公开(公告)号：KR101638746B1

公开(公告)日：2016-07-12

申请号：KR1020150144283

申请日：2015-10-15

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 우이아키오 ,  하야시히사타카 ,  가미나츠이다케시 ,  히모리신지 ,  야마다노리카즈 ,  오세다케시 ,  아베쥰

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/768 ,  H01L21/02 ,  H05H1/46

CPC classification number: H01L21/67069 ,  H01J37/32009 ,  H01J37/32027 ,  H01J37/32045 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/321 ,  H01J37/32137 ,  H01J37/32532 ,  H01J2237/3341 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/32136 ,  H01L21/67253 ,  H01L22/14 ,  H01L22/26

Abstract: 본발명은, 전극상의기판의전압변화를효과적으로억제하고, 기판에입사하는이온의입사에너지의변동을억제한기판처리장치및 기판처리방법을얻는것을과제로한다. 그해결수단으로서, 기판처리장치는, 기판을주면에유지하는제 1 전극과, 제 1 전극에대향하는제 2 전극과, 제 1 전극에대하여주파수가 40㎒이상인 RF 전압을인가하는 RF 전원과, RF 전압에중첩하여, 시간의경과에대응하여전압이저하하는펄스전압을제 1 전극에인가하는펄스전압인가부를구비한다.

公开(公告)号：KR100604395B1

公开(公告)日：2006-07-25

申请号：KR1020047015177

申请日：2003-03-26

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  가부시끼가이샤 도시바

Inventor： 오가와가즈토 ,  이나자와고이치로 ,  하야시히사타카 ,  오히와도쿠히사

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/32 ,  H01L21/31

CPC classification number: H01L21/31138 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31144

Abstract: 본 발명은, 무기재료막을 마스크로 해서 유기재료막을 에칭하는 경우에, 에칭패턴에 대응해서 높은 에칭레이트를 유지하면서도 양호한 에칭형상으로 양호한 면내균일성으로 또한 무기재료막의 막벗겨짐이 생기지 않고 에칭할 수가 있는 에칭방법을 제공하기 위한 것이다.
본 발명은, 처리용기(1) 내에서 에칭가스의 플라즈마에 의해 무기재료막을 마스크로 해서 피처리체에 형성된 유기재료막을 에칭함에 있어, 에칭으로 개구시켜야 할 영역의 비율이 면적비로 40% 이상인 에칭패턴의 경우에는, 에칭가스로서 NH
3 가스와 O
2 가스를 함유한 혼합가스를 이용하고, 에칭에 의해 개구시켜야 할 영역의 비율이 면적비로 40% 미만인 에칭패턴의 경우에는 에칭가스로서 NH
3 가스를 이용하도록 한다.

公开(公告)号：KR1020040111437A

公开(公告)日：2004-12-31

申请号：KR1020047015177

申请日：2003-03-26

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  가부시끼가이샤 도시바

Inventor： 오가와가즈토 ,  이나자와고이치로 ,  하야시히사타카 ,  오히와도쿠히사

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/32 ,  H01L21/31

CPC classification number: H01L21/31138 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31144

Abstract: 본 발명은, 무기재료막을 마스크로 해서 유기재료막을 에칭하는 경우에, 에칭패턴에 대응해서 높은 에칭레이트를 유지하면서도 양호한 에칭형상으로 양호한 면내균일성으로 또한 무기재료막의 막벗겨짐이 생기지 않고 에칭할 수가 있는 에칭방법을 제공하기 위한 것이다.
본 발명은, 처리용기(1) 내에서 에칭가스의 플라즈마에 의해 무기재료막을 마스크로 해서 피처리체에 형성된 유기재료막을 에칭함에 있어, 에칭으로 개구시켜야 할 영역의 비율이 면적비로 40% 이상인 에칭패턴의 경우에는, 에칭가스로서 NH
3 가스와 O
2 가스를 함유한 혼합가스를 이용하고, 에칭에 의해 개구시켜야 할 영역의 비율이 면적비로 40% 미만인 에칭패턴의 경우에는 에칭가스로서 NH
3 가스를 이용하도록 한다.

公开(公告)号：KR1020150123209A

公开(公告)日：2015-11-03

申请号：KR1020150144283

申请日：2015-10-15

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 우이아키오 ,  하야시히사타카 ,  가미나츠이다케시 ,  히모리신지 ,  야마다노리카즈 ,  오세다케시 ,  아베쥰

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/768 ,  H01L21/02 ,  H05H1/46

CPC classification number: H01L21/67069 ,  H01J37/32009 ,  H01J37/32027 ,  H01J37/32045 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/321 ,  H01J37/32137 ,  H01J37/32532 ,  H01J2237/3341 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/32136 ,  H01L21/67253 ,  H01L22/14 ,  H01L22/26

Abstract: 본발명은, 전극상의기판의전압변화를효과적으로억제하고, 기판에입사하는이온의입사에너지의변동을억제한기판처리장치및 기판처리방법을얻는것을과제로한다. 그해결수단으로서, 기판처리장치는, 기판을주면에유지하는제 1 전극과, 제 1 전극에대향하는제 2 전극과, 제 1 전극에대하여주파수가 40㎒이상인 RF 전압을인가하는 RF 전원과, RF 전압에중첩하여, 시간의경과에대응하여전압이저하하는펄스전압을제 1 전극에인가하는펄스전압인가부를구비한다.

Abstract translation: 本发明是为了获得用于有效地抑制电极上的基板的电压变化并抑制由基板接收的离子的入射能量的变化的基板处理装置和基板处理方法。 为此，基板处理装置包括：用于将基板保持在主圆周的第一电极; 面对所述第一电极的第二电极; 以及用于向所述第一电极提供RF功率和脉冲电压的脉冲电源单元，其中所述RF功率向所述第一电极施加具有40MHz频率以上的RF电压，并且所述脉冲电压响应于时间的流逝而降低电压，以及 与RF电压重叠。

公开(公告)号：KR1020100034703A

公开(公告)日：2010-04-01

申请号：KR1020090089427

申请日：2009-09-22

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 우이아키오 ,  하야시히사타카 ,  가미나츠이다케시 ,  히모리신지 ,  야마다노리카즈 ,  오세다케시 ,  아베쥰

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/67069 ,  H01J37/32009 ,  H01J37/32027 ,  H01J37/32045 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/321 ,  H01J37/32137 ,  H01J37/32532 ,  H01J2237/3341 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/32136 ,  H01L21/67253 ,  H01L22/14 ,  H01L22/26

Abstract: PURPOSE: A substrate processing apparatus and method for treating substrates use the RF power source and pulse voltage application portion. The voltage change of substrate on electrode is controlled effectively. CONSTITUTION: The substrate processing apparatus comprises the first electrode, the second electrode(16), and the RF power(19) and pulse voltage impressing part. The first electrode keeps the substrate(15). The RF power sanctions the RF voltage in the first electrode. The frequency of the RF voltage 40MHz or greater. The pulse voltage impressing part sanctions the pulse voltage in the first electrode.

Abstract translation: 目的：用于处理衬底的衬底处理设备和方法使用RF电源和脉冲电压施加部分。 电极上的电极电压变化得到有效控制。 构成：衬底处理装置包括第一电极，第二电极（16）和RF电力（19）和脉冲电压施加部分。 第一电极保持基板（15）。 RF功率对第一电极中的RF电压进行制裁。 RF电压的频率为40MHz以上。 脉冲电压施加部分对第一电极中的脉冲电压进行制裁。

公开(公告)号：KR100214442B1

公开(公告)日：1999-08-02

申请号：KR1019960003122

申请日：1996-02-07

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  가부시끼가이샤 도시바

Inventor： 오카모토신 ,  하야시히사타카 ,  이나자와교치로 ,  마츠시타다카야

IPC: H01L21/306

CPC classification number: H01L21/31116

Abstract: 처리공간내에서 반도체 웨이퍼를 지지하기 위한 하부전극과, 하부전극에 맞은편에 있는 상부전극과, 상부와 하부전극 사이에 RF 전력을 인가하기 위한 RF 전원을 가지는 플라즈마 에칭장비. 어깨부를 가지는 하층으로서 SiN층 및 상기 SiN층을 덮고 있는 SiO
2 층이 웨이퍼 위에 배치되어 있다. 에칭에 의하여 접촉구멍이 SiO
2 층에 형성되어 SiN층의 어깨부를 노출시키게 된다. 처리가스는 C
4 F
8 와 CO를 함유한다. SiO
2 /SiN의 에칭선택률을 설정하기 위하여 처리가스의 각 구성부분의 방전시간이 매개변수로서 사용된다. C
4 F
8 의 분해처리는 방전시간의 선택에 의하여 조절된다. 방전시간은 처리가스의 각부분의 상주시간과 RF 전력의 인가시간에 의하여 결정된다.

公开(公告)号：KR1019960032633A

公开(公告)日：1996-09-17

申请号：KR1019960003122

申请日：1996-02-07

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  가부시끼가이샤 도시바

Inventor： 오카모토신 ,  하야시히사타카 ,  이나자와교치로 ,  마츠시타다카야

IPC: H01L21/306

Abstract: 처리공간내에서 반도체 웨이퍼를 지지하기 위한 하부전극과, 하부전극에 맞은편에 있는 상부전극과, 상부와 하부전극 사이에 RF 전압을 인가하기 위한 RF 전압원을 가지는 플라즈마 에칭장비, 어깨부를 가지는 하층으로서 SiN층 및 상기 Si층을 덥고 있는 SiO
2 층이 웨이퍼 위에 배치되어 있다. 에칭에 의하여 접촉구멍이 SiO
2 층에 형성되어 SiN층의 어깨부를 노출시키게 된다. 처리가스는 C
4 F
8 와 CO를 포함한다. SiO
2 /SiN의 에칭선택률을 설정하기 위하여 처리가스의 각 구성부분의 방전시간이 매개변수로서 사용된다. C
4 F
8 의 분해처리는 방전시간의 선택에 의하여 조절된다. 방전시간은 처리가스의 각부분의 상주시간과 RF전압의 인가시간에 의하여 결정된다.