公开(公告)号：KR1020060113688A

公开(公告)日：2006-11-02

申请号：KR1020067008420

申请日：2004-11-03

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 토모야스마사유키 ,  펑크메리트레인 ,  핀토케빈오거스틴 ,  오다기리마사야 ,  천레무엘 ,  야마시타아사오 ,  이와미아키라 ,  타카하시히로유키

IPC: H01L21/02

CPC classification number: H01L21/67253 ,  C23C16/4405 ,  C25D11/02 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/67155 ,  H01L21/67207 ,  H01L21/67248 ,  H01L22/20

Abstract: A processing system and method for chemical oxide removal (COR) is presented, wherein the processing system comprises a first treatment chamber and a second treatment chamber, wherein the first and second treatment chambers are coupled to one another. The first treatment chamber comprises a chemical treatment chamber that provides a temperature controlled chamber, and an independently temperature controlled substrate holder for supporting a substrate for chemical treatment. The substrate is exposed to a gaseous chemistry, such as HF/NH3, under controlled conditions including surface temperature and gas pressure. The second treatment chamber comprises a heat treatment chamber that provides a temperature controlled chamber, thermally insulated from the chemical treatment chamber. The heat treatment chamber provides a substrate holder for controlling the temperature of the substrate to thermally process the chemically treated surfaces on the substrate.

Abstract translation: 提出了一种用于化学氧化物去除（COR）的处理系统和方法，其中处理系统包括第一处理室和第二处理室，其中第一和第二处理室彼此耦合。 第一处理室包括提供温度控制室的化学处理室和用于支撑用于化学处理的基板的独立温度控制的基板保持器。 在包括表面温度和气体压力的受控条件下，将基底暴露于气态化学物质，例如HF / NH 3。 第二处理室包括热处理室，其提供与化学处理室热绝缘的温度控制室。 热处理室提供用于控制基板的温度以热处理基板上化学处理的表面的基板保持器。

公开(公告)号：KR101176664B1

公开(公告)日：2012-08-23

申请号：KR1020067008420

申请日：2004-11-03

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 토모야스마사유키 ,  펑크메리트레인 ,  핀토케빈오거스틴 ,  오다기리마사야 ,  천레무엘 ,  야마시타아사오 ,  이와미아키라 ,  타카하시히로유키

IPC: H01L21/02

CPC classification number: H01L21/67253 ,  C23C16/4405 ,  C25D11/02 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/67155 ,  H01L21/67207 ,  H01L21/67248 ,  H01L22/20

Abstract: 화학적 산화물 제거(chemical oxide removal, COR)를 위한 처리 시스템 및 방법이 제공되며, 이 처리 시스템은 제1 처리 챔버 및 제2 처리 챔버를 포함하며, 제1 및 제2 처리 챔버는 서로 결합되어 있다. 제1 처리 챔버는 온도 제어 챔버 및 화학적 처리를 위한 기판을 지지하는 독립적인 온도 제어 기판 홀더를 제공하는 화학적 처리 챔버를 포함한다. 이 기판은 표면 온도 및 기체 압력을 비롯한 제어된 조건 하에서 HF/NH
3 등의 기체 화학에 노출된다. 제2 처리 챔버는 화학적 처리 챔버와 열적으로 절연되어 있는 온도 제어 챔버를 제공하는 열적 처리 챔버를 포함한다. 이 열적 처리 챔버는 기판 상의 화학적 처리된 표면을 열적으로 처리하기 위해 기판의 온도를 제어하기 위한 기판 홀더를 제공한다.
기판 처리, 화학적 처리 챔버, 열적 처리 챔버, 화학적 산화물 제거

公开(公告)号：KR1019970072182A

公开(公告)日：1997-11-07

申请号：KR1019970016362

申请日：1997-04-25

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 토모야스마사유키 ,  히모리신지

IPC: H01L21/31

Abstract: 본 발명의 플라즈마 에칭장치(2)는 샤워헤드(30)의 가스분출면(34)으로부터 불활성가스와 반응성가스를 공급함과 동시에, 이들 가스를 고주파방전을 통하여 플라즈마화하고, 이 플라즈마를 이용하여 서셉터(8)상의 반도체웨이퍼(W)에 대하여 에칭한다. 불활성가스는, 가스분출면(34)의 거의 전면에 걸쳐 형성된 불활성가스 분출구멍(34)으로부터 연속적으로 공급된다. 반응성가스는 가스분출면(34)의 거의 전면에 걸쳐 형성되고 또한 복수의 그룹으로 분할된 반응성 가스 분출구멍(3A~36D)으로부터 그룹마다 시분할적으로 반복하여 공급된다.

公开(公告)号：KR101240149B1

公开(公告)日：2013-03-11

申请号：KR1020117016777

申请日：2004-11-03

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 토모야스마사유키 ,  펑크메리트메인 ,  핀토케빈오거스틴 ,  오다기리마사야 ,  천레무엘 ,  야마시타아사오 ,  이와미아키라 ,  타카하시히로유키

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/00

CPC classification number: H01L21/67253 ,  C23C16/4405 ,  C25D11/02 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/67155 ,  H01L21/67207 ,  H01L21/67248 ,  H01L22/20

Abstract: 화학적 산화물 제거(chemical oxide removal, COR)를 위한 처리 시스템 및 방법이 제공되며, 이 처리 시스템은 제1 처리 챔버 및 제2 처리 챔버를 포함하며, 제1 및 제2 처리 챔버는 서로 결합되어 있다. 제1 처리 챔버는 온도 제어 챔버 및 화학적 처리를 위한 기판을 지지하는 독립적인 온도 제어 기판 홀더를 제공하는 화학적 처리 챔버를 포함한다. 이 기판은 표면 온도 및 기체 압력을 비롯한 제어된 조건 하에서 HF/NH
3 등의 기체 화학에 노출된다. 제2 처리 챔버는 화학적 처리 챔버와 열적으로 절연되어 있는 온도 제어 챔버를 제공하는 열적 처리 챔버를 포함한다. 이 열적 처리 챔버는 기판 상의 화학적 처리된 표면을 열적으로 처리하기 위해 기판의 온도를 제어하기 위한 기판 홀더를 제공한다.

公开(公告)号：KR1020110099321A

公开(公告)日：2011-09-07

申请号：KR1020117016777

申请日：2004-11-03

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 토모야스마사유키 ,  펑크메리트메인 ,  핀토케빈오거스틴 ,  오다기리마사야 ,  천레무엘 ,  야마시타아사오 ,  이와미아키라 ,  타카하시히로유키

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/00

CPC classification number: H01L21/67253 ,  C23C16/4405 ,  C25D11/02 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/67155 ,  H01L21/67207 ,  H01L21/67248 ,  H01L22/20

Abstract: 화학적 산화물 제거(chemical oxide removal, COR)를 위한 처리 시스템 및 방법이 제공되며, 이 처리 시스템은 제1 처리 챔버 및 제2 처리 챔버를 포함하며, 제1 및 제2 처리 챔버는 서로 결합되어 있다. 제1 처리 챔버는 온도 제어 챔버 및 화학적 처리를 위한 기판을 지지하는 독립적인 온도 제어 기판 홀더를 제공하는 화학적 처리 챔버를 포함한다. 이 기판은 표면 온도 및 기체 압력을 비롯한 제어된 조건 하에서 HF/NH
3 등의 기체 화학에 노출된다. 제2 처리 챔버는 화학적 처리 챔버와 열적으로 절연되어 있는 온도 제어 챔버를 제공하는 열적 처리 챔버를 포함한다. 이 열적 처리 챔버는 기판 상의 화학적 처리된 표면을 열적으로 처리하기 위해 기판의 온도를 제어하기 위한 기판 홀더를 제공한다.

公开(公告)号：KR100385532B1

公开(公告)日：2003-08-19

申请号：KR1019970016362

申请日：1997-04-25

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 토모야스마사유키 ,  히모리신지

IPC: H01L21/31

CPC classification number: H01J37/3244

Abstract: In a plasma etching apparatus, an inactive gas and a reactive gas are supplied from a gas spouting surface of a shower head, and are turned into plasma by means of RF discharge, so that a semiconductor wafer placed on a susceptor is etched by the plasma. The inactive gas is continuously supplied from inactive gas spouting holes formed all over the gas spouting surface. The reactive gas is supplied from reactive gas spouting holes, which are formed all over the gas spouting surface and divided into a plurality of groups, by repeatedly scanning the groups in a time-sharing manner.

Abstract translation: 在等离子体蚀刻装置中，从喷头的气体喷出面供给惰性气体和反应气体，通过RF放电使其成为等离子体，载置在基座上的半导体晶片被等离子体蚀刻 。 惰性气体从形成在气体喷出面上的惰性气体喷出孔连续供给。 通过以分时方式反复扫描组从反应气体喷射孔供应反应气体，所述反应气体喷射孔形成在整个气体喷射表面上并被分成多个组。

公开(公告)号：KR100342014B1

公开(公告)日：2002-09-18

申请号：KR1019970017031

申请日：1997-05-02

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 토모야스마사유키

IPC: H01L21/301

Abstract: 플라즈마 에칭 장치(2)는 처리 용기(4)내에 가스 배출 구멍(36)으로부터 불활성 가스와 반응성 가스를 공급함과 동시에, 이들 가스를 고주파 방전을 통해 플라즈마 상태로 하고, 이 플라즈마를 이용해서 서셉터(8)상의 반도체 웨이퍼 W에 대해 에칭을 행한다. 처리 용기(4)내에 고주파 유도 전계를 형성하기 위해, 처리 용기(4)의 측벽의 주위에 솔레노이드 코일(26)로 이루어진 안테나가 제공된다. 플라즈마의 침투 두께 영역내 전자의 평균 자유 행정을 제한하기 위해, 처리 용기(4)의 측벽으로부터 침투 두께 영역으로 돌출되도록 다수의 장벽(32A)이 제공된다. 장벽(32A)은 임의의 에칭 선택비를 얻기 위해, 반응성 가스의 해리가 과도하게 진행되는 것을 억제하도록 침투 두께 영역내의 저 에너지 전자의 밀도를 저하시킨다.

公开(公告)号：KR1019970077302A

公开(公告)日：1997-12-12

申请号：KR1019970017031

申请日：1997-05-02

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 토모야스마사유키

IPC: H01L21/301

Abstract: 플라즈마 에칭 장치(2)는 처리 용기(4)내에 배출 구멍(36)으로부터 비활성 가스와 반응성 가스를 공급하고 이와 동시에, 이들 가스를 고주파 방전을 통해 플라즈마 상태로 하고, 이 플라즈마를 이용해서 서셉터(8)상의 반도체 웨이퍼 W에 대해 에칭을 행한다. 처리 용기(4)내에 고주파 유도 전계를 형성하기 위해, 처리 용기(4)의 측벽의 주위에 솔레노이드 코일(26)로 이루어진 안테나가 제공된다. 플라즈마의 스킨 깊이 영역내의 전자의 평균 자유 행정을 제한하기 위해, 처리 용기(4)의 측벽으로부터 스킨 깊이 영역에 돌출되도록 다수의 장벽(32A)이 제공된다. 장벽(32A)은 임의의 에칭 선택비를 얻기 위해, 반응성 가스의 해리가 과도하게 진행되는 것을 억제하도록 스킨 깊이 영역내의 저 에너지 전자의 밀도를 저하시킨다.