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公开(公告)号：KR102159557B1
公开(公告)日：2020-09-25
申请号：KR1020180064164
申请日：2018-06-04
Applicant: 롬엔드하스전자재료코리아유한회사
IPC: G03F7/09 , G03F7/11 , G02B1/11 , C09D5/00 , C09D201/08 , C09D201/02 , G03F7/20 , G03F7/26
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公开(公告)号：KR101909884B1
公开(公告)日：2018-10-22
申请号：KR1020160151375
申请日：2016-11-14
Applicant: 롬엔드하스전자재료코리아유한회사
IPC: G03F7/20 , G03F7/004 , C08L61/14 , C09D161/14
CPC classification number: G03F7/091 , C08F220/18 , C08F220/30 , C08F220/32 , C08F2220/302 , C08F2220/325 , C08G63/685 , C08G63/78 , C09D5/006 , C09D133/08 , C09D133/14 , C09D167/00 , G03F7/162 , G03F7/168 , G03F7/2006 , G03F7/327
Abstract: 바람직한양태에서, 1) 하나이상의글리시딜기; 및 2) 각각히드록시, 티올및/또는아민잔기를포함하는둘 이상의치환기를포함하는하나이상의방향족기를포함하는유기코팅조성물, 특히오버코팅된포토레지스트와함께사용하기위한반사방지코팅조성물이제공된다. 또한, 카테콜-함유중합체및 이의제조방법이제공된다.
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公开(公告)号：KR102255221B1
公开(公告)日：2021-05-24
申请号：KR1020130165008
申请日：2013-12-27
Applicant: 롬엔드하스전자재료코리아유한회사
IPC: C09D201/00 , G02B1/11 , C09D5/00 , C09D7/40 , G03F7/26
Abstract: 본발명의반사방지코팅조성물은, 조성물내의고분자수지에가교제를부착시키고조성물내의저분자가교제의함량을최소화하여열경화개시온도를조절함으로써, 기판의패턴의모서리에의해열경화과정에서반사방지코팅층이찢기는풀백(pull-back) 현상을방지하고패턴의틈새충전(gap-filling) 성능을보다향상시킬수 있다.
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Patent Agency Ranking
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公开(公告)号：KR1020160004945A
公开(公告)日：2016-01-13
申请号：KR1020150094381
申请日：2015-07-01
Applicant: 롬 앤드 하스 일렉트로닉 머트어리얼즈 엘엘씨 , 롬엔드하스전자재료코리아유한회사
IPC: H01L21/768 , H01L21/027 , H01L21/02
CPC classification number: H01L21/76224 , H01L21/0276 , H01L21/31058
Abstract: 갭-충전방법이제공된다. 이방법은 (a) 기판의표면상에너비가 50 nm 이하인충전될다수의갭을포함하는릴리프이미지를갖는반도체기판을제공하고; (b) 가교성그룹을포함하는제1 폴리머, 발색단을포함하는제2 폴리머, 가교제, 산촉매및 용매를포함하며여기서제1 폴리머와제2 폴리머는상이하며갭내에배치되는갭-충전조성물을릴리프이미지위에적용하고; (c) 갭-충전조성물을, 제1 폴리머가자기-가교화되고/되거나제2 폴리머와가교화할수 있는온도에서가열하여가교화된폴리머를형성하고; (d) 가교화된폴리머-충전된갭을포함하는기판위에포토레지스트층을형성하고; (e) 포토레지스트층을활성조사선에패턴식으로노광하고; (f) 포토레지스트층을현상하여포토레지스트패턴을형성하는단계를포함한다. 본방법은반도체디바이스제조에서반사방지코팅물질로고종횡비갭을충전하는데특별한적용성을갖는다.
Abstract translation: 提供了间隙填充方法。 所述方法包括：（a）在衬底的表面上提供具有浮雕图像的半导体衬底，其中所述浮雕图像包括要填充的多个间隙，并且所述间隙具有50nm或更小的宽度; （b）在所述浮雕图像上施加间隙填充组合物，其中所述间隙填充组合物包含包含可交联基团的第一聚合物，包含发色团的第二聚合物，其中所述第一聚合物和所述第二聚合物不同，交联剂，酸 催化剂和溶剂，其中间隙填充组合物布置在间隙中; （c）在一定温度下加热间隙填充组合物以使第一聚合物与第二聚合物自交联和/或交联以形成交联聚合物; （d）在包含交联聚合物填充间隙的基底上形成光致抗蚀剂层; （e）将光致抗蚀剂层图形化地曝光于激活辐射; 和（f）显影光致抗蚀剂层以形成光致抗蚀剂图案。 该方法特别适用于在半导体器件的制造中用抗反射涂层材料填充高纵横比间隙。
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公开(公告)号：KR1020150076604A
公开(公告)日：2015-07-07
申请号：KR1020130165008
申请日：2013-12-27
Applicant: 롬엔드하스전자재료코리아유한회사
IPC: C09D201/00 , G02B1/11 , C09D5/00 , C09D7/12 , G03F7/26
CPC classification number: G03F7/091 , C09D5/006 , C09D179/08 , C09D201/00 , C09D5/00 , G02B1/11 , G03F7/26
Abstract: 본발명의반사방지코팅조성물은, 조성물내의고분자수지에가교제를부착시키고조성물내의저분자가교제의함량을최소화하여열경화개시온도를조절함으로써, 기판의패턴의모서리에의해열경화과정에서반사방지코팅층이찢기는풀백(pull-back) 현상을방지하고패턴의틈새충전(gap-filling) 성능을보다향상시킬수 있다.
Abstract translation: 本发明提供一种用于纳米光刻的有机底部防反射涂料组合物，其通过将交联剂连接到聚合物树脂上并使组合物中低分子量交联剂的含量最小化并因此调节温度以引发热固化，从而防止拉回现象 ，其中在热固化过程中，抗反射涂层由基板上的图案边缘撕裂，并进一步提高间隙填充性能。
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公开(公告)号：KR1020150075046A
公开(公告)日：2015-07-02
申请号：KR1020140187562
申请日：2014-12-23
Applicant: 롬 앤드 하스 일렉트로닉 머트어리얼즈 엘엘씨 , 다우 글로벌 테크놀로지스 엘엘씨 , 롬엔드하스전자재료코리아유한회사
IPC: H01L21/762 , C08L25/06 , C08L33/14 , H01L21/768
CPC classification number: H01L21/76224 , H01L21/31058 , C08L25/06 , C08L33/14 , C08L2203/20 , H01L21/76877
Abstract: 갭-충전방법은 (a) 기판의표면에다수의충전될갭을포함하는릴리프이미지를갖는반도체기판을제공하고; (b) 릴리프이미지위에갭-충전조성물을적용하고(여기에서갭-충전조성물은비-가교된가교결합성폴리머, 산촉매, 가교제및 용매를포함하고, 가교결합성폴리머는다음일반화학식 (I)의제 1 유닛:여기에서, R은수소, 불소, C-C알킬및 C-C플루오로알킬로부터선택되고; Ar은가교결합성그룹이없는임의로치환된아릴그룹이고; 및다음일반화학식 (II)의제 2 유닛을포함하고:여기에서, R는수소, 불소, C-C알킬및 C-C플루오로알킬로부터선택되고; R는임의로치환된 C내지 C직쇄, 분지쇄또는사이클릭알킬, 및임의로치환된 C내지 C아릴로, 임의로헤테로원자를포함하고, 여기에서적어도하나의수소원자는독립적으로하이드록실, 카복실, 티올, 아민, 에폭시, 알콕시, 아미드및 비닐그룹으로부터선택되는작용기로치환된다); 및 (c) 폴리머의가교를야기하는온도에서갭-충전조성물을가열하는것을포함한다. 이방법은높은종횡비갭의충전을위한반도체장치의제조에특히적용가능하다.
Abstract translation: 本发明涉及间隙填充方法，更具体地说，涉及一种应用于制造半导体器件的间隙填充方法。 本发明用于填充用于分离装置的沟槽的间隙。 根据本发明的间隙填充方法包括以下步骤：（a）为半导体衬底提供包括要填充在衬底表面上的多个间隙的浮雕图像; （b）在浮雕图像上施加间隙填充组合物; 和（c）在使聚合物交联的温度下加热间隙填充组合物。 特别地，根据本发明的间隙填充方法适用于以高纵横比填充间隙的半导体器件的制造方法。 本发明的目的是提供一种可用于填充间隙的改进方法。
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公开(公告)号：KR101759896B1
公开(公告)日：2017-07-20
申请号：KR1020150094381
申请日：2015-07-01
Applicant: 롬 앤드 하스 일렉트로닉 머트어리얼즈 엘엘씨 , 롬엔드하스전자재료코리아유한회사
IPC: H01L21/768 , H01L21/027 , H01L21/02
CPC classification number: H01L21/76224 , H01L21/0276 , H01L21/31058
Abstract: 갭-충전방법이제공된다. 이방법은 (a) 기판의표면상에너비가 50 nm 이하인충전될다수의갭을포함하는릴리프이미지를갖는반도체기판을제공하고; (b) 가교성그룹을포함하는제1 폴리머, 발색단을포함하는제2 폴리머, 가교제, 산촉매및 용매를포함하며여기서제1 폴리머와제2 폴리머는상이하며갭내에배치되는갭-충전조성물을릴리프이미지위에적용하고; (c) 갭-충전조성물을, 제1 폴리머가자기-가교화되고/되거나제2 폴리머와가교화할수 있는온도에서가열하여가교화된폴리머를형성하고; (d) 가교화된폴리머-충전된갭을포함하는기판위에포토레지스트층을형성하고; (e) 포토레지스트층을활성조사선에패턴식으로노광하고; (f) 포토레지스트층을현상하여포토레지스트패턴을형성하는단계를포함한다. 본방법은반도체디바이스제조에서반사방지코팅물질로고종횡비갭을충전하는데특별한적용성을갖는다.
Abstract translation: 提供了间隙填充方法。 （A）提供具有浮雕图像的半导体衬底，所述浮雕图像包括在所述衬底的所述表面上以50nm或更小的宽度填充的多个间隙; （b）包含交联基团的第一聚合物，包含发色团的第二聚合物，交联剂，酸催化剂和溶剂，其中所述第一聚合物和所述第二聚合物不同且排列在间隙中， 适用于图片; （c）在第一聚合物自交联和/或与第二聚合物相容的温度下加热间隙填充组合物以形成未固化的聚合物; （d）在包含交联聚合物填充间隙的基底上形成光致抗蚀剂层; （e）用光化辐射构图光致抗蚀剂层; （f）显影光致抗蚀剂层以形成光致抗蚀剂图案。 该方法在填充半导体器件制造中的抗反射涂层材料标识纵横比间隙方面具有特殊的适用性。
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