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公开(公告)号:KR101008746B1
公开(公告)日:2011-01-14
申请号:KR1020087005903
申请日:2007-02-09
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
CPC classification number: H01J37/32192 , H01J37/32211
Abstract: 본 발명은, 천정부가 개구되어 내부가 진공 흡인 가능하게 이루어진 처리 용기와, 피처리체를 탑재하기 위해 상기 처리 용기 내에 마련된 탑재대와, 상기 천정부의 개구에 기밀하게 장착되어 마이크로파를 투과하는 유전체로 이루어지는 천정판과, 상기 처리 용기 내에 필요한 가스를 도입하는 가스 도입 수단과, 상기 천정판의 중앙부의 상면에 마련되어, 소정의 전파 모드의 마이크로파를 상기 처리 용기 내에 도입하기 위해 마이크로파 방사용의 슬롯이 형성된 평면 안테나 부재와, 상기 천정판의 주변부의 상면에 마련되어, 상기 평면 안테나 부재에 의해 도입하는 마이크로파와는 다른 전파 모드의 마이크로파를 상기 처리 용기 내에 도입하기 위해 마이크로파 방사용의 슬롯이 형성된 슬롯 첨부 도파관과, 마이크로파를 상기 평면 안테나 부재 및 상기 슬롯 첨부 도파관에 공급하는 마이크로파 공급 수단을 구비한 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치이다.
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公开(公告)号:KR1020080037077A
公开(公告)日:2008-04-29
申请号:KR1020087005903
申请日:2007-02-09
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
CPC classification number: H01J37/32192 , H01J37/32211 , H01J37/32229 , H01J37/3222 , H01J37/32311 , H01J37/3244 , H01J37/32825 , H05H1/46 , H05H2001/4622 , H05H2001/463
Abstract: Provided is a plasma treatment device characterized by comprising a treatment container having its ceiling portion opened to make its inside evacuative, a table disposed in the treatment container for placing an object to be treated thereon, a top plate mounted gastight in the opening of the ceiling portion and made of a dielectric material for transmitting microwaves, gas introducing means for introducing a necessary gas into the treatment container, a planar antenna member disposed on the upper face of the central portion of the top plate and having a microwave irradiating slot formed therein for introducing the microwaves of a predetermined propagation mode into the treatment container, a slotted waveguide mounted on the upper face of the peripheral portion of the top plate and having a microwave irradiating slot formed therein for introducing microwaves of a propagation mode different from that of the microwaves introduced by the planar antenna member, into the treatment container, and microwave feeding means for feeding the microwaves to the planar antenna member and the slotted waveguide.
Abstract translation: 本发明提供一种等离子体处理装置,其特征在于,包括处理容器,其顶部开口以使其内部抽真空,设置在处理容器中的用于放置待处理对象的工作台,顶板安装在天花板的开口中 由用于传输微波的电介质材料制成,用于将必要气体引入处理容器的气体引入装置,设置在顶板中心部分的上表面上并具有形成在其中的微波照射槽的平面天线构件, 将预定传播模式的微波引入处理容器,安装在顶板周边部分的上表面上并具有形成在其中的微波照射槽的开槽波导,用于引入与微波不同的传播模式的微波 由平面天线构件引入到处理容器中, 以及用于将微波馈送到平面天线构件和开槽波导的微波馈送装置。
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公开(公告)号:KR1020130129937A
公开(公告)日:2013-11-29
申请号:KR1020137012435
申请日:2011-11-16
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/205 , H01L21/3065
CPC classification number: H05H1/46 , H01J37/32192 , H01J37/32211 , H01J37/3244
Abstract: 본 발명의 플라즈마 처리 장치는, 기판을 탑재하기 위한 탑재대가 마련되는 처리 용기, 상기 처리 용기 내로 제1 가스를 공급하도록 구성되는 제1 가스 공급 유닛, 상기 제1 가스의 적어도 일부를 제1 플라즈마로 변환하도록 구성되는 제1 플라즈마 생성 유닛, 상기 처리 용기 내로 제2 가스를 공급하도록 구성되는 제2 가스 공급 유닛, 및 상기 제2 가스의 적어도 일부를 제2 플라즈마로 변환하도록 구성되는 제2 플라즈마 생성 유닛을 포함한다. 탑재대로부터 제2 가스의 유입구의 높이는, 탑재대로부터 제1 가스의 유입구의 높이보다 낮다.
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公开(公告)号:KR101910678B1
公开(公告)日:2018-10-22
申请号:KR1020137012435
申请日:2011-11-16
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/205 , H01L21/3065
CPC classification number: H05H1/46 , H01J37/32192 , H01J37/32211 , H01J37/3244
Abstract: 본발명의플라즈마처리장치는, 기판을탑재하기위한탑재대가마련되는처리용기, 상기처리용기내로제1 가스를공급하도록구성되는제1 가스공급유닛, 상기제1 가스의적어도일부를제1 플라즈마로변환하도록구성되는제1 플라즈마생성유닛, 상기처리용기내로제2 가스를공급하도록구성되는제2 가스공급유닛, 및상기제2 가스의적어도일부를제2 플라즈마로변환하도록구성되는제2 플라즈마생성유닛을포함한다. 탑재대로부터제2 가스의유입구의높이는, 탑재대로부터제1 가스의유입구의높이보다낮다.
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