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    플라즈마 처리 장치
    1.
    发明公开
    플라즈마 처리 장치 审中-实审
    等离子体加工设备

    公开(公告)号：KR1020150054657A

    公开(公告)日：2015-05-20

    申请号：KR1020140146239

    申请日：2014-10-27

    Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

    Inventor： 시미즈이페이 ,  미하라나오키 ,  오가타슌스케

    IPC: H01L21/3065 ,  H05H1/46

    CPC classification number: H01J37/32651 ,  H01J37/32513 ,  H01J37/32743 ,  H01J37/32853

    Abstract: 피처리체에플라즈마처리를실행하기위한플라즈마처리장치가제공된다. 이플라즈마처리장치에서는, 처리용기의측벽에피처리체의반입출용의반송로가형성되어있다. 또한, 처리용기의측벽내면을따라, 실드부재가마련되어있다. 실드부재에는, 반송로에면하는개구가형성되어있다. 실드부재는하스텔로이제의피접촉면을갖고있다. 이플라즈마처리장치에는, 실드부재의개구의개폐용의셔터가마련되어있다. 셔터는하스텔로이제의접촉부를갖고있다. 셔터가실드부재의개구를폐쇄할때에는, 접촉부만이피접촉면에접한다.

    Abstract translation: 提供了一种对待处理物体进行等离子体处理的等离子体处理装置。 在等离子体处理装置中，在加工容器的侧壁上形成有用于进出加工对象物的输送路径。 另外，沿着处理容器的内表面设置有屏蔽构件。 在屏蔽部件上形成面向传送路径的开口。 屏蔽构件具有由哈氏合金材料制成的待接触表面。 在等离子体处理装置中设置有用于打开和关闭屏蔽构件的开口的快门。 闸板具有哈氏合金材料的接触部分。 当快门关闭屏蔽构件的开口时，只有接触部分接触要接触的表面。

    플라즈마 처리 장치
    3.
    发明公开
    플라즈마 처리 장치 有权
    等离子体加工设备

    公开(公告)号：KR1020120109419A

    公开(公告)日：2012-10-08

    申请号：KR1020120030392

    申请日：2012-03-26

    Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

    Inventor： 요시카와쥰 ,  마츠모토나오키 ,  미하라나오키 ,  요시카와와타루 ,  요시무라쇼타 ,  다카하시카즈키

    IPC: H05H1/46 ,  C23C16/50 ,  H01L21/31

    CPC classification number: H01J37/32192 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32651

    Abstract: PURPOSE: A plasma processing apparatus is provided to reduce pressure loss within a gas pipe without an increase in manufacturing costs of the gas pipe. CONSTITUTION: A gas supply part(14) supplies process gas to the inside of a process container(12). A microwave generator(16) generates microwaves. An antenna(18) introduces the microwaves for exciting plasma within the process container. A coaxial waveguide(20) is installed between the microwave generator and the antenna. A holding part(22) is placed to face the antenna in an extension direction of a central axis line of the coaxial waveguide. The holding part is provided in order to preserve processed gas. A dielectric window(24) is installed between the antenna and the holding part. The dielectric window transmits the microwaves from the antenna inside the process container. A dielectric rod(26) is placed between the holding part and the dielectric window along the central axis line. [Reference numerals] (AA,BB) Gas

    Abstract translation: 目的：提供等离子体处理装置，以减少气体管道内的压力损失，而不增加气体管道的制造成本。 构成：气体供应部分（14）将处理气体供应到处理容器（12）的内部。 微波发生器（16）产生微波。 天线（18）在处理容器内引入用于激发等离子体的微波。 同轴波导（20）安装在微波发生器和天线之间。 保持部（22）被放置成在同轴波导的中心轴线的延伸方向上面对天线。 提供保持部件以便保留加工气体。 电介质窗（24）安装在天线和保持部之间。 电介质窗口从处理容器内的天线传送微波。 介电棒（26）沿着中心轴线放置在保持部分和电介质窗口之间。 （附图标记）（AA，BB）气体

    플라즈마 처리 장치
    5.
    发明公开
    플라즈마 처리 장치 审中-实审
    等离子体加工设备

    公开(公告)号：KR1020160051603A

    公开(公告)日：2016-05-11

    申请号：KR1020150142675

    申请日：2015-10-13

    Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

    Inventor： 고노마사유키 ,  요시다유스케 ,  마츠모토나오키 ,  시미즈잇페이 ,  미하라나오키 ,  요시카와쥰 ,  아이타미치타카 ,  아즈마야요시카즈 ,  호시야쥰스케

    IPC: H01J37/32 ,  H01J37/02

    CPC classification number: H01J37/32192 ,  H01J37/3222 ,  H01J37/32238 ,  H01J37/32449 ,  H01J37/32495

    Abstract: (과제) 플라즈마처리장치내에있어서, 처리용기의내면을보호하면서, 플라즈마가안정하게발생되는것이가능한플라즈마처리장치를제공한다. (해결수단) 이플라즈마처리장치는, 처리용기(1)와, 처리용기(1) 내에배치된테이블(3)과, 처리용기(1)에설치된유전체창(16)과, 유전체창(16) 위에설치된슬롯판(20)과, 테이블(3)과유전체창(16)의사이의처리공간을둘러싸는유전체로이루어지는포위체 Q를구비하되, 슬롯판(20)에마이크로파를입력함으로써, 유전체창(16) 아래에플라즈마를발생시켜, 이플라즈마에의해, 테이블(3) 위에배치된기판(W)에처리를행하는것이며, 포위체 Q와볼록부(16p)의사이에소정의제 1 간극 G1가존재한다.

    Abstract translation: 本发明的目的是提供一种能够在保护处理室的内表面的同时稳定地产生等离子体处理装置。 等离子体处理装置包括处理室（1），设置在处理室（1）中的工作台（3），安装在处理室（1）的电介质窗口（16），安装在处理室 电介质窗口（16）以及围绕桌子（3）和电介质窗口（16）之间的处理空间的环绕体Q。 这种等离子体处理装置通过将微波输入到槽板（20）中并通过产生的等离子体处理安装在工作台（3）上的衬底（W）来在电介质窗口16之下产生等离子体。 在周围物体Q与突起（16p）之间存在规定的第一间隙G1。

    플라즈마 처리 장치
    9.
    发明授权
    플라즈마 처리 장치 有权

    公开(公告)号：KR101304408B1

    公开(公告)日：2013-09-05

    申请号：KR1020120043187

    申请日：2012-04-25

    Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

    Inventor： 모야마카즈키 ,  이시바시키요타카 ,  모리타오사무 ,  다니카와타케히로 ,  마츠모토나오키 ,  미하라나오키 ,  요시카와와타루

    IPC: H01L21/3065 ,  H05H1/46

    CPC classification number: H01J37/32192 ,  H01J37/32229 ,  H01J37/3244

    Abstract: 플라즈마 처리 장치는, 처리 용기, 스테이지, 유전체 부재, 마이크로파를 도입하는 수단, 인젝터 및 전계 차폐부를 구비하고 있다. 처리 용기는 그 내부에 처리 공간을 구획하여 형성한다. 스테이지는 처리 용기 내에 설치되어 있다. 유전체 부재는 스테이지에 대면하도록 설치되어 있다. 마이크로파를 도입하는 수단은, 유전체 부재를 개재하여 처리 공간 내에 마이크로파를 도입한다. 인젝터는 유전체제이며, 하나 이상의 관통홀을 가진다. 인젝터는, 예를 들면 벌크 유전체 재료로 구성된다. 이 인젝터는 하나 이상의 관통홀을 가지고, 유전체 부재의 내부에 배치된다. 인젝터는, 유전체 부재에 형성된 관통홀과 함께 처리 공간으로 처리 가스를 공급하기 위한 경로를 구획하여 형성한다. 전계 차폐부는 인젝터의 주위를 덮는다.

    플라즈마 처리 장치 및 가스 공급 부재 지지 장치
    10.
    发明授权
    플라즈마 처리 장치 및 가스 공급 부재 지지 장치 有权
    等离子体处理装置和气体供应部件支持装置

    公开(公告)号：KR101286763B1

    公开(公告)日：2013-07-16

    申请号：KR1020110049613

    申请日：2011-05-25

    Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

    Inventor： 미하라나오키 ,  스도우켄지 ,  무라카미카즈오 ,  후루카와사토시

    IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/205

    CPC classification number: H01J37/3244 ,  H01J37/32449 ,  H01J37/32807

    Abstract: 확실하게 가스를 공급하여 플라즈마 처리를 행할 수 있는 플라즈마 처리 장치를 제공한다. 플라즈마 처리 장치는, 플라즈마 처리용의 가스를 공급하는 가스 공급구를 가지는 외측 가스 공급 부재(40)와, 처리 용기 내에서 외측 가스 공급 부재(40)를 지지하는 가스 공급 부재 지지 장치로서의 자켓부(27)를 구비한다. 자켓부(27)는, 외측 가스 공급 부재(40) 및 측벽을 연결하도록 가스 공급 부재가 연장되는 방향으로 각각의 간격을 두고 설치되는 3 개의 지지 부재(44 ~ 46)와, 측벽에 고정되며 지지 부재를 장착 가능한 장착부(47 ~ 49)를 포함한다. 지지 부재는, 제 1 장착부(47)에 고정되어 장착되는 제 1 지지 부재(44)와 제 2 장착부(48, 49)에 자유롭게(이동 가능하게) 지지되도록 장착되는 제 2 지지 부재(45, 46)를 포함한다.

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