公开(公告)号：KR101200217B1

公开(公告)日：2012-11-09

申请号：KR1020110129465

申请日：2011-12-06

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 마츠오카노부아키 ,  타노우에미츠히로 ,  오카다신지

IPC: H01L21/027

CPC classification number: H01L21/67178 ,  H01L21/67184 ,  H01L21/67201 ,  H01L21/67745

Abstract: 본 발명은 도포, 현상장치 및 도포, 현상방법에 관한 것으로서 처리 블럭 (S2)는 도포막 형성용의 단위 블럭인 BCT층 (B3), COT층 (B4), TCT층 (B5)와 이들의 단위 블럭 (B3, B4, B5)에 적층된 현상 처리용의 단위 블럭인 DEV층 (B1, B2)를 구비하고 있다. 단위 블럭 (B1~B5)에 각 단위 블럭 (B1~B5)의 메인 아암 (A1~A5)의 사이에 웨이퍼(W)의 수수를 행하는 수수부와 웨이퍼(W)에 대해서 소수화 처리를 행하는 소수화 유니트로 이루어지는 수수부군 (G)가 설치되고 있다. 이 수수부와 소수화 유니트의 사이로 수수 아암 (D)에 의해 웨이퍼(W)가 수수된다. 이 경우, 소수화 유니트로의 웨이퍼(W)의 반송을 예를 들면 COT층 (B4)의 메인 아암 (A4)에 의해 행하지 않아도 좋기 때문에 상기 아암 (A4)의 부담이 경감해 반송의 수율이 향상하는 기술을 제공한다.

公开(公告)号：KR101197813B1

公开(公告)日：2012-11-05

申请号：KR1020080052573

申请日：2008-06-04

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 구도히로유키 ,  모리히데토 ,  오카다신지 ,  츠루다도요히사

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L21/67017

Abstract: 본 발명은 처리실을 밀폐시키지 않고서 처리실로부터의 가스의 누설을 방지하여, 기판 이면측에 가스가 감도는 것을 억제하는 것이다.
용기 본체(2)의 상부측 개구부를 덮개(3)로 덮음으로써 처리실(20)을 형성하고, 상기 처리실(20)의 중앙 상부로부터 상기 적재대(4) 상의 웨이퍼(W)에 처리 가스를 공급하는 한편, 처리 가스 배기로에 의해, 상기 웨이퍼(W)보다도 외측으로부터 처리실(20) 안을 배기한다. 또한 상기 용기 본체(2)의 주연부와 상기 덮개(3)의 주연부의 사이에 형성된 버퍼실(7)에 퍼지 가스 공급로(71)로부터 퍼지 가스를 공급한다. 상기 처리 가스의 공급 유량은 상기 처리 가스 배기로에서의 배기 유량보다 작게 설정되어 있기 때문에, 이들의 유량의 차에 의해 생긴 처리실(20) 내의 부압에 의해, 버퍼실(7) 내의 퍼지 가스가, 상기 용기 본체(2)와 덮개(3)의 간극으로 이루어지는 퍼지 가스 공급구(74)를 통해 처리실(20)에 인입된다.

公开(公告)号：KR1020090012049A

公开(公告)日：2009-02-02

申请号：KR1020080052573

申请日：2008-06-04

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 구도히로유키 ,  모리히데토 ,  오카다신지 ,  츠루다도요히사

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L21/67017

Abstract: A substrate processing device is provided to prevent the gas leakage within the process chamber by supplying the purge gas from the gap of the peripheral part of the process chamber into the process chamber. The upper side opening of the enclosure body(2) is covered with the cover(3). The process chamber(20) is for supplying the process gas to the wafer (W) on the loading table(4). The process gas exhaust duct(81) exhausts the gas within the process chamber. The buffer room(7) is formed between the peripheral part of the enclosure body and the peripheral part of cover. The fuzzy gas supply furnace(71) supplies the purge gas. The supply flux of the process gas is smaller than the exhaust flux of the process gas exhaust duct.

Abstract translation: 提供了一种衬底处理装置，用于通过将处理室的周边部分的间隙中的净化气体供应到处理室来防止处理室内的气体泄漏。 外壳主体（2）的上侧开口被盖（3）覆盖。 处理室（20）用于将处理气体供应到装载台（4）上的晶片（W）。 处理气体排出管道（81）排出处理室内的气体。 缓冲室（7）形成在外壳主体的周边部分和盖的周边部分之间。 模糊气体供给炉（71）供给净化气体。 工艺气体的供给通量小于工艺气体排气管的排气通量。

公开(公告)号：KR101849788B1

公开(公告)日：2018-04-17

申请号：KR1020120091730

申请日：2012-08-22

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 오카다신지 ,  시라이시마사토시 ,  데구치마사토시 ,  요시타카나오토 ,  스기하라신타로 ,  마츠나가마사타카

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/683

CPC classification number: H01L21/67092 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/67742 ,  H01L21/6838 ,  H01L21/68707

Abstract: 본발명은지지기판과접합된웨이퍼에휘어짐이나왜곡이생기는것을억제하는것을과제로한다. 피처리웨이퍼(W)와지지웨이퍼(S)를접합하는접합장치(30)는, 내부를밀폐가능한처리용기(100)와, 접착제를통해피처리웨이퍼(W)와지지웨이퍼(S)를눌러접합하는접합부(113)와, 접합부(113)에서접합된중합웨이퍼(T)를온도조절하는중합기판온도조절부로서의전달아암(120)을갖는다. 접합부(113) 및전달아암(120)은처리용기(100) 내에배치되어있다.

公开(公告)号：KR1020130029006A

公开(公告)日：2013-03-21

申请号：KR1020120091730

申请日：2012-08-22

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 오카다신지 ,  시라이시마사토시 ,  데구치마사토시 ,  요시타카나오토 ,  스기하라신타로 ,  마츠나가마사타카

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/683

CPC classification number: H01L21/67092 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/67742 ,  H01L21/6838 ,  H01L21/68707

Abstract: PURPOSE: A bonding apparatus, a bonding system, a bonding method and a computer storage medium are provided to prevent the warpage of a substrate. CONSTITUTION: A process chamber(100) is hermetically sealed. A bonding part(113) combines a wafer(W) with a support wafer(S). A polymerization wafer(T) is bonded to the bonding part. A polymerization wafer temperature control part adjusts the polymerization substrate. The bonding part and a transfer arm(120) are arranged in the process chamber.

Abstract translation: 目的：提供接合装置，接合系统，接合方法和计算机存储介质以防止基板翘曲。 构成：处理室（100）被气密密封。 接合部（113）将晶片（W）与支撑晶片（S）组合。 聚合晶片（T）结合到接合部分。 聚合晶片温度控制部分调节聚合基板。 接合部和传送臂（120）布置在处理室中。

公开(公告)号：KR1020120002958A

公开(公告)日：2012-01-09

申请号：KR1020110129465

申请日：2011-12-06

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 마츠오카노부아키 ,  타노우에미츠히로 ,  오카다신지

IPC: H01L21/027

CPC classification number: H01L21/67178 ,  H01L21/67184 ,  H01L21/67201 ,  H01L21/67745 ,  H01L21/0274

Abstract: PURPOSE: A coating developing device and method are provided to reduce the load of a returning member by installing a thermostat unit in around the hydrophobic unit and to improve returning efficiency by a returning means. CONSTITUTION: A processing block(S2) forms a coating film which includes a resist film. The processing block comprises a unit block for coating film formation and a unit block for a developing process. The unit block for the coating film formation and the unit block for the developing process comprise a liquid processing unit, a heating unit, and a returning member for a unit block. The returning member for the unit block returns a substrate to the liquid processing unit and the heating unit. A sending and receiving part group(G) is composed of a hydrophobic unit which executes a hydrophobic process about a sending and receiving part and a wafer.

Abstract translation: 目的：提供一种涂料显影装置和方法，通过将恒温器单元安装在疏水单元周围并通过返回装置提高返回效率来减少返回构件的负载。 构成：处理块（S2）形成包含抗蚀剂膜的涂膜。 处理块包括用于涂膜形成的单元块和用于显影过程的单元块。 用于涂膜形成的单元块和用于显影处理的单元块包括液体处理单元，加热单元和用于单位块的返回构件。 单元块的返回构件将基板返回到液体处理单元和加热单元。 发送和接收部分组（G）由执行关于发送和接收部分和晶片的疏水处理的疏水单元组成。