公开(公告)号：KR102077348B1

公开(公告)日：2020-02-13

申请号：KR1020140020504

申请日：2014-02-21

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 츠루다도요히사

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/687 ,  H01L21/324

公开(公告)号：KR1020160000859A

公开(公告)日：2016-01-05

申请号：KR1020150088360

申请日：2015-06-22

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 하야시마사토 ,  츠루다도요히사 ,  가지와라마사유키

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/67

CPC classification number: C02F1/463 ,  C02F1/461 ,  C02F1/46104 ,  C02F2103/02 ,  C02F2201/461 ,  C02F2201/4612 ,  C02F2201/4617 ,  G03F7/3007 ,  G03F7/3021

Abstract: 본발명의과제는파티클의포집효율을충분히장기간에걸쳐서유지하는것이가능한처리액공급방법, 처리액공급장치및 기록매체를제공하는것이다. 본발명에관한처리액공급방법은, 기판에대해처리액을공급하기위한것으로서, 처리액에직류전압을인가하는공정과, 직류전압이처리액에인가된상태에있어서, 처리액중의 2점간의전위차를검출하는공정과, 검출된전위차가제1 기준값미만인경우에, 직류전압을증가시키는공정을포함한다.

Abstract translation: 本发明提供能够长时间充分地保持颗粒的收集效率的处理溶液供给方法，处理溶液供给装置和记录介质。 处理液的供给方法是将处理液供给到基板。 该方法包括以下步骤：向处理溶液施加DC电压; 在对所述处理溶液施加所述直流电压的状态下，检测所述处理溶液中的两点之间的电位差; 以及当检测到的电位差小于预定参考值时增加DC电压。

公开(公告)号：KR1020140106420A

公开(公告)日：2014-09-03

申请号：KR1020140020504

申请日：2014-02-21

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 츠루다도요히사

IPC: H01L21/324

CPC classification number: H01L21/67098 ,  H01L21/324 ,  H01L21/67242 ,  H01L21/68714

Abstract: Provided are an apparatus which promptly heats a substrate, a method therefor, and a recording medium. The substrate heat treatment apparatus (2) comprises: a heat plate (40); a heat plate rotating device (60); a substrate elevating device (70); and a control unit (21). The heat plate (40) comprises: a plate-shape unit which has flexibility and faces a horizontally arranged surface (Wa) of a wafer (W) by having a gap from the wafer; and a plurality of grooves with the spiral shape arranged beneath the plate-shape unit and extended from the center of the plate-shape unit toward the edge of the circumference. The control unit (21) controls the heat plate rotating device (60) to rotate the heat plate (40) in a direction that the groove is extended from the center of the plate-shape unit and the substrate elevating device (70) to closely dispose the wafer (W) and the heat plate (40).

Abstract translation: 提供了一种立即加热基板的装置，其方法和记录介质。 基板热处理装置（2）包括：加热板（40）; 热板旋转装置（60）; 基板升降装置（70）; 和控制单元（21）。 加热板（40）包括：板状单元，其通过与晶片间隔开而具有柔性并面向晶片（W）的水平布置表面（Wa）; 并且具有螺旋形状的多个凹槽布置在板形单元下方并且从板形单元的中心朝向圆周的边缘延伸。 控制单元（21）控制加热板旋转装置（60）使加热板（40）沿着从板形单元的中心延伸的方向和基板升降装置（70）旋转，以紧密地 设置晶片（W）和加热板（40）。

公开(公告)号：KR101197813B1

公开(公告)日：2012-11-05

申请号：KR1020080052573

申请日：2008-06-04

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 구도히로유키 ,  모리히데토 ,  오카다신지 ,  츠루다도요히사

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L21/67017

Abstract: 본 발명은 처리실을 밀폐시키지 않고서 처리실로부터의 가스의 누설을 방지하여, 기판 이면측에 가스가 감도는 것을 억제하는 것이다.
용기 본체(2)의 상부측 개구부를 덮개(3)로 덮음으로써 처리실(20)을 형성하고, 상기 처리실(20)의 중앙 상부로부터 상기 적재대(4) 상의 웨이퍼(W)에 처리 가스를 공급하는 한편, 처리 가스 배기로에 의해, 상기 웨이퍼(W)보다도 외측으로부터 처리실(20) 안을 배기한다. 또한 상기 용기 본체(2)의 주연부와 상기 덮개(3)의 주연부의 사이에 형성된 버퍼실(7)에 퍼지 가스 공급로(71)로부터 퍼지 가스를 공급한다. 상기 처리 가스의 공급 유량은 상기 처리 가스 배기로에서의 배기 유량보다 작게 설정되어 있기 때문에, 이들의 유량의 차에 의해 생긴 처리실(20) 내의 부압에 의해, 버퍼실(7) 내의 퍼지 가스가, 상기 용기 본체(2)와 덮개(3)의 간극으로 이루어지는 퍼지 가스 공급구(74)를 통해 처리실(20)에 인입된다.

公开(公告)号：KR1020090012049A

公开(公告)日：2009-02-02

申请号：KR1020080052573

申请日：2008-06-04

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 구도히로유키 ,  모리히데토 ,  오카다신지 ,  츠루다도요히사

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L21/67017

Abstract: A substrate processing device is provided to prevent the gas leakage within the process chamber by supplying the purge gas from the gap of the peripheral part of the process chamber into the process chamber. The upper side opening of the enclosure body(2) is covered with the cover(3). The process chamber(20) is for supplying the process gas to the wafer (W) on the loading table(4). The process gas exhaust duct(81) exhausts the gas within the process chamber. The buffer room(7) is formed between the peripheral part of the enclosure body and the peripheral part of cover. The fuzzy gas supply furnace(71) supplies the purge gas. The supply flux of the process gas is smaller than the exhaust flux of the process gas exhaust duct.

Abstract translation: 提供了一种衬底处理装置，用于通过将处理室的周边部分的间隙中的净化气体供应到处理室来防止处理室内的气体泄漏。 外壳主体（2）的上侧开口被盖（3）覆盖。 处理室（20）用于将处理气体供应到装载台（4）上的晶片（W）。 处理气体排出管道（81）排出处理室内的气体。 缓冲室（7）形成在外壳主体的周边部分和盖的周边部分之间。 模糊气体供给炉（71）供给净化气体。 工艺气体的供给通量小于工艺气体排气管的排气通量。