公开(公告)号：KR101176664B1

公开(公告)日：2012-08-23

申请号：KR1020067008420

申请日：2004-11-03

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 토모야스마사유키 ,  펑크메리트레인 ,  핀토케빈오거스틴 ,  오다기리마사야 ,  천레무엘 ,  야마시타아사오 ,  이와미아키라 ,  타카하시히로유키

IPC: H01L21/02

CPC classification number: H01L21/67253 ,  C23C16/4405 ,  C25D11/02 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/67155 ,  H01L21/67207 ,  H01L21/67248 ,  H01L22/20

Abstract: 화학적 산화물 제거(chemical oxide removal, COR)를 위한 처리 시스템 및 방법이 제공되며, 이 처리 시스템은 제1 처리 챔버 및 제2 처리 챔버를 포함하며, 제1 및 제2 처리 챔버는 서로 결합되어 있다. 제1 처리 챔버는 온도 제어 챔버 및 화학적 처리를 위한 기판을 지지하는 독립적인 온도 제어 기판 홀더를 제공하는 화학적 처리 챔버를 포함한다. 이 기판은 표면 온도 및 기체 압력을 비롯한 제어된 조건 하에서 HF/NH
3 등의 기체 화학에 노출된다. 제2 처리 챔버는 화학적 처리 챔버와 열적으로 절연되어 있는 온도 제어 챔버를 제공하는 열적 처리 챔버를 포함한다. 이 열적 처리 챔버는 기판 상의 화학적 처리된 표면을 열적으로 처리하기 위해 기판의 온도를 제어하기 위한 기판 홀더를 제공한다.
기판 처리, 화학적 처리 챔버, 열적 처리 챔버, 화학적 산화물 제거

公开(公告)号：KR1020060113688A

公开(公告)日：2006-11-02

申请号：KR1020067008420

申请日：2004-11-03

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 토모야스마사유키 ,  펑크메리트레인 ,  핀토케빈오거스틴 ,  오다기리마사야 ,  천레무엘 ,  야마시타아사오 ,  이와미아키라 ,  타카하시히로유키

IPC: H01L21/02

CPC classification number: H01L21/67253 ,  C23C16/4405 ,  C25D11/02 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/67155 ,  H01L21/67207 ,  H01L21/67248 ,  H01L22/20

Abstract: A processing system and method for chemical oxide removal (COR) is presented, wherein the processing system comprises a first treatment chamber and a second treatment chamber, wherein the first and second treatment chambers are coupled to one another. The first treatment chamber comprises a chemical treatment chamber that provides a temperature controlled chamber, and an independently temperature controlled substrate holder for supporting a substrate for chemical treatment. The substrate is exposed to a gaseous chemistry, such as HF/NH3, under controlled conditions including surface temperature and gas pressure. The second treatment chamber comprises a heat treatment chamber that provides a temperature controlled chamber, thermally insulated from the chemical treatment chamber. The heat treatment chamber provides a substrate holder for controlling the temperature of the substrate to thermally process the chemically treated surfaces on the substrate.

Abstract translation: 提出了一种用于化学氧化物去除（COR）的处理系统和方法，其中处理系统包括第一处理室和第二处理室，其中第一和第二处理室彼此耦合。 第一处理室包括提供温度控制室的化学处理室和用于支撑用于化学处理的基板的独立温度控制的基板保持器。 在包括表面温度和气体压力的受控条件下，将基底暴露于气态化学物质，例如HF / NH 3。 第二处理室包括热处理室，其提供与化学处理室热绝缘的温度控制室。 热处理室提供用于控制基板的温度以热处理基板上化学处理的表面的基板保持器。

公开(公告)号：KR101240149B1

公开(公告)日：2013-03-11

申请号：KR1020117016777

申请日：2004-11-03

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 토모야스마사유키 ,  펑크메리트메인 ,  핀토케빈오거스틴 ,  오다기리마사야 ,  천레무엘 ,  야마시타아사오 ,  이와미아키라 ,  타카하시히로유키

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/00

CPC classification number: H01L21/67253 ,  C23C16/4405 ,  C25D11/02 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/67155 ,  H01L21/67207 ,  H01L21/67248 ,  H01L22/20

Abstract: 화학적 산화물 제거(chemical oxide removal, COR)를 위한 처리 시스템 및 방법이 제공되며, 이 처리 시스템은 제1 처리 챔버 및 제2 처리 챔버를 포함하며, 제1 및 제2 처리 챔버는 서로 결합되어 있다. 제1 처리 챔버는 온도 제어 챔버 및 화학적 처리를 위한 기판을 지지하는 독립적인 온도 제어 기판 홀더를 제공하는 화학적 처리 챔버를 포함한다. 이 기판은 표면 온도 및 기체 압력을 비롯한 제어된 조건 하에서 HF/NH
3 등의 기체 화학에 노출된다. 제2 처리 챔버는 화학적 처리 챔버와 열적으로 절연되어 있는 온도 제어 챔버를 제공하는 열적 처리 챔버를 포함한다. 이 열적 처리 챔버는 기판 상의 화학적 처리된 표면을 열적으로 처리하기 위해 기판의 온도를 제어하기 위한 기판 홀더를 제공한다.

公开(公告)号：KR1020110099321A

公开(公告)日：2011-09-07

申请号：KR1020117016777

申请日：2004-11-03

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 토모야스마사유키 ,  펑크메리트메인 ,  핀토케빈오거스틴 ,  오다기리마사야 ,  천레무엘 ,  야마시타아사오 ,  이와미아키라 ,  타카하시히로유키

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/00

CPC classification number: H01L21/67253 ,  C23C16/4405 ,  C25D11/02 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/67155 ,  H01L21/67207 ,  H01L21/67248 ,  H01L22/20

Abstract: 화학적 산화물 제거(chemical oxide removal, COR)를 위한 처리 시스템 및 방법이 제공되며, 이 처리 시스템은 제1 처리 챔버 및 제2 처리 챔버를 포함하며, 제1 및 제2 처리 챔버는 서로 결합되어 있다. 제1 처리 챔버는 온도 제어 챔버 및 화학적 처리를 위한 기판을 지지하는 독립적인 온도 제어 기판 홀더를 제공하는 화학적 처리 챔버를 포함한다. 이 기판은 표면 온도 및 기체 압력을 비롯한 제어된 조건 하에서 HF/NH
3 등의 기체 화학에 노출된다. 제2 처리 챔버는 화학적 처리 챔버와 열적으로 절연되어 있는 온도 제어 챔버를 제공하는 열적 처리 챔버를 포함한다. 이 열적 처리 챔버는 기판 상의 화학적 처리된 표면을 열적으로 처리하기 위해 기판의 온도를 제어하기 위한 기판 홀더를 제공한다.

公开(公告)号：KR100793453B1

公开(公告)日：2008-01-14

申请号：KR1020037000142

申请日：2001-07-04

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 다나카히사토 ,  이와미아키라 ,  오비아키라 ,  다하라가즈시 ,  가토시게아키

IPC: H01L21/00

CPC classification number: H01L21/67276 ,  G05B19/4067 ,  G05B2219/45031

Abstract: According to the present invention, as processing apparatus drive starts, the operating state of software used to drive the processing apparatus is monitored in real time to diagnose whether or not an abnormality has occurred (S110). If it is judged through the diagnosis performed in S110 that no abnormality has occurred, the workpiece processing is allowed to continue uninterrupted and then a decision is made as to whether or not the workpiece processing has been completed (S130). If the processing has been completed, the processing apparatus is stopped (S140). If, on the other hand, it is judged through the diagnosis performed in S110 that an abnormality has occurred, a log of the diagnosis item with regard to which the abnormality has occurred is recorded (S120). The processing apparatus is then stopped (S140).

公开(公告)号：KR1020030016372A

公开(公告)日：2003-02-26

申请号：KR1020037000142

申请日：2001-07-04

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 다나카히사토 ,  이와미아키라 ,  오비아키라 ,  다하라가즈시 ,  가토시게아키

IPC: H01L21/00

CPC classification number: H01L21/67276 ,  G05B19/4067 ,  G05B2219/45031

Abstract: 본 발명에 따르면, 장치의 구동이 시작되면, 장치를 구동하는 소프트웨어의 가동 상태를 실시간으로 감시하여, 이상이 발생하지 않고 있는지 진단한다(S110). S10의 진단으로 이상이 발생하지 않고 있다고 판단된 경우에는, 피(被)처리체에 대한 처리는 그대로 계속되어, 피처리체에 대한 처리가 완료되었는지 여부의 판단에 들어간다(S130). 처리가 완료된 경우에는 장치를 다운 처리한다(S140). S10의 진단으로 이상이 발생했다고 판단된 경우에는, 이상이 발생한 진단 항목에 대한 로그를 기록한다(S120). 그 후, 장치를 다운 처리한다(S140).

Abstract translation: 根据本发明，随着处理设备驱动开始，实时监控用于驱动处理设备的软件的操作状态，以诊断是否发生异常（S110）。 如果通过在S110中进行的诊断判断没有发生异常，则允许工件处理不间断地继续，然后判定工件处理是否已经完成（S130）。 如果处理已经完成，则处理装置停止（S140）。 另一方面，如果通过在S110中执行的诊断判断发生了异常，则记录发生异常的诊断项目的日志（S120）。 处理装置然后停止（S140）。 ＆lt;图像＆GT;