公开(公告)号：KR100987835B1

公开(公告)日：2010-10-13

申请号：KR1020087021309

申请日：2007-01-26

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 사쿠마다카시 ,  이케다다로 ,  요코야마오사무 ,  마츠다츠카사 ,  하타노다츠오 ,  미즈사와야스시

IPC: H01L21/285 ,  H01L21/203 ,  H01L21/3205 ,  C23C14/54

CPC classification number: C23C14/046 ,  C23C14/345 ,  H01J37/321 ,  H01J37/32935 ,  H01J37/3299 ,  H01J37/34 ,  H01L21/2855 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76862 ,  H01L21/76873 ,  H01L2221/1089

Abstract: 오버행 부분을 생기게 하지 않고 시드막을 형성할 수 있는 시드막의 성막 방법을 제공하는 것에 있다. 진공 흡인 가능하게 이루어진 처리 용기(24) 내에서 플라즈마에 의해 금속 타겟(70)을 이온화시켜 금속 이온을 발생시키고, 금속 이온을 처리 용기 내의 탑재대(34) 상에 탑재한 표면에 오목부(4)를 갖는 피처리체에 바이어스 전력에 의해 인입하여 오목부 내를 포함하는 피처리체의 표면에 금속막을 형성하는 것에 의해 도금용의 시드막을 형성하도록 한 시드막의 성막 방법에 있어서, 바이어스 전력을, 피처리체의 표면에 일단 형성된 금속막이 스퍼터링되지 않는 크기로 설정하여 금속막을 형성하는 성막 공정과, 금속 이온을 발생시키지 않고 금속막의 형성을 휴지하는 휴지 공정을 교대로 복수회 반복한다.

公开(公告)号：KR1020080094088A

公开(公告)日：2008-10-22

申请号：KR1020087021309

申请日：2007-01-26

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 사쿠마다카시 ,  이케다다로 ,  요코야마오사무 ,  마츠다츠카사 ,  하타노다츠오 ,  미즈사와야스시

IPC: H01L21/285 ,  H01L21/203 ,  H01L21/3205 ,  C23C14/54

CPC classification number: C23C14/046 ,  C23C14/345 ,  H01J37/321 ,  H01J37/32935 ,  H01J37/3299 ,  H01J37/34 ,  H01L21/2855 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76862 ,  H01L21/76873 ,  H01L2221/1089

Abstract: This invention provides a method for seed film formation that can form a seed film without forming any overhung part. A metal target (70) is ionized by plasma within a vacuum drawable treatment vessel (24) to generate metal ions. The metal ions are drawn by bias electric power into an object, to be treated, having on its surface a recess (4) mounted on a mount table (34) within the treatment vessel to form a metal film on the surface of the object including the inside of the recess and thus to form a seed film for plating. In this method, a film forming step of forming a metal film at a bias electric power set so that a metal film, which has been once formed on the surface of the object, is not sputtered, and an idle step of not generating any metal ion to halt the formation of a metal film are alternately repeated a plurality of times.

Abstract translation: 本发明提供了可以形成种子膜而不形成任何悬垂部分的种子膜形成方法。 金属靶（70）通过真空拉伸处理容器（24）内的等离子体离子化，以产生金属离子。 金属离子通过偏置电力被拉入待处理的物体中，在其表面上具有安装在处理容器内的安装台（34）上的凹部（4），以在物体的表面上形成金属膜，包括： 从而形成用于电镀的种子膜。 在该方法中，在不形成金属膜的偏置电力的情况下形成金属膜，使得一旦形成在物体的表面上的金属膜不被溅射，并且没有产生任何金属的空闲步骤 离子以停止金属膜的形成交替重复多次。

公开(公告)号：KR1020080090559A

公开(公告)日：2008-10-08

申请号：KR1020087021299

申请日：2007-02-09

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 사쿠마다카시 ,  이케다다로 ,  요코야마오사무 ,  마츠다츠카사 ,  하타노다츠오 ,  미즈사와야스시

IPC: H01L21/205 ,  C23C14/14

CPC classification number: C23C14/046 ,  H01J37/321 ,  H01J37/34 ,  H01L21/2855 ,  H01L21/76846 ,  H01L21/76877 ,  H01L21/76882 ,  H01L21/76883

Abstract: Provided is a technology of embedding a recessed section formed on the surface of a subject to be processed, such as a semiconductor wafer (W), especially a fine hole or a trench having a diameter or a width of 100nm or less, only by plasma sputtering, with a metal, especially copper. A film forming step of depositing a small quantity metal film in the recessed section and a diffusion step of moving the deposited metal film toward the bottom section of the recessed section are alternately performed plurality of times. In the film forming step, bias power to be applied to a placing table for supporting the wafer (W) is set so that on the surface of the wafer (W), the deposition rate of the metal deposition generated due to metal particle drawing is substantially balanced with the etching rate of sputter etching generated by plasma. In the diffusion step, the wafer (W) is maintained at a temperature which permits surface diffusion of the metal film deposited in the recessed section to be generated.

Abstract translation: 本发明提供一种将半导体晶片（W），特别是具有直径或宽度为100nm以下的细孔或沟槽的半导体晶片（W）的表面上形成的凹部嵌入仅通过等离子体 用金属，特别是铜溅射。 在凹部中沉积少量金属膜的成膜步骤和使沉积的金属膜向凹部的底部移动的扩散步骤交替进行多次。 在成膜步骤中，设置施加到用于支撑晶片（W）的放置台的偏置功率，使得在晶片（W）的表面上，由于金属粒子绘制而产生的金属沉积物的沉积速率为 基本上与由等离子体产生的溅射蚀刻的蚀刻速率平衡。 在扩散步骤中，晶片（W）保持在允许沉积在凹部中的金属膜的表面扩散以产生的温度。

公开(公告)号：KR1020160068668A

公开(公告)日：2016-06-15

申请号：KR1020150170395

申请日：2015-12-02

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 이시자카다다히로 ,  사쿠마다카시 ,  요코야마오사무 ,  유가이흥

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/285 ,  H01L21/02 ,  H01L21/203 ,  H01L21/205 ,  H01L21/762

CPC classification number: C23C14/34 ,  C23C14/046 ,  C23C14/165 ,  C23C14/24 ,  C23C14/54 ,  C23C16/52 ,  H01L21/2855 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/76846 ,  H01L23/528 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53266 ,  H01L23/53295 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 텅스텐을사용한배선에접촉하는 Cu 배선을형성하는프로세스에있어서, 비아저항의상승을억제하기위한 Cu 배선의형성방법을제공한다. 텅스텐배선(M0)에접촉해서배치되는기판 F에형성된오목부(트렌치)(203) 내에 Cu를매립해서 Cu 배선을형성하는 Cu 배선의형성방법이며, 텅스텐배선(M0)의표면에형성된텅스텐산화물을제거하는공정과, 오목부(203) 내의적어도텅스텐배선(M0)의표면에, 질화방지막(204)을성막하는공정과, 질화방지막(204) 위로부터, 오목부(203) 내의표면에, Cu의확산을방지하는배리어막(205)을성막하는공정과, 배리어막(205)의위에라이너막(206)을성막하는공정과, 라이너막(206) 위에 Cu 막(207)을매립하는공정을갖는다.

Abstract translation: 在形成Cu线的方法中，形成Cu线的方法抑制了使用钨接触线的Cu线的过程中的通孔电阻的增加。 形成Cu线的方法通过在形成在与钨线（M0）接触的基板F中的凹部（沟槽）203中填充Cu形成Cu线。 该方法包括以下步骤：消除钨线（M0）表面上形成的氧化钨; 在凹部（203）中至少在钨线（M0）的表面上生长抗氮化膜（204）; 生长阻挡膜（205），用于防止Cu从凹部（203）内的表面从抗蚀剂膜（204）的上部扩散; 在阻挡膜（205）上生长衬垫膜（206）; 以及在所述衬里线（206）上填充Cu膜（207）。

公开(公告)号：KR101481924B1

公开(公告)日：2015-01-12

申请号：KR1020137010785

申请日：2011-09-26

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 이시자카다다히로 ,  사쿠마다카시 ,  하타노다츠오 ,  요코야마오사무 ,  고미아츠시 ,  야스무로치아키 ,  후쿠시마도시히코 ,  도시마히로유키 ,  가와마타마사야 ,  미즈사와야스시 ,  가토다카라

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/768 ,  C23C14/021 ,  C23C14/024 ,  C23C14/14 ,  C23C14/345 ,  C23C14/3492 ,  C23C14/541 ,  C23C14/542 ,  H01J37/34 ,  H01L21/2855 ,  H01L21/76865 ,  H01L21/76873 ,  H01L21/76877 ,  H01L21/76882

Abstract: 처리 용기 내에서 플라즈마에 의해 금속의 타겟으로부터 금속 이온을 발생시켜 바이어스에 의해 인입하여 오목부가 형성되어 있는 피처리체에 금속의 박막을 퇴적시키는 성막 방법에 있어서, 타겟으로부터 금속 이온을 생성하고, 그 금속 이온을 바이어스에 의해 피처리체에 인입하여 오목부 내에 기초막을 형성하는 기초막 형성 공정과, 금속 이온을 발생시키지 않는 상태에서 바이어스에 의해 희가스를 이온화시킴과 아울러 발생한 이온을 피처리체에 인입하여 기초막을 에칭하는 에칭 공정과, 타겟을 플라즈마 스퍼터링하여 금속 이온을 생성하고, 그 금속 이온을 바이어스 전력에 의해 피처리체를 인입하여 금속막으로 이루어지는 본막을 퇴적하면서, 그 본막을 가열 리플로우시키는 성막 리플로우 공정을 갖는다.

公开(公告)号：KR1020140029289A

公开(公告)日：2014-03-10

申请号：KR1020130103099

申请日：2013-08-29

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 야스무로치아키 ,  사쿠마다카시 ,  요코야마오사무 ,  도시마히로유키 ,  하라마사미치 ,  한천수 ,  다카나시모리히로 ,  후지사토도시아키

IPC: H01L21/02 ,  H01J37/32

CPC classification number: H01L21/02041 ,  H01J37/32357 ,  H01J37/32422 ,  H01J37/32449 ,  H01J37/32862 ,  H01L21/02065

Abstract: The present invention relates to a plasma processing device comprising a processing vessel, a mounting tray, a remote plasma unit, a diffusion part, and an ion filter. The mounting tray is formed in the processing vessel. Excitation gas is generated by controlling the remote plasma unit to excite hydrogen containing gas. The exit of the excitation gas is formed at the remote plasma unit. The diffusion part is formed at the exit of the remote plasma unit and receives the excitation gas flowing from the exit for diffusing the active species of hydrogen with reduced amount of hydrogen ion. The ion filter is positioned between the diffusion part and the mounting tray and separated from the diffusion part. The ion filter traps hydrogen ion included in the active species of the hydrogen diffused by the diffusion part for passing the active species of the hydrogen with additionally reduced amount of the hydrogen ions. [Reference numerals] (26) Exhaustion device; (30) Direct current power circuit; (32) Heater power; (36) Cooler

Abstract translation: 等离子体处理装置技术领域本发明涉及一种等离子体处理装置，其包括处理容器，安装托盘，远程等离子体装置，扩散部件和离子过滤器。 安装托盘形成在处理容器中。 通过控制远程等离子体单元来激发含氢气体产生激发气体。 在远程等离子体单元处形成激发气体的出口。 扩散部分形成在远程等离子体单元的出口处，并接收从出口流出的激发气体，用于以减少量的氢离子扩散活性物质的氢。 离子过滤器位于扩散部分和安装托盘之间，并与扩散部分分离。 离子过滤器捕获由扩散部分扩散的氢的活性物质中包含的氢离子，用于使氢的活性物质进一步减少氢离子的量。 （附图标记）（26）耗尽装置; （30）直流电源电路; （32）加热器功率; （36）冷却器

公开(公告)号：KR1020170101138A

公开(公告)日：2017-09-05

申请号：KR1020170024037

申请日：2017-02-23

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 우라노도모나리 ,  노구치교헤이 ,  요코야마오사무 ,  고바야시다카시 ,  와카바야시사토시 ,  사쿠마다카시

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/285 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L21/28556 ,  C23C16/08 ,  C23C16/34 ,  C23C16/4404 ,  C23C16/45542 ,  C23C16/45555 ,  H01L21/28518 ,  H01L21/67196 ,  H01L21/67201 ,  H01L21/67393 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76862

Abstract: 본발명은플라즈마 CVD에의해웨이퍼상에 Ti막을성막함에있어, 막중에의 N 원자의취입을억제하는기술을제공하는것이다. 웨이퍼 W의 Si막(101)의표면에 Ti막(103)을성막한후, 처리용기(20) 중의 TiCl나 Cl를포함하는성분을제거함에있어 H가스의플라즈마를이용하고있다. 그때문에, Ti막(103) 중에서의 N의취입을억제할수 있다. 따라서, Ti막(103)과 Si막(101)의계면에있어서의 Ti의실리사이드화의반응이저해되지않는다. 또한, 웨이퍼 W를반출한후에있어서의 TiCl나 Cl를포함하는성분의제거를 H가스의플라즈마를이용하는것에의해, 처리용기(20) 중의 N를더 억제할수 있다. 또한, 처리용기(20)의내면에실시하는프리코트에서도 TiN막의표면을덮도록 Ti막을성막하는것에의해, 웨이퍼의 W 표면에 Ti막(103)을성막했을때의 Ti막(103) 중의 N의취입을억제할수 있다.

Abstract translation: 本发明提供了一种通过等离子体CVD在晶片上形成Ti膜时抑制N原子掺入膜中的技术。 在Ti膜103的晶片W Si膜101的表面上的膜形成之后，它是包含的TiCl或Cl中的处理容器20，以使用H气体的等离子体除去的成分。 因此，可以抑制Ti膜103中的N的摄入量。 因此，在Ti膜103和Si膜101之间的界面上Ti的硅化反应不受阻碍。 另外，通过在取出晶片W后除去包含TiCl和Cl的成分，能够利用H气的等离子体来抑制处理容器20内的N。 此外，自由Ti膜103 N个时在涂层具有通过形成Ti膜覆盖膜使得TiN膜表面，该膜形成在Ti薄膜103向处理容器的内表面上携带的晶片在W表面（20） 可以抑制吞咽。

公开(公告)号：KR101676903B1

公开(公告)日：2016-11-16

申请号：KR1020130103099

申请日：2013-08-29

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 야스무로치아키 ,  사쿠마다카시 ,  요코야마오사무 ,  도시마히로유키 ,  하라마사미치 ,  한천수 ,  다카나시모리히로 ,  후지사토도시아키

IPC: H01L21/02 ,  H01J37/32

CPC classification number: H01L21/02041 ,  H01J37/32357 ,  H01J37/32422 ,  H01J37/32449 ,  H01J37/32862 ,  H01L21/02065

Abstract: 일실시형태의플라즈마처리장치는처리용기, 탑재대, 리모트플라즈마유닛, 확산부, 및이온필터를구비한다. 탑재대는처리용기내에마련되어있다. 리모트플라즈마유닛은수소함유가스를여기시켜여기가스를생성한다. 리모트플라즈마유닛에는여기가스의출구가형성되어있다. 확산부는리모트플라즈마유닛의출구에면하도록마련되어있고, 해당출구로부터흘러나오는여기가스를받아, 수소이온의양이감소된수소의활성종을확산시킨다. 이온필터는확산부와탑재대의사이에위치하고, 또한, 확산부로부터이간하도록마련되어있다. 이온필터는확산부에의해확산된수소의활성종에포함되는수소이온을포착하여, 수소이온의양이더욱감소된수소의활성종을통과시킨다.

公开(公告)号：KR1020160111333A

公开(公告)日：2016-09-26

申请号：KR1020160029686

申请日：2016-03-11

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 마츠모토겐지 ,  이시자카다다히로 ,  창펑 ,  요코야마오사무 ,  사쿠마다카시 ,  나가이히로유키

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/02 ,  H01L21/285

Abstract: MnO막위에양호한표면상태의 Ru막을양호한성막성으로연속막으로서성막할수 있어서, 양호한매립성으로 Cu를매립한다. 표면에소정패턴의오목부(203)가형성된층간절연막(202)을갖는기판(W)에대해, 오목부(203)를매립하는 Cu 배선을제조할때에, MnO막(205)을 ALD에의해형성하는공정과, MnO막의표면에수소라디칼처리를실시하는공정과, 수소라디칼처리후의 MnO막의표면에 Ru막(206)을 CVD에의해형성하는공정과, Cu계막(207)을 PVD에의해형성하여오목부(203) 내에 Cu계막(207)을매립하는공정을구비하고, Ru막(206)을성막할때에, 핵형성이촉진되며, 또한표면평활성이높은상태로 Ru막(206)이성막되도록, MnO막(205)의성막조건및 수소라디칼처리의조건을규정한다.

Abstract translation: 本发明提供一种制造铜布线的方法，通过良好的成膜性能在MnO_x膜上形成具有良好表面状态的Ru膜作为连续膜，能够通过良好的掩埋性能掩埋Cu。 当Cu布线相对于具有层间绝缘膜（202）的衬底（W）埋入凹部（203），其中在表面上形成预定图案的凹部（203）时，该方法包括： 通过原子层沉积（ALD）形成MnO_x膜（205）; 在所述MnO_x膜（205）的表面上进行氢自由基处理的工序; 在氢自由基处理之后通过化学气相沉积（CVD）在MnO_x膜的表面上形成Ru膜（206）的工艺; 以及通过物理气相沉积（PVD）形成Cu基膜（207）以将Cu基膜（207）埋入凹部（203）中的工艺。 当形成Ru膜（206）时，限定MnO_x膜（205）的成膜条件和氢自由基加工条件，以促进核形成，并在高表面光滑度的状态下形成Ru膜（206）。

公开(公告)号：KR1020090006115A

公开(公告)日：2009-01-14

申请号：KR1020087025943

申请日：2007-04-10

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 사쿠마다카시 ,  요코야마오사무 ,  이케다다로 ,  하타노다츠오 ,  미즈사와야스시

IPC: H01L21/20

CPC classification number: C23C14/046 ,  C23C14/345 ,  C23C14/3471 ,  H01L21/2855 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76873 ,  H01L2221/1089

Abstract: An object (a semiconductor wafer (W), for example) having a recess formed in its surface is placed on a placing bed (34) disposed in a treating container (24) made evacuative. A plasma is then generated inside of the treating container (24), in which a metal target (70) is ionized by the plasma to produce metal ions. A bias electric power is fed to the placing bed (34), so that the metal ions are attracted by the fed bias electric power to the object placed on the placing bed (34), thereby to form a thin film on the surface of the object including the face in the recess. The magnitude of the bias electric power is varied within a range, in which the surface of the object is not substantially sputtered.

Abstract translation: 将其表面上形成有凹部的物体（例如，半导体晶片（W））配置在设置在排气处理容器（24）上的放置台（34）上。 然后在处理容器（24）的内部产生等离子体，其中金属靶（70）被等离子体电离以产生金属离子。 偏置电力被馈送到放置床（34），使得金属离子被馈送的偏置电力吸引到放置在放置床（34）上的物体上，从而在该位置的表面上形成薄膜 物体包括在凹槽中的脸。 偏置电力的大小在物体的表面基本不溅射的范围内变化。