갭-충전 방법
    6.
    发明公开
    갭-충전 방법 审中-实审
    GAP填充方法

    公开(公告)号:KR1020150075046A

    公开(公告)日:2015-07-02

    申请号:KR1020140187562

    申请日:2014-12-23

    Abstract: 갭-충전방법은 (a) 기판의표면에다수의충전될갭을포함하는릴리프이미지를갖는반도체기판을제공하고; (b) 릴리프이미지위에갭-충전조성물을적용하고(여기에서갭-충전조성물은비-가교된가교결합성폴리머, 산촉매, 가교제및 용매를포함하고, 가교결합성폴리머는다음일반화학식 (I)의제 1 유닛:여기에서, R은수소, 불소, C-C알킬및 C-C플루오로알킬로부터선택되고; Ar은가교결합성그룹이없는임의로치환된아릴그룹이고; 및다음일반화학식 (II)의제 2 유닛을포함하고:여기에서, R는수소, 불소, C-C알킬및 C-C플루오로알킬로부터선택되고; R는임의로치환된 C내지 C직쇄, 분지쇄또는사이클릭알킬, 및임의로치환된 C내지 C아릴로, 임의로헤테로원자를포함하고, 여기에서적어도하나의수소원자는독립적으로하이드록실, 카복실, 티올, 아민, 에폭시, 알콕시, 아미드및 비닐그룹으로부터선택되는작용기로치환된다); 및 (c) 폴리머의가교를야기하는온도에서갭-충전조성물을가열하는것을포함한다. 이방법은높은종횡비갭의충전을위한반도체장치의제조에특히적용가능하다.

    Abstract translation: 本发明涉及间隙填充方法,更具体地说,涉及一种应用于制造半导体器件的间隙填充方法。 本发明用于填充用于分离装置的沟槽的间隙。 根据本发明的间隙填充方法包括以下步骤:(a)为半导体衬底提供包括要填充在衬底表面上的多个间隙的浮雕图像; (b)在浮雕图像上施加间隙填充组合物; 和(c)在使聚合物交联的温度下加热间隙填充组合物。 特别地,根据本发明的间隙填充方法适用于以高纵横比填充间隙的半导体器件的制造方法。 本发明的目的是提供一种可用于填充间隙的改进方法。

    갭-충전 방법
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    发明公开
    갭-충전 방법 审中-实审
    - GAP填充方法

    公开(公告)号:KR1020160119011A

    公开(公告)日:2016-10-12

    申请号:KR1020160125437

    申请日:2016-09-29

    Abstract: 갭-충전방법은 (a) 기판의표면에다수의충전될갭을포함하는릴리프이미지를갖는반도체기판을제공하고; (b) 릴리프이미지위에갭-충전조성물을적용하고(여기에서갭-충전조성물은비-가교된가교결합성폴리머, 산촉매, 가교제및 용매를포함하고, 가교결합성폴리머는다음일반화학식 (I)의제 1 유닛:여기에서, R은수소, 불소, C-C알킬및 C-C플루오로알킬로부터선택되고; Ar은가교결합성그룹이없는임의로치환된아릴그룹이고; 및다음일반화학식 (II)의제 2 유닛을포함하고:여기에서, R는수소, 불소, C-C알킬및 C-C플루오로알킬로부터선택되고; R는임의로치환된 C내지 C직쇄, 분지쇄또는사이클릭알킬, 및임의로치환된 C내지 C아릴로, 임의로헤테로원자를포함하고, 여기에서적어도하나의수소원자는독립적으로하이드록실, 카복실, 티올, 아민, 에폭시, 알콕시, 아미드및 비닐그룹으로부터선택되는작용기로치환된다); 및 (c) 폴리머의가교를야기하는온도에서갭-충전조성물을가열하는것을포함한다. 이방법은높은종횡비갭의충전을위한반도체장치의제조에특히적용가능하다.

    Abstract translation: 间隙填充方法包括:(a)在衬底的表面上提供具有浮雕图像的半导体衬底,所述浮雕图像包括要填充的多个间隙; (b)在所述浮雕图像上施加间隙填充组合物,其中所述间隙填充组合物包含非交联的可交联聚合物,酸催化剂,交联剂和溶剂,其中所述可交联聚合物包含以下通用物质的第一单元 式(I):其中:R 1选自氢,氟,C 1 -C 3烷基和C 1 -C 3氟代烷基; 并且Ar1是不含可交联基团的任选取代的芳基; 和下列通式(II)的第二单元:其中:R 3选自氢,氟,C 1 -C 3烷基和C 1 -C 3氟代烷基; 并且R 4选自任选取代的C 1至C 12直链,支链或环状烷基,以及任选含有杂原子的任选取代的C 6至C 15芳基,其中至少一个氢原子被独立地选自羟基,羧基,硫醇, 胺,环氧,烷氧基,酰胺和乙烯基; 和(c)在一定温度下加热间隙填充组合物以使聚合物交联。 该方法在用于填充高纵横比间隙的半导体器件的制造中具有特别的适用性。

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