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公开(公告)号：KR102233875B1
公开(公告)日：2021-03-30
申请号：KR1020130166928A
申请日：2013-12-30
Applicant: 롬엔드하스전자재료코리아유한회사
IPC: H01L21/027 , G03F7/004 , G03F7/029 , G03F7/11 , G03F7/26
CPC classification number: G03F7/0382 , G03F7/091 , H01L21/0276
Abstract: 본 발명의 네거티브톤 현상(NTD)에 의한 패턴 형성 방법은, 기판과 포토레지스트 조성물층 사이에 광산 발생제를 포함하는 반사방지 코팅 조성물층을 형성하여 수행함으로써, 노광시에 포토레지스트 조성물층의 디블로킹을 보다 활성화시켜 현상된 패턴이 쓰러지는 현상을 방지하고 패턴의 최소 선폭 특성을 향상시킬 수 있다
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公开(公告)号：KR102003215B1
公开(公告)日：2019-07-25
申请号：KR1020160141353
申请日：2016-10-27
Applicant: 롬엔드하스전자재료코리아유한회사
IPC: G03F7/004 , H01L21/027 , G03F7/00
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公开(公告)号：KR101759896B1
公开(公告)日：2017-07-20
申请号：KR1020150094381
申请日：2015-07-01
Applicant: 롬 앤드 하스 일렉트로닉 머트어리얼즈 엘엘씨 , 롬엔드하스전자재료코리아유한회사
IPC: H01L21/768 , H01L21/027 , H01L21/02
CPC classification number: H01L21/76224 , H01L21/0276 , H01L21/31058
Abstract: 갭-충전방법이제공된다. 이방법은 (a) 기판의표면상에너비가 50 nm 이하인충전될다수의갭을포함하는릴리프이미지를갖는반도체기판을제공하고; (b) 가교성그룹을포함하는제1 폴리머, 발색단을포함하는제2 폴리머, 가교제, 산촉매및 용매를포함하며여기서제1 폴리머와제2 폴리머는상이하며갭내에배치되는갭-충전조성물을릴리프이미지위에적용하고; (c) 갭-충전조성물을, 제1 폴리머가자기-가교화되고/되거나제2 폴리머와가교화할수 있는온도에서가열하여가교화된폴리머를형성하고; (d) 가교화된폴리머-충전된갭을포함하는기판위에포토레지스트층을형성하고; (e) 포토레지스트층을활성조사선에패턴식으로노광하고; (f) 포토레지스트층을현상하여포토레지스트패턴을형성하는단계를포함한다. 본방법은반도체디바이스제조에서반사방지코팅물질로고종횡비갭을충전하는데특별한적용성을갖는다.
Abstract translation: 提供了间隙填充方法。 （A）提供具有浮雕图像的半导体衬底，所述浮雕图像包括在所述衬底的所述表面上以50nm或更小的宽度填充的多个间隙; （b）包含交联基团的第一聚合物，包含发色团的第二聚合物，交联剂，酸催化剂和溶剂，其中所述第一聚合物和所述第二聚合物不同且排列在间隙中， 适用于图片; （c）在第一聚合物自交联和/或与第二聚合物相容的温度下加热间隙填充组合物以形成未固化的聚合物; （d）在包含交联聚合物填充间隙的基底上形成光致抗蚀剂层; （e）用光化辐射构图光致抗蚀剂层; （f）显影光致抗蚀剂层以形成光致抗蚀剂图案。 该方法在填充半导体器件制造中的抗反射涂层材料标识纵横比间隙方面具有特殊的适用性。
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公开(公告)号：KR1020170071412A
公开(公告)日：2017-06-23
申请号：KR1020160151375
申请日：2016-11-14
Applicant: 롬엔드하스전자재료코리아유한회사
IPC: G03F7/20 , G03F7/004 , C08L61/14 , C09D161/14
CPC classification number: G03F7/091 , C08F220/18 , C08F220/30 , C08F220/32 , C08F2220/302 , C08F2220/325 , C08G63/685 , C08G63/78 , C09D5/006 , C09D133/08 , C09D133/14 , C09D167/00 , G03F7/162 , G03F7/168 , G03F7/2006 , G03F7/327
Abstract: 바람직한양태에서, 1) 하나이상의글리시딜기; 및 2) 각각히드록시, 티올및/또는아민잔기를포함하는둘 이상의치환기를포함하는하나이상의방향족기를포함하는유기코팅조성물, 특히오버코팅된포토레지스트와함께사용하기위한반사방지코팅조성물이제공된다. 또한, 카테콜-함유중합체및 이의제조방법이제공된다.
Abstract translation: 在一个优选实施方案中：1）一个或多个缩水甘油基; 和2）各自是羟基，该抗反射涂料组合物提供了一种用于与硫醇和/或包含a。至少一种含芳族含胺部分多于一个取代基，尤其是外涂光刻胶的有机涂料组合物，使用 。 还提供了含儿茶酚的聚合物及其制备方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101909884B1
公开(公告)日：2018-10-22
申请号：KR1020160151375
申请日：2016-11-14
Applicant: 롬엔드하스전자재료코리아유한회사
IPC: G03F7/20 , G03F7/004 , C08L61/14 , C09D161/14
CPC classification number: G03F7/091 , C08F220/18 , C08F220/30 , C08F220/32 , C08F2220/302 , C08F2220/325 , C08G63/685 , C08G63/78 , C09D5/006 , C09D133/08 , C09D133/14 , C09D167/00 , G03F7/162 , G03F7/168 , G03F7/2006 , G03F7/327
Abstract: 바람직한양태에서, 1) 하나이상의글리시딜기; 및 2) 각각히드록시, 티올및/또는아민잔기를포함하는둘 이상의치환기를포함하는하나이상의방향족기를포함하는유기코팅조성물, 특히오버코팅된포토레지스트와함께사용하기위한반사방지코팅조성물이제공된다. 또한, 카테콜-함유중합체및 이의제조방법이제공된다.
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公开(公告)号：KR102255221B1
公开(公告)日：2021-05-24
申请号：KR1020130165008
申请日：2013-12-27
Applicant: 롬엔드하스전자재료코리아유한회사
IPC: C09D201/00 , G02B1/11 , C09D5/00 , C09D7/40 , G03F7/26
Abstract: 본발명의반사방지코팅조성물은, 조성물내의고분자수지에가교제를부착시키고조성물내의저분자가교제의함량을최소화하여열경화개시온도를조절함으로써, 기판의패턴의모서리에의해열경화과정에서반사방지코팅층이찢기는풀백(pull-back) 현상을방지하고패턴의틈새충전(gap-filling) 성능을보다향상시킬수 있다.
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公开(公告)号：KR1020160004945A
公开(公告)日：2016-01-13
申请号：KR1020150094381
申请日：2015-07-01
Applicant: 롬 앤드 하스 일렉트로닉 머트어리얼즈 엘엘씨 , 롬엔드하스전자재료코리아유한회사
IPC: H01L21/768 , H01L21/027 , H01L21/02
CPC classification number: H01L21/76224 , H01L21/0276 , H01L21/31058
Abstract: 갭-충전방법이제공된다. 이방법은 (a) 기판의표면상에너비가 50 nm 이하인충전될다수의갭을포함하는릴리프이미지를갖는반도체기판을제공하고; (b) 가교성그룹을포함하는제1 폴리머, 발색단을포함하는제2 폴리머, 가교제, 산촉매및 용매를포함하며여기서제1 폴리머와제2 폴리머는상이하며갭내에배치되는갭-충전조성물을릴리프이미지위에적용하고; (c) 갭-충전조성물을, 제1 폴리머가자기-가교화되고/되거나제2 폴리머와가교화할수 있는온도에서가열하여가교화된폴리머를형성하고; (d) 가교화된폴리머-충전된갭을포함하는기판위에포토레지스트층을형성하고; (e) 포토레지스트층을활성조사선에패턴식으로노광하고; (f) 포토레지스트층을현상하여포토레지스트패턴을형성하는단계를포함한다. 본방법은반도체디바이스제조에서반사방지코팅물질로고종횡비갭을충전하는데특별한적용성을갖는다.
Abstract translation: 提供了间隙填充方法。 所述方法包括：（a）在衬底的表面上提供具有浮雕图像的半导体衬底，其中所述浮雕图像包括要填充的多个间隙，并且所述间隙具有50nm或更小的宽度; （b）在所述浮雕图像上施加间隙填充组合物，其中所述间隙填充组合物包含包含可交联基团的第一聚合物，包含发色团的第二聚合物，其中所述第一聚合物和所述第二聚合物不同，交联剂，酸 催化剂和溶剂，其中间隙填充组合物布置在间隙中; （c）在一定温度下加热间隙填充组合物以使第一聚合物与第二聚合物自交联和/或交联以形成交联聚合物; （d）在包含交联聚合物填充间隙的基底上形成光致抗蚀剂层; （e）将光致抗蚀剂层图形化地曝光于激活辐射; 和（f）显影光致抗蚀剂层以形成光致抗蚀剂图案。 该方法特别适用于在半导体器件的制造中用抗反射涂层材料填充高纵横比间隙。
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公开(公告)号：KR102151958B1
公开(公告)日：2020-09-04
申请号：KR1020180106964
申请日：2018-09-07
Applicant: 롬엔드하스전자재료코리아유한회사
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