公开(公告)号：KR1020050108395A

公开(公告)日：2005-11-16

申请号：KR1020057017183

申请日：2004-03-15

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 이시자카다다히로 ,  요시이나오키 ,  가와무라고헤이 ,  후쿠다유키오 ,  시게오카다카시 ,  고지마야스히코 ,  오시마야스히로 ,  아라미주니치 ,  고미아츠시

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/02

CPC classification number: C23C16/45542 ,  C23C16/34 ,  C23C16/452 ,  C23C16/45561 ,  Y10T137/86558 ,  Y10T137/86566 ,  Y10T137/86638 ,  Y10T137/86726 ,  Y10T137/86743 ,  Y10T137/86751 ,  Y10T137/86871

Abstract: A processing apparatus is disclosed which is capable of switching supplies of a raw material gas and a reducing gas alternately, while continuously forming a plasma of the reducing gas. An excitation device (12) excites a reducing gas supplied thereinto, and the excited reducing gas is supplied into a process chamber (2). A switching mechanism (20) is arranged between the excitation device (12) and the process chamber (2), and a bypass line (22) is connected to the switching mechanism (20). The switching mechanism (20) switches the flow of the excited reducing gas from the excitation device (12) between the process chamber (2) and the bypass line (22).

Abstract translation: 公开了能够在连续地形成还原气体的等离子体的同时交替地切换原料气体和还原气体的供给的处理装置。 励磁装置（12）激发供给到其中的还原气体，并将被激发的还原气体供给到处理室（2）。 在励磁装置（12）和处理室（2）之间设置有切换机构（20），旁通管路（22）与切换机构（20）连接。 切换机构（20）切换来自处理室（2）和旁通管线（22）之间的激发装置（12）的被激发的还原气体的流动。

公开(公告)号：KR100674279B1

公开(公告)日：2007-01-24

申请号：KR1020057017183

申请日：2004-03-15

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 이시자카다다히로 ,  요시이나오키 ,  가와무라고헤이 ,  후쿠다유키오 ,  시게오카다카시 ,  고지마야스히코 ,  오시마야스히로 ,  아라미주니치 ,  고미아츠시

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/02

CPC classification number: C23C16/45542 ,  C23C16/34 ,  C23C16/452 ,  C23C16/45561 ,  Y10T137/86558 ,  Y10T137/86566 ,  Y10T137/86638 ,  Y10T137/86726 ,  Y10T137/86743 ,  Y10T137/86751 ,  Y10T137/86871

Abstract: 처리장치는, 환원가스의 플라즈마를 연속하여 생성하면서, 원료가스와 환원가스의 공급을 교대로 전환하면서 공급할 수 있다. 여기장치(12)는 공급된 환원가스를 여기한다. 여기된 환원가스는 처리용기(2)에 공급된다. 전환기구(20)가, 여기장치(12)와 처리용기(2)의 사이에 마련된다. 바이패스라인(22)이, 전환기구(20)에 접속된다. 전환기구(20)는, 여기된 환원가스의 여기장치(12)로부터의 흐름을, 처리용기(2)와 바이패스라인(22) 중 어느 한쪽으로 전환한다.

Abstract translation: 处理装置可以在连续产生还原气体的等离子体的同时交替地切换源气体和还原气体的供应的同时供应源气体和还原气体。 激励装置12激励供应的还原气体。 被激发的还原气体被供给到处理容器2。 在励磁装置12与处理容器2之间设置有切换机构20。 旁路线路22连接到切换机构20。 切换机构20将被激励的还原气体激励装置12的流量切换到处理容器2或旁通管路22。

公开(公告)号：KR100724181B1

公开(公告)日：2007-05-31

申请号：KR1020057024111

申请日：2004-04-27

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 이시자카다다히로 ,  오시마야스히로 ,  요시이나오키 ,  시게오카다카시 ,  가와무라고헤이 ,  후쿠다유키오 ,  고지마야스히코

IPC: H01L21/20

CPC classification number: C23C16/34 ,  C23C16/45529 ,  C23C16/45542 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/76846 ,  H01L21/7685 ,  H01L2221/1078

Abstract: 처리 용기 내의 피처리 기판에 성막하는 성막 방법으로서, 할로젠 원소를 포함하지 않는 유기 금속 화합물로 이루어지는 제 1 원료 가스를 상기 처리 용기 내에 공급한 후, 상기 제 1 원료 가스를 상기 처리 용기 내로부터 제거하는 제 1 공정, 및 수소 또는 수소 화합물을 포함하는 제 2 원료 가스를 상기 처리 용기 내에 공급한 후, 상기 제 2 원료 가스를 상기 처리 용기 내로부터 제거하는 제 2 공정을 반복하여 이루어지는 제 1 막 성장 공정; 및 금속 할로젠화물로 이루어지는 제 3 원료 가스를 상기 처리 용기 내에 공급한 후, 상기 제 3 원료 가스를 상기 피처리 기판으로부터 제거하는 제 3 공정, 및 수소 또는 수소 화합물을 포함하는 제 4 원료 가스를 상기 처리 용기 내에 공급한 후, 상기 제 4 원료 가스를 상기 처리 용기 내로부터 제거하는 제 4 공정을 반복하여 이루어지는 제 2 막 성장 공정으로 이루어지는 성막 방법을 사용했다.

公开(公告)号：KR1020060016814A

公开(公告)日：2006-02-22

申请号：KR1020057024111

申请日：2004-04-27

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 이시자카다다히로 ,  오시마야스히로 ,  요시이나오키 ,  시게오카다카시 ,  가와무라고헤이 ,  후쿠다유키오 ,  고지마야스히코

IPC: H01L21/20

CPC classification number: C23C16/34 ,  C23C16/45529 ,  C23C16/45542 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/76846 ,  H01L21/7685 ,  H01L2221/1078

Abstract: A process for depositing a film on a substrate being processed placed in a processing container, comprising a first film deposition step repeating a first step for supplying a first material gas of organic metal compound containing no halogen element into the processing container and then removing the first material gas from the inside of the processing container and a second step for supplying a second material gas containing hydrogen or a hydrogen compound into the processing container and then removing the second material gas from the inside of the processing container, and a second film deposition step repeating a third step for supplying a third material gas of metal halide into the processing container and then removing the third material gas from the substrate being processed and a fourth step for supplying a fourth material gas containing hydrogen or a hydrogen compound into the processing container and then removing the fourth material gas from the inside of the processing container.

Abstract translation: 一种用于在被处理的基板上沉积薄膜的方法，放置在处理容器中，包括第一薄膜沉积步骤，重复第一步骤，用于将不含卤素元素的有机金属化合物的第一原料气体供应到处理容器中， 从处理容器的内部的原料气体和向处理容器供给含有氢或氢化合物的第二原料气体，然后从处理容器的内部除去第二原料气体的第二工序，以及第二成膜工序 重复第三步骤，将金属卤化物的第三原料气体供应到处理容器中，然后从被处理的基板中除去第三原料气体;第四步骤，将含有氢或氢化合物的第四材料气体供应到处理容器中， 然后从处理配件的内部去除第四原料气体 TAINER。