公开(公告)号：KR1020160111333A

公开(公告)日：2016-09-26

申请号：KR1020160029686

申请日：2016-03-11

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 마츠모토겐지 ,  이시자카다다히로 ,  창펑 ,  요코야마오사무 ,  사쿠마다카시 ,  나가이히로유키

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/02 ,  H01L21/285

Abstract: MnO막위에양호한표면상태의 Ru막을양호한성막성으로연속막으로서성막할수 있어서, 양호한매립성으로 Cu를매립한다. 표면에소정패턴의오목부(203)가형성된층간절연막(202)을갖는기판(W)에대해, 오목부(203)를매립하는 Cu 배선을제조할때에, MnO막(205)을 ALD에의해형성하는공정과, MnO막의표면에수소라디칼처리를실시하는공정과, 수소라디칼처리후의 MnO막의표면에 Ru막(206)을 CVD에의해형성하는공정과, Cu계막(207)을 PVD에의해형성하여오목부(203) 내에 Cu계막(207)을매립하는공정을구비하고, Ru막(206)을성막할때에, 핵형성이촉진되며, 또한표면평활성이높은상태로 Ru막(206)이성막되도록, MnO막(205)의성막조건및 수소라디칼처리의조건을규정한다.

Abstract translation: 本发明提供一种制造铜布线的方法，通过良好的成膜性能在MnO_x膜上形成具有良好表面状态的Ru膜作为连续膜，能够通过良好的掩埋性能掩埋Cu。 当Cu布线相对于具有层间绝缘膜（202）的衬底（W）埋入凹部（203），其中在表面上形成预定图案的凹部（203）时，该方法包括： 通过原子层沉积（ALD）形成MnO_x膜（205）; 在所述MnO_x膜（205）的表面上进行氢自由基处理的工序; 在氢自由基处理之后通过化学气相沉积（CVD）在MnO_x膜的表面上形成Ru膜（206）的工艺; 以及通过物理气相沉积（PVD）形成Cu基膜（207）以将Cu基膜（207）埋入凹部（203）中的工艺。 当形成Ru膜（206）时，限定MnO_x膜（205）的成膜条件和氢自由基加工条件，以促进核形成，并在高表面光滑度的状态下形成Ru膜（206）。