公开(公告)号：KR1020090056475A

公开(公告)日：2009-06-03

申请号：KR1020070123630

申请日：2007-11-30

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 권경수 ,  채희선 ,  장우성 ,  지연홍 ,  김도형 ,  이경섭 ,  남정훈

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/32165 ,  H01J37/32357

Abstract: A plasma processing apparatus is provided to prevent recombination of a source gas while maximizing resolution ratio by generating plasma inside/outside of a chamber. A process chamber is formed at a chamber(110) to process a substrate(90) through plasma, and a source gas supply unit(180) supplies a source gas for processing the substrate to the chamber. A remote plasma generation unit(160) is arranged between a chamber and a source gas supply unit, and it supplies power to excite the source gas to first energy level plasma. A direct plasma generating unit(150) includes a chamber to excite the first energy level gas to second energy level plasma.

Abstract translation: 提供了一种等离子体处理装置，用于防止源气体的复合，同时通过在室内/外部产生等离子体来最大化分辨率。 在室（110）处形成处理室，以通过等离子体处理衬底（90），并且源气体供应单元（180）将用于处理衬底的源气体供应到腔室。 远程等离子体生成单元（160）设置在室和源气体供给单元之间，并且其供应功率以将源气体激发到第一能级等离子体。 直接等离子体产生单元（150）包括用于将第一能量级气体激发到第二能级等离子体的室。

公开(公告)号：KR1020090001030A

公开(公告)日：2009-01-08

申请号：KR1020070065086

申请日：2007-06-29

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 권경수 ,  채희선

IPC: H01L21/304 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L21/6704 ,  H01L21/67207

Abstract: A manufacturing apparatus for a semiconductor is provided to connect a cleaning gas supply line to a plurality of reaction chambers from a remote plasma generator and supply cleaning gas to a plurality of reaction chambers successively in order to reduce the idle time of the standby state of the remote plasma generator. A source gas supply part(120) supplies source gas for a process of manufacturing a semiconductor to a plurality of reaction chambers(110). A washing gas supply part(150) supplies cleaning gas for washing a plurality of reaction chambers. A remote plasma generator(160) excites cleaning gas supplied from the washing gas supply part into a plasma state. A cleaning gas lines are serially connected from the washing gas supply part to the remote plasma generator. The cleaning gas lines(170) are branched from the backend of the remote plasma generator and are parallelly connected to a plurality of reaction chambers. A plurality of washing gas valves(180) control the flow of the cleaning gas supplied to a plurality of reaction chambers through cleaning gas lines.

Abstract translation: 提供了一种用于半导体的制造装置，用于将清洁气体供应管线连接到来自远程等离子体发生器的多个反应室，并且连续地将清洁气体供应到多个反应室，以便减少待机状态的空闲时间 远程等离子发生器。 源气体供给部件（120）将用于制造半导体的工艺的源气体供应到多个反应室（110）。 洗涤气体供给部（150）供给清洗多个反应室的清洗气体。 远程等离子体发生器（160）将从洗涤气体供应部分提供的清洁气体激发到等离子体状态。 清洗气体管线从洗涤气体供应部分串联连接到远程等离子体发生器。 清洁气体管线（170）从远程等离子体发生器的后端分支并且并联连接到多个反应室。 多个洗涤气体阀（180）通过清洁气体管线控制供应到多个反应室的清洁气体的流动。

公开(公告)号：KR1020060124043A

公开(公告)日：2006-12-05

申请号：KR1020050045768

申请日：2005-05-30

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김용규 ,  전진호 ,  권경수

IPC: H01L21/762

CPC classification number: H01L21/76224

Abstract: A semiconductor fabricating apparatus capable of performing a reliable gap-fill process is provided to obtain uniform etching effect even if the thickness of a deposited oxide layer varies, by etching an oxide layer by an EPD(end point detection) method instead of a conventional time etching method. A chuck(118) on which a wafer is placed is disposed in a chamber(105). Plasma of etching gas used in a process for etching the wafer is generated in the chamber. A sensor(130) detects an end point of an etch process for the wafer, including a sensor for detecting the wavelength of light generated from the inside of the chamber during the etch process. A control part(132) determines the end point of the etch process, connected to the sensor.

Abstract translation: 提供能够进行可靠的间隙填充处理的半导体制造装置，即使沉积的氧化物层的厚度变化，也可以通过EPD（终点检测）法代替常规时间蚀刻氧化物层来获得均匀的蚀刻效果 蚀刻方法。 其中放置晶片的卡盘（118）设置在腔室（105）中。 在室中产生用于蚀刻晶片的工艺中的蚀刻气体的等离子体。 传感器（130）检测晶片的蚀刻工艺的终点，包括用于在蚀刻工艺期间检测从腔室内部产生的光的波长的传感器。 控制部件（132）确定连接到传感器的蚀刻工艺的终点。

公开(公告)号：KR100725938B1

公开(公告)日：2007-06-11

申请号：KR1020050045768

申请日：2005-05-30

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김용규 ,  전진호 ,  권경수

IPC: H01L21/762

CPC classification number: H01L21/76224

Abstract: 본 발명은 신뢰성있는 갭 필 공정을 진행할 수 있는 반도체 제조 장치 및 이를 이용한 반도체 제조 공정 방법에 관한 것이다. 개시된 본 발명은 웨이퍼가 놓이는 척이 배치되고 상기 웨이퍼에 대한 에칭 공정에 사용되는 에칭 가스로 이루어진 플라즈마가 발생되는 챔버와, 상기 웨이퍼에 대한 에칭 공정의 완료점을 검출하는 센서와, 상기 센서와 연결되어 상기 에칭 공정의 완료점을 결정하는 제어부를 포함하는 것을 특징으로 한다. 이에 의하면, 엔드포인트 디텍션 방식으로 산화막을 에칭함으로써 산화막 증착 두께가 다르더라도 균일한 에칭 효과를 얻을 수 있게 된다. 이에 따라, 에칭의 불균일성에 의해 나타날 수 있는 갭 필 공정의 불안정성을 제거하여 신뢰성 있는 갭 필 공정을 실현할 수 있는 효과가 있다.
반도체, 에칭, 고밀도플라즈마(HDP), 엔드포인트디텍션(EPD), 갭필

公开(公告)号：KR2020000019332U

公开(公告)日：2000-11-15

申请号：KR2019990005787

申请日：1999-04-09

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 권경수

IPC: H01L21/20

Abstract: 본고안에따른반도체증착장치를제시한다. 본고안에따르면반도체증착장비에있어서사프트와접촉되는 T-실의단면에윤활제가잔존될수 있는요홈을형성하여 T-실의구조를변경시킨다. 따라서, 사프트와접촉되는 T-실의단면에형성된요홈에의해윤활제의손실을줄여윤활제의잔존을연장시킬수 있다. 또한, T-실의접촉면적을줄임으로서윤활제의소모에따른마찰응력를감소시켜스핀들포크의뒤처짐현상을방지할수 있다.

公开(公告)号：KR2020000015524U

公开(公告)日：2000-08-05

申请号：KR2019990000054

申请日：1999-01-07

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 권경수 ,  하철

IPC: H01L21/205

Abstract: 본고안에따른화학기상증착장치의플랜지키드를제시한다. 본고안은사프트와결합되는플랜지키드의접합면일측에홈을형성한다. 따라서, 열이나가스등의외부영향에의해사프트가플랜지키드에끼이거나접착되는것을방지할수 있으며또한, 플랜지키드와사프트간의분해및 조립을용이하게실시할수 있다.

公开(公告)号：KR1020070030426A

公开(公告)日：2007-03-16

申请号：KR1020050085067

申请日：2005-09-13

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 권경수

IPC: B66F3/35

CPC classification number: B66F3/35 ,  B66F3/44

Abstract: 기울어짐을 방지할 수 있는 벨로우즈를 이용한 리프트 장치에 있어서, 팽창 및 수축 운동을 수행하기 위한 벨로우즈가 구비된다. 벨로우즈의 상부에는 벨로우즈에 의해 상하 운동하면서 대상물을 지지하며, 벨로우즈와의 결합을 위한 다각 홈을 갖는 리프트 플레이트가 배치된다. 벨로우즈의 단부로부터 벨로우즈의 축 방향을 따라 연장하고, 다각 홈에 대응하는 다각 기둥 형상을 가지며 다각 홈에 삽입되어 벨로우즈와 리프트 플레이트 사이를 연결하기 위한 연결 부재가 구비된다. 이와 같이, 리프트 플레이트가 다각 기둥 형상의 연결 부재에 의해 벨로우즈와 안정적으로 체결됨으로써, 반복적인 상하 운동시 리프트 플레이트의 기울어짐 또는 흔들림 현상을 방지할 수 있다.

公开(公告)号：KR100520221B1

公开(公告)日：2005-10-11

申请号：KR1020030036260

申请日：2003-06-05

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 조정훈 ,  배도인 ,  정이하 ,  권경수 ,  이승배

IPC: H01L21/68

Abstract: 본 발명은 웨이퍼 이송용 블레이드의 미끄럼 방지장치에 관한 것으로서, 평판의 상부면으로 폭간 중심선을 기준으로 양측에 각각 대응되게 복수개의 링홈(10)을 형성하고, 이 링홈(10)의 중앙에는 보다 작은 직경으로 판면을 하향 관통되게 하여 공기 배출공(20)을 형성하며, 링홈(10)과 공기 배출공(20)의 단차진 걸림턱(11)에는 링홈(10)의 두께보다는 큰 단면 직경으로 이루어지는 O링(30)이 삽입되도록 하는 웨이퍼 이송용 블레이드의 미끄럼 방지장치에 있어서, 링홈(10)의 상부로부터는 상단부측 머리부(41)가 상기 O링(30)의 내경보다는 크고 상기 O링(30)의 내경과 외경간 중앙의 직경보다는 작은 외경을 가지며, 중앙은 소정의 직경으로 수직 관통되게 한 고정 수단(40)을 하부의 체결부(42)가 공기 배출공(20)에 나사 체결되게 하면서 상기 O링(30)을 견고하게 고� �시키도록 하는 구성이 특징인 바

公开(公告)号：KR1020040106944A

公开(公告)日：2004-12-20

申请号：KR1020030036260

申请日：2003-06-05

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 조정훈 ,  배도인 ,  정이하 ,  권경수 ,  이승배

IPC: H01L21/68

Abstract: PURPOSE: An apparatus for preventing sliding on a blade for moving a wafer is provided to restrain the sliding by maintaining a fixing state of a ring groove by using an O-ring fixed on the ring groove. CONSTITUTION: An apparatus for preventing sliding on a blade includes a plurality of ring grooves(10), an air outlet(20), and an O-ring(30). The ring grooves are formed to be correspond to each other with a central line between them. The air outlet penetrates a plate surface at a center of the ring grooves. The O-ring has a cross sectional diameter which is greater than the ring groove at a stepped portion of the air outlet. A header portion of an upper terminal has an outer diameter which is greater than an inner diameter of the O-ring and smaller than a central diameter between the inner and outer diameters of the O-ring. A fixing unit(40) having a ventilating groove(43) normal to the central portion of the header of the upper terminal fixes the O-ring firmly by bolt-coupling the ventilating groove with a lower connector thereof.

Abstract translation: 目的：提供一种用于防止在刀片上滑动以移动晶片的装置，以通过使用固定在环形槽上的O形环来维持环形槽的固定状态来抑制滑动。 构成：用于防止在叶片上滑动的装置包括多个环形槽（10），空气出口（20）和O形环（30）。 环槽形成为在它们之间具有中心线而彼此对应。 空气出口穿过环形槽的中心的板表面。 O形环的横截面直径大于空气出口的阶梯部分处的环形槽。 上端子的头部具有比O形环的内径大的外径，并且小于O形环的内径和外径之间的中心直径。 具有与上端子的集管的中心部分垂直的通风槽（43）的固定单元（40）通过将通风槽与其下连接器螺栓连接来牢固地固定O形环。

公开(公告)号：KR1020020064009A

公开(公告)日：2002-08-07

申请号：KR1020010004581

申请日：2001-01-31

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 권경수

IPC: H01L21/00

Abstract: PURPOSE: A process skipping prevention method is provided to reduce the number of a defected wafer by preventing a progress of a defected wafer to following processes. CONSTITUTION: A process skipping prevention method comprises the first step(201) for getting an identification number of a lot, a process name and the wafer number from a process controller, the second step(203) for loading the lot to a loader of a semiconductor equipment and the third step(205) for counting the number of stacked wafers on the lot by detecting the wafer in each slot of a carrier. The process skipping prevention method further includes the fourth step(207) for comparing the wafer number supplied from the process controller with the counted number of stacked wafers on the lot and a last step for performing normal following processes when the previous step(207) is normal or stopping the following processes when the previous step(207) is abnormal.

Abstract translation: 目的：提供防跳过程的方法，通过防止缺陷晶片进行后续处理来减少缺陷晶片的数量。 构成：过程跳过预防方法包括从过程控制器获取批次的识别号码，进程名称和晶片号码的第一步骤（201），用于将批次装载到装载机的第二步骤（203） 半导体设备和第三步骤（205），用于通过检测载体的每个槽中的晶片来对批次上的堆叠晶片的数量进行计数。 过程跳过预防方法还包括第四步骤（207），用于将从处理控制器提供的晶片数量与批次上的堆叠晶片的计数数目进行比较，以及当前一步骤（207）为 正常或停止以前的步骤（207）异常时。