는처리가스의플라즈마특성을제어하는자계형성부를구비한다.

公开(公告)号：KR100979716B1

公开(公告)日：2010-09-02

申请号：KR1020087020527

申请日：2007-02-23

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 노자와토시히사 ,  이시카와히라쿠

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/3065 ,  C23C16/26

CPC classification number: C23C16/26 ,  H01L21/02115 ,  H01L21/02205 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/3146

Abstract: 본 발명은, 처리 용기 내에 기판을 배치하는 공정과, 상기 처리 용기 내에 탄소와 수소와 산소를 포함하는 처리 가스를 공급하는 공정과, 상기 처리 용기 내의 기판을 가열함으로써 상기 처리 가스를 분해하고, 해당 기판 상에 비결정 탄소막을 퇴적하는 공정을 구비한 것을 특징으로 하는 비결정 탄소막의 성막 방법이다.