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公开(公告)号：KR1020170043894A
公开(公告)日：2017-04-24
申请号：KR1020150143541
申请日：2015-10-14
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L29/78 , H01L29/423
CPC classification number: H01L29/7831 , H01L29/401 , H01L29/42364 , H01L29/513 , H01L29/66484 , H01L29/66545 , H01L29/7843 , H01L29/785 , H01L29/7854
Abstract: 원소반도체물질을층간절연막에주입또는도핑하여게이트전극및 게이트스페이서의프로파일을조절할수 있는반도체장치를제공하는것이다. 상기반도체장치는기판상에, 트렌치를정의하는게이트스페이서, 상기트렌치를채우는게이트전극, 및상기기판상에, 상기게이트스페이서를감싸는층간절연막을포함하고, 상기층간절연막의적어도일부는게르마늄을포함한다.
Abstract translation: 并且能够通过将元素半导体材料注入或掺杂到层间绝缘膜中来控制栅电极和栅极间隔物的轮廓的半导体器件。 在基板上的半导体器件中，栅极隔离物以限定沟槽，在填充沟槽栅电极，以及在衬底和包含层间绝缘膜包围所述栅极隔离件，至少层之间的绝缘膜的一部分包含锗 。
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公开(公告)号：KR1020040072348A
公开(公告)日：2004-08-18
申请号：KR1020030008798
申请日：2003-02-12
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/205
Abstract: PURPOSE: A high-density plasma CVD(Chemical Vapor Deposition) apparatus is provided to form uniformly thickness of an insulating layer by injecting uniformly a gas on the surface of a wafer. CONSTITUTION: A chamber(110) is used for performing a process for depositing an insulating layer. A cover(120) is installed on an upper part of the chamber. An electrostatic chuck(130) is arranged at the bottom of the chamber. A wafer is loaded and fixed on the electrostatic chuck. The first injectors(142) are arranged on an inner wall of the chamber in order to inject a source gas. The second injectors(144) are arranged between the first injectors. The second injectors are longer than the first injectors. The second injectors are used for forming uniformly the amount of gas on an edge and a center of the wafer.
Abstract translation: 目的：提供高密度等离子体CVD（化学气相沉积）装置，通过在晶片表面上均匀地注入气体来形成均匀的绝缘层厚度。 构成：室（110）用于进行沉积绝缘层的工艺。 盖（120）安装在腔室的上部。 静电卡盘（130）布置在腔室的底部。 将晶片装载并固定在静电卡盘上。 第一注射器（142）布置在腔室的内壁上以便注入源气体。 第二喷射器（144）布置在第一喷射器之间。 第二喷射器比第一喷射器长。 第二喷射器用于均匀地形成晶片的边缘和中心上的气体量。
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公开(公告)号：KR1020040048491A
公开(公告)日：2004-06-10
申请号：KR1020020076244
申请日：2002-12-03
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/3105
Abstract: PURPOSE: A planarization method of an inter layer dielectric of a semiconductor device is provided to be capable of simplifying a planarization process by using a spin coating method and reducing heat budgets as a reflow process is carried out. CONSTITUTION: A cell region is formed in a semiconductor substrate for forming a semiconductor memory. A storage poly and plate poly are formed in the cell region. A peripheral circuit is formed in a peripheral region in the semiconductor substrate. An inter layer dielectric(20) is deposited on the entire surface of the resultant structure. A spin coating oxide layer(22) is formed on the resultant structure. A dry etching process is carried out at the resultant structure for partially removing the inter layer dielectric in the cell region and the spin coating oxide layer in the peripheral region.
Abstract translation: 目的：提供半导体器件的层间电介质的平面化方法，以便能够通过使用旋涂法简化平坦化处理，并且在进行回流处理时可以减少热量预算。 构成：在用于形成半导体存储器的半导体衬底中形成单元区域。 在电池区域中形成存储的聚和多晶硅。 外围电路形成在半导体衬底的周边区域中。 在所得结构的整个表面上沉积层间电介质（20）。 在所得结构上形成旋涂氧化物层（22）。 在所得结构中进行干蚀刻处理，以部分去除晶胞区域中的层间电介质和周边区域中的旋涂氧化物层。
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公开(公告)号：KR1020170135590A
公开(公告)日：2017-12-08
申请号：KR1020160067745
申请日：2016-05-31
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L29/78 , H01L29/66 , H01L21/768
CPC classification number: H01L21/76828 , H01L21/76224 , H01L21/76819 , H01L21/823821 , H01L21/823828 , H01L21/823878 , H01L29/66545
Abstract: 본발명의기술적사상에의한반도체소자의제조방법은, 기판의제1 및제2 영역상에각각제1 및제2 패턴구조물을형성하는단계; 상기제1 영역상에상기제1 패턴구조물을덮는예비제1 층간절연막을형성하는단계; 상기제2 영역상에상기제2 패턴구조물을덮고, 제1 콜로이드를포함하는예비제2 층간절연막을형성하는단계; 및상기예비제1 및예비제2 층간절연막을어닐링하여각각제1 및제2 층간절연막으로전환하는단계;를포함할수 있다.
Abstract translation: 根据本发明的技术构思的制造半导体器件的方法包括：在衬底的第一和第二区域上形成第一和第二图案结构; 形成覆盖第一区域上的第一图案结构的初步的第一层间绝缘膜; 形成覆盖第二区域上的第二图案结构并包括第一胶体的初步第二层间绝缘膜; 然后分别对初步的第一和初步的第二层间绝缘膜进行退火以将它们分别转换成第一和第二层间绝缘膜。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020170021637A
公开(公告)日：2017-02-28
申请号：KR1020150116256
申请日：2015-08-18
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: H01L27/0886 , H01L21/823412 , H01L21/823468 , H01L21/823481 , H01L27/088 , H01L29/42376 , H01L29/7843 , H01L29/7851
Abstract: 하이브리드층간절연막을이용하여게이트전극및 게이트스페이서의프로파일을조절할수 있는반도체장치를제공하는것이다. 상기반도체장치는기판상의게이트전극, 상기게이트전극의측벽상에, 상부와하부를포함하는게이트스페이서, 상기기판상에, 상기게이트스페이서의하부와중첩되는하부층간절연막, 및상기하부층간절연막상에, 상기게이트스페이서의상부와중첩되는상부층간절연막을포함하고, 상기하부층간절연막은상기상부층간절연막과상기게이트스페이서의상부사이에비개재된다.
Abstract translation: 以及一种使用混合层间绝缘膜能够调节栅电极和栅间隔物的轮廓的半导体器件。 该半导体器件包括：衬底上的栅电极;栅极间隔物，包括在栅电极的侧壁上的上部和下部;下部层间绝缘膜，覆盖衬底上的栅极间隔物的下部; 以及与栅极间隔物的上部重叠的上层间绝缘膜，其中下层间绝缘膜插入在上层间绝缘膜和栅极间隔物的上部之间。
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公开(公告)号：KR1020030045894A
公开(公告)日：2003-06-12
申请号：KR1020010075819
申请日：2001-12-03
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 류경민
IPC: G08G1/0969
Abstract: PURPOSE: A method for searching facilities in a navigation system is provided to search desired facilities by using the voice through a mobile terminal. CONSTITUTION: A voice recognition mode is selected by using one touch method(502-506). A user voice is recognized and a request message for searching facilities corresponding to the voice signal is transmitted to an information center if the voice recognition mode is selected by using one touch method(508,510). A voice guide operation and a display operation for the information about the facilities are performed if the information about the facilities is received from the information center(512,518,519). A message is transmitted to the user and a response is received from the user if there is not the received information on a path to a destination(512-516).
Abstract translation: 目的：提供一种用于搜索导航系统中的设施的方法，以通过移动终端使用语音来搜索所需的设施。 构成：使用单触式（502-506）选择语音识别模式。 如果通过使用一次触摸方式选择了语音识别模式，则识别用户语音并且将用于搜索对应于语音信号的设备的请求消息发送到信息中心（508,510）。 如果从信息中心接收到关于设施的信息，则执行关于设施的信息的语音指导操作和显示操作（512,518,519）。 如果在到达目的地的路径上没有接收到的信息（512-516），则向用户发送消息并从用户接收响应。
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公开(公告)号：KR101815715B1
公开(公告)日：2018-01-30
申请号：KR1020110066156
申请日：2011-07-04
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 류경민
CPC classification number: H04M1/72533 , H04M1/7253 , H04N21/4126
Abstract: 본발명은휴대단말기의외부기기제어장치및 방법에관한것으로, 특히휴대단말기의방송모드에서출력중인방송을외부기기에서연속적으로출력할수 있는휴대단말기의외부기기제어장치및 방법에관한것이다.이를달성하기위해휴대단말기는, 상기휴대단말기와관련된복수의채널들중 선택된채널의컨텐츠를표시하는표시부와, 상기휴대단말기와관련된복수의채널들, 및외부기기와관련된복수의채널들을저장하는메모리와, 상기메모리에접근하여상기외부기기와관련된복수의채널들중 특정하나의채널을선택하고, 상기복수의채널들중 상기특정채널은상기선택된채널과대응되며, 상기표시부에표시되고있는컨텐츠를상기외부기기에출력하기위해, 상기외부기기를상기특정채널로튜닝하기위한적어도하나의명령어를상기외부기기에전송하는제어부를포함하며, 상기컨텐츠는상기선택된채널을통해상기휴대단말기로수신되고, 상기명령어는상기외부기기를상기특정채널로튜닝하도록지시하며, 상기특정채널과상기선택된채널은상이한 것을특징으로한다.
Abstract translation: 本发明涉及的是，特别地，用于移动终端的外部装置，可以连续地输出的广播设置在便携式终端的广播模式被输出从根据用于便携式终端的外部装置控制设备和方法的外部设备控制装置和方法。完成此 存储器，用于存储与所述便携式终端有关的多个频道和与所述外部设备相关联的多个频道;显示单元，用于显示与所述便携式终端相关联的多个频道中的选定频道的内容; 访问所述存储器以选择与所述外部装置相关联的多个频道中的特定一个频道，其中所述多个频道中的所述特定频道对应于所述选定频道， 以及控制器，用于将用于将外部设备调谐到特定频道的至少一个命令发送到外部设备以输出到设备， 便携式终端通过选择的频道接收内容，并且该指令指示外部设备调谐到特定频道，其中特定频道和选择频道不同。
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公开(公告)号：KR1020170120900A
公开(公告)日：2017-11-01
申请号：KR1020160049408
申请日：2016-04-22
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L29/78 , H01L29/772 , H01L29/66 , H01L21/768
CPC classification number: H01L27/0886 , H01L21/823431 , H01L21/823437 , H01L21/823456 , H01L21/823475 , H01L23/528 , H01L23/53209 , H01L29/66545 , H01L29/7851
Abstract: 집적회로소자는기판상에서제1 방향으로연장되는핀형활성영역과, 상기핀형활성영역위에서상기제1 방향과다른제2 방향으로상호평행하게연장되어있는제1 게이트라인및 제2 게이트라인과, 상기제1 게이트라인의상면을덮고상기제1 게이트라인과평행하게연장되는제1 절연캡핑층과, 상기제2 게이트라인의상면을덮고상기제2 게이트라인과평행하게연장되는제2 절연캡핑층을포함하고, 상기제1 게이트라인의높이와상기제2 게이트라인의높이는서로다르다.
Abstract translation: 第一栅极线和第二栅极线，在被钉扎的有源区上沿不同于第一方向的第二方向彼此平行地延伸; 第一覆盖所述栅极线的上表面和平行于所述第一栅极线，第二绝缘覆盖层覆盖在平行于第二栅极线延伸的第二栅极线的上表面延伸的第一介电顶盖层 其中第一栅极线的高度与第二栅极线的高度彼此不同。
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公开(公告)号：KR1020170047953A
公开(公告)日：2017-05-08
申请号：KR1020150148710
申请日：2015-10-26
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L29/78 , H01L29/66 , H01L29/417
CPC classification number: H01L21/823864 , H01L21/823807 , H01L21/823821 , H01L21/823842 , H01L21/82385 , H01L27/092 , H01L27/0924 , H01L29/0653 , H01L29/42376 , H01L29/7854
Abstract: 반도체장치및 그제조방법이제공된다. 상기반도체장치는기판상에형성되고, 하면의폭에대한상면의폭이제1 비(ratio)를가지는제1 게이트전극, 상기기판상에형성되고, 하면의폭에대한상면의폭이상기제1 비보다작은제2 비를가지는제2 게이트전극, 상기제1 게이트전극의측벽상에형성되는제1 게이트스페이서, 상기제2 게이트전극의측벽상에형성되는제2 게이트스페이서및 상기제1 및제2 게이트스페이서를덮는층간절연막을포함한다.
Abstract translation: 提供了一种半导体器件及其制造方法。 该半导体器件包括：第一栅电极，其形成在衬底上并且相对于底表面的宽度具有顶表面的宽度，并且该底表面的宽度与该宽度之比为1; 形成在第一栅电极的侧壁上的第一栅极间隔物，形成在第二栅电极的侧壁上的第二栅极间隔物以及形成在第二栅电极的侧壁上的第二栅极间隔物， 并且覆盖间隔物的层间绝缘膜。
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