公开(公告)号：KR1020100034703A

公开(公告)日：2010-04-01

申请号：KR1020090089427

申请日：2009-09-22

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 우이아키오 ,  하야시히사타카 ,  가미나츠이다케시 ,  히모리신지 ,  야마다노리카즈 ,  오세다케시 ,  아베쥰

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/67069 ,  H01J37/32009 ,  H01J37/32027 ,  H01J37/32045 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/321 ,  H01J37/32137 ,  H01J37/32532 ,  H01J2237/3341 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/32136 ,  H01L21/67253 ,  H01L22/14 ,  H01L22/26

Abstract: PURPOSE: A substrate processing apparatus and method for treating substrates use the RF power source and pulse voltage application portion. The voltage change of substrate on electrode is controlled effectively. CONSTITUTION: The substrate processing apparatus comprises the first electrode, the second electrode(16), and the RF power(19) and pulse voltage impressing part. The first electrode keeps the substrate(15). The RF power sanctions the RF voltage in the first electrode. The frequency of the RF voltage 40MHz or greater. The pulse voltage impressing part sanctions the pulse voltage in the first electrode.

Abstract translation: 目的：用于处理衬底的衬底处理设备和方法使用RF电源和脉冲电压施加部分。 电极上的电极电压变化得到有效控制。 构成：衬底处理装置包括第一电极，第二电极（16）和RF电力（19）和脉冲电压施加部分。 第一电极保持基板（15）。 RF功率对第一电极中的RF电压进行制裁。 RF电压的频率为40MHz以上。 脉冲电压施加部分对第一电极中的脉冲电压进行制裁。

公开(公告)号：KR1020120042775A

公开(公告)日：2012-05-03

申请号：KR1020120011804

申请日：2012-02-06

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 마츠도다츠오 ,  히모리신지 ,  이마이노리아키 ,  오세다케시 ,  아베준 ,  가츠누마다카유키

IPC: H05H1/46 ,  H01L21/205 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/3065 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32146 ,  H01J37/32165

Abstract: PURPOSE: A plasma processing apparatus is provided to improve the stability and reliability of a plasma process by efficiently preventing the generation of charging damage. CONSTITUTION: An upper electrode(38) and a bottom electrode(12) are arranged in parallel facing each other in a processing container(10) which is vacuum exhaustible. A first radio frequency is applied to the bottom electrode passing through a first adapter(34) rather than a first radio frequency power(32). A controller(68) controls the first radio frequency power. A first period has first amplitude in which the first radio frequency contributing to plasma generation produces plasma. A second period has second amplitude in which the plasma is materially not produced. The first and second periods are alternatively repeated at a certain cycle.

Abstract translation: 目的：提供等离子体处理装置，通过有效地防止产生充电损伤来提高等离子体工艺的稳定性和可靠性。 构成：在真空可耗尽的处理容器（10）中，上部电极（38）和下部电极（12）相互平行地排列。 第一射频被施加到穿过第一适配器（34）而不是第一射频功率（32）的底部电极。 控制器（68）控制第一射频功率。 第一时段具有第一幅度，其中有助于等离子体产生的第一射频产生等离子体。 第二时段具有第二幅度，其中等离子体实质上不产生。 交替地，在一个周期重复第一和第二周期。

公开(公告)号：KR100557842B1

公开(公告)日：2006-03-10

申请号：KR1020047008844

申请日：2002-12-10

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 하야미도시히로 ,  오세다케시 ,  다카히라쥰이치 ,  시마다쥰이치

IPC: H01L21/3065 ,  H05H1/26

CPC classification number: H01J37/32082 ,  H01J37/32183

Abstract: In a high-frequency power source, a malfunction is prevented by precisely removing harmonic components or a modulated wave component which develops while producing a plasma, and a proper high frequency power can be impressed on a plasma processing apparatus. The high-frequency power source includes a power monitor constituted of a directional coupler, a mixer, a 100 kHz low-pass filter, a low-frequency detector, and an oscillator. A 100 MHz high-frequency wave including modulated wave components and the like extracted by the directional coupler and 99.9 MHz high-frequency wave oscillated by the oscillator are added by the mixer. An output of the addition is converted by the low-frequency detector into 100 kHz, resulting in detection.

公开(公告)号：KR101638746B1

公开(公告)日：2016-07-12

申请号：KR1020150144283

申请日：2015-10-15

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 우이아키오 ,  하야시히사타카 ,  가미나츠이다케시 ,  히모리신지 ,  야마다노리카즈 ,  오세다케시 ,  아베쥰

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/768 ,  H01L21/02 ,  H05H1/46

CPC classification number: H01L21/67069 ,  H01J37/32009 ,  H01J37/32027 ,  H01J37/32045 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/321 ,  H01J37/32137 ,  H01J37/32532 ,  H01J2237/3341 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/32136 ,  H01L21/67253 ,  H01L22/14 ,  H01L22/26

Abstract: 본발명은, 전극상의기판의전압변화를효과적으로억제하고, 기판에입사하는이온의입사에너지의변동을억제한기판처리장치및 기판처리방법을얻는것을과제로한다. 그해결수단으로서, 기판처리장치는, 기판을주면에유지하는제 1 전극과, 제 1 전극에대향하는제 2 전극과, 제 1 전극에대하여주파수가 40㎒이상인 RF 전압을인가하는 RF 전원과, RF 전압에중첩하여, 시간의경과에대응하여전압이저하하는펄스전압을제 1 전극에인가하는펄스전압인가부를구비한다.

公开(公告)号：KR1020090018582A

公开(公告)日：2009-02-20

申请号：KR1020080079816

申请日：2008-08-14

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 마츠도다츠오 ,  히모리신지 ,  이마이노리아키 ,  오세다케시 ,  아베준 ,  가츠누마다카유키

IPC: H05H1/24 ,  H05H1/30 ,  H05H1/34

CPC classification number: H01L21/3065 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32146 ,  H01J37/32165

Abstract: A plasma processing apparatus, and the plasma processing method and a storage media are provided to effectively prevent generation of charging damage and to realize stability and reliability of plasma processing. An object to be processed is mounted on a first electrode in a processing chamber(10). A second electrode faces parallel to the first electrode in processing chamber. A processing gas supply unit(62) supplies a processing gas to a processing space between the first and second electrodes. A first radio frequency feeding unit applies the first radio frequency contributing to a plasma generation of the processing gas. A controller(68) controls the first radio frequency feeding unit to alternate the first and second periods. In a first period, the first radio frequency of a first amplitude creates plasma. In a second period, the first radio frequency does not create plasma substantially.

Abstract translation: 提供等离子体处理装置，等离子体处理方法和存储介质，以有效地防止产生充电损坏并实现等离子体处理的稳定性和可靠性。 要处理的物体安装在处理室（10）中的第一电极上。 第二电极在处理室中平行于第一电极。 处理气体供给单元（62）将处理气体供给到第一和第二电极之间的处理空间。 第一射频馈送单元施加有助于处理气体的等离子体产生的第一射频。 控制器（68）控制第一射频馈送单元交替第一和第二周期。 在第一时段中，第一幅度的第一射频产生等离子体。 在第二时段中，第一射频不产生等离子体。

公开(公告)号：KR101434015B1

公开(公告)日：2014-08-25

申请号：KR1020120011804

申请日：2012-02-06

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 마츠도다츠오 ,  히모리신지 ,  이마이노리아키 ,  오세다케시 ,  아베준 ,  가츠누마다카유키

IPC: H05H1/46 ,  H01L21/205 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/3065 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32146 ,  H01J37/32165

Abstract: 본 발명의 과제는, 플라즈마 처리 장치에 있어서, 차징 대미지의 발생을 대폭 개선하고, 플라즈마 처리의 안정성 및 신뢰성의 향상을 실현하는 것이다.
본 발명의 플라즈마 처리 장치에 따르면, 진공배기 가능한 처리용기(10)내에 상부 전극(38)과 하부 전극(12)이 대향해서 평행으로 배치되어, 하부 전극(12)에는 제 1 고주파 전원(32)으로부터 제 1정합기(34)을 거쳐서 제 1 고주파가 인가된다. 제어부(68)은, 플라즈마 생성에 기여하는 제 1 고주파가, 플라즈마를 생성시키는 제 1의 진폭을 가지는 제 1의 기간과, 플라즈마를 실질적으로 생성시키지 않는 제 2의 진폭을 가지는 제 2의 기간을 소정의 주기로 교대로 반복되도록, 제 1 고주파 전원(32)을 제어한다.

公开(公告)号：KR101181023B1

公开(公告)日：2012-09-07

申请号：KR1020080079816

申请日：2008-08-14

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 마츠도다츠오 ,  히모리신지 ,  이마이노리아키 ,  오세다케시 ,  아베준 ,  가츠누마다카유키

IPC: H05H1/24 ,  H05H1/30 ,  H05H1/34

CPC classification number: H01L21/3065 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32146 ,  H01J37/32165

Abstract: 본 발명의 과제는, 플라즈마 처리 장치에 있어서, 차징 대미지의 발생을 대폭 개선하고, 플라즈마 처리의 안정성 및 신뢰성의 향상을 실현하는 것이다.
본 발명의 플라즈마 처리 장치에 따르면, 진공배기 가능한 처리용기(10)내에 상부 전극(38)과 하부 전극(12)과가 대향해서 평행으로 배치되어, 하부 전극(12)에는 제 1 고주파 전원(32)보다 제 1정합기(34)을 거쳐서 제 1 고주파가 인가된다. 제어부(68)은, 플라즈마 생성에 기여하는 제 1 고주파가, 플라즈마를 생성시키는 제 1의 진폭을 가지는 제 1의 기간과, 플라즈마를 실질적으로 생성시키지 않는 제 2의 진폭을 가지는 제 2의 기간을 소정의 주기로 교대로 반복되도록, 제 1 고주파 전원(32)을 제어한다.

公开(公告)号：KR1020150123209A

公开(公告)日：2015-11-03

申请号：KR1020150144283

申请日：2015-10-15

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 우이아키오 ,  하야시히사타카 ,  가미나츠이다케시 ,  히모리신지 ,  야마다노리카즈 ,  오세다케시 ,  아베쥰

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/768 ,  H01L21/02 ,  H05H1/46

CPC classification number: H01L21/67069 ,  H01J37/32009 ,  H01J37/32027 ,  H01J37/32045 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/321 ,  H01J37/32137 ,  H01J37/32532 ,  H01J2237/3341 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/32136 ,  H01L21/67253 ,  H01L22/14 ,  H01L22/26

Abstract: 본발명은, 전극상의기판의전압변화를효과적으로억제하고, 기판에입사하는이온의입사에너지의변동을억제한기판처리장치및 기판처리방법을얻는것을과제로한다. 그해결수단으로서, 기판처리장치는, 기판을주면에유지하는제 1 전극과, 제 1 전극에대향하는제 2 전극과, 제 1 전극에대하여주파수가 40㎒이상인 RF 전압을인가하는 RF 전원과, RF 전압에중첩하여, 시간의경과에대응하여전압이저하하는펄스전압을제 1 전극에인가하는펄스전압인가부를구비한다.

Abstract translation: 本发明是为了获得用于有效地抑制电极上的基板的电压变化并抑制由基板接收的离子的入射能量的变化的基板处理装置和基板处理方法。 为此，基板处理装置包括：用于将基板保持在主圆周的第一电极; 面对所述第一电极的第二电极; 以及用于向所述第一电极提供RF功率和脉冲电压的脉冲电源单元，其中所述RF功率向所述第一电极施加具有40MHz频率以上的RF电压，并且所述脉冲电压响应于时间的流逝而降低电压，以及 与RF电压重叠。

公开(公告)号：KR101439580B1

公开(公告)日：2014-09-11

申请号：KR1020100028811

申请日：2010-03-30

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 오세다케시 ,  히모리신지 ,  아베준 ,  야마다노리카즈

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/02 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32146 ,  H01J37/32165

Abstract: 기판 처리 방법은 기판을 수용하는 수용실과, 상기 수용실내에 배치되어 상기 기판을 보지하도록 형성된 하부 전극과, 상기 수용실내에 플라즈마 생성용 고주파 전력을 인가하는 전력 인가부와, 상기 하부 전극에 바이어스용 고주파 전력을 인가하는 바이어스 전력 인가부를 포함하는 기판 처리 장치를 사용한다. 상기 기판 처리 방법에 있어서, 상기 여기 전력 인가부의 출력을 소정의 타이밍으로 변경해서 상기 가스 여기용 고주파 전력이 간헐적으로 변화되도록 제어하고, 또한, 상기 여기 전력 인가부의 제어에 의해 상기 수용실내에 플라즈마가 없는 상태 또는 애프터글로우 상태인 때에는, 상기 바이어스 전력 인가부를 오프로 하거나 또는 그 출력이, 상기 여기 전력 인가부의 출력이 설정 출력인 경우에 있어서의 상기 바이어스 전력 인가부의 출력보다 감소하도록 제어한다.

公开(公告)号：KR1020100109513A

公开(公告)日：2010-10-08

申请号：KR1020100028811

申请日：2010-03-30

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 오세다케시 ,  히모리신지 ,  아베준 ,  야마다노리카즈

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/02 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32146 ,  H01J37/32165

Abstract: PURPOSE: The substrate processing apparatus and the method for treating substrates using this. The generation of heat caused by the direct current voltage can be shirked. The damage of the bias voltage impressing part by the load increase can be prevented tellingly. CONSTITUTION: The substrate processing apparatus(60) and the method for treating substrates using this. The accepting chamber, bottom electrode, activating electricity application portion, bias power application portion is included. The accepting chamber accepts substrate. In order to be arranged within the accepting chamber and it preserves substrate the bottom electrode is formed.

Abstract translation: 目的：使用该基板处理装置及其处理基板的方法。 由直流电压产生的热量可以推出。 可以有效地防止偏置电压施加部分的负载增加的损坏。 构成：基板处理装置（60）及其处理基板的方法。 包括接收室，底部电极，激活电力施加部分，偏置电力施加部分。 接收室接受基板。 为了布置在接收室内并且保持基板，形成底部电极。