公开(公告)号：KR100699814B1

公开(公告)日：2007-03-27

申请号：KR1020000064217

申请日：2000-10-31

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 심태헌 ,  홍종혁

IPC: H01L21/20

Abstract: 화이트결함이 현저히 감소될 수 있는 반도체 에피택셜 웨이퍼 및 그 제조방법이 개시된다. 본 발명의 에피택셜 웨이퍼는, 그 표면으로부터 일정 깊이의 표면영역은 결정결함이 없는 디누드존이 형성되며, 디누드존을 제외한 벌크부분은 게더링영역이 형성된 반도체 웨이퍼 기판 및 상기 반도체 웨이퍼 기판의 상부면에 형성된 에피택셜층을 포함한다.
산소석출물, 잉곳, 에피택셜층, 질소, 급속열처리

公开(公告)号：KR100360404B1

公开(公告)日：2002-11-13

申请号：KR1020000039556

申请日：2000-07-11

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 심태헌 ,  허태열 ,  강경림 ,  안정훈

IPC: B65B7/02

Abstract: 표면 열화를 방지하는 웨이퍼 패킹 방법을 개시한다. 본 발명의 일 관점은, 300㎜의 대구경 웨이퍼들이 삽입된 카세트를 폴리프로필렌 백(polypropylene bag)에 봉입한 후, 카세트를 폴리프로필렌 백에 봉입된 채로 알루미늄 백에 넣고, 알루미늄 백을 진공을 사용하지 않고 카세트의 외형을 따라 단단하게 밀착시키며 테두리를 몰딩(molding)하고 몰딩된 테두리 부분을 매끈하게 잘라내며 알루미늄 백을 봉한다. 즉, 타이트 컷(tight cut)으로 불필요한 테두리를 마무리한다.

公开(公告)号：KR1020010092087A

公开(公告)日：2001-10-24

申请号：KR1020000014024

申请日：2000-03-20

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 안정훈 ,  조규철 ,  강경림 ,  심태헌

IPC: H01L21/66

Abstract: PURPOSE: A method and an apparatus for measuring a dimensional parameter of a wafer are provided to measure accurately a dimensional parameter of a wafer by using an electric measuring method and an optical measuring method. CONSTITUTION: An electric measuring unit(350) measures a dimensional parameter of a wafer transferred from a wafer positioning unit(340) by an electric measuring method using a capacitance. An optical measuring unit(360) measures the dimensional parameter of the wafer transferred from the electric measuring unit(350) by an optical method using a laser beam. The electric measuring unit(350) measures a mean value of center thickness and total thickness of the wafer, a total thickness variation of the wafer, a total indicate reading of the wafer, and a site total indicate reading of the wafer. The optical measuring unit(360) measures a total warp rate of the dimensional parameter of the wafer. A control unit(310) controls the electric measuring unit(350) and the optical measuring unit(360) and displays measured data. A wafer loading unit(320) loads the wafer on a dimensional parameter measuring unit(300). The wafer positioning unit(340) fits the wafer in a reference position. A wafer unloading unit(340) unloads the wafer.

Abstract translation: 目的：提供一种用于测量晶片的尺寸参数的方法和装置，以通过使用电测量方法和光学测量方法来精确地测量晶片的尺寸参数。 构成：电测量单元（350）通过使用电容的电测量方法测量从晶片定位单元（340）传送的晶片的尺寸参数。 光学测量单元（360）通过使用激光束的光学方法测量从电测量单元（350）传送的晶片的尺寸参数。 电测量单元（350）测量晶片的中心厚度和总厚度的平均值，晶片的总厚度变化，晶片的总指示读数以及晶片的位置总指示读数。 光学测量单元（360）测量晶片的尺寸参数的总翘曲率。 控制单元（310）控制电测量单元（350）和光学测量单元（360）并显示测量数据。 晶片加载单元（320）将晶片装载在尺寸参数测量单元（300）上。 晶片定位单元（340）将晶片适配在参考位置。 晶片卸载单元（340）卸载晶片。

公开(公告)号：KR100634153B1

公开(公告)日：2006-10-16

申请号：KR1019990016385

申请日：1999-05-07

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 최수열 ,  한신혁 ,  최삼종 ,  심태헌

IPC: H01L21/66

Abstract: 여기에 개시된 반도체 장치의 OISF 검출 방법에 관한 것으로서, OISF 검출 방법은 패턴이 형성되지 않은 웨이퍼를 열처리한후 웨이퍼상에 형성된 산화막을 제거한다. 웨이퍼를 SECCO 식각액에 담궈 OISF를 노출시키고 다크후드를 통해 OISF를 확인한다. 그리고 패턴 형성을 위한 다층막이 형성된 웨이퍼는 열처리후 LAL을 이용하여 열처리르 통해 형성된 산화막을 식각한다. 다음으로 웨이퍼상에 형성된 도전막을 식각하고 KLA를 이용하여 OISF를 분석한다. 상기 웨이퍼를 SECCO 식각액에 담근후 다크후드를 통해 OISF 결함을 분석한다. 이와 같이, 웨이퍼에 잠재된 OISF를 표면으로 노출시키므로서 작업자가 이를 직접 확인할 수 있다.

公开(公告)号：KR1020030030634A

公开(公告)日：2003-04-18

申请号：KR1020010062857

申请日：2001-10-12

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김기정 ,  심태헌 ,  최수열 ,  안정훈

IPC: H01L21/66

Abstract: PURPOSE: A method for analyzing the surface defect of a wafer is provided to fundamentally prohibit the generation of crystal defects with the wafer processing by making correct defect morphology for the wafer. CONSTITUTION: A bare wafer is prepared(20). An oxide layer is formed on the bare wafer by performing a thermal oxidation process(22). An electrolytic material is attached to the defect surface area of the wafer with an oxide layer(24). The electrolytic material is removed from the wafer such that the morphology for the defect area is detected(34). In order to make the attachment of the electrolytic material to the wafer, after the wafer is dipped into a vessel with the electrolytic material, electric fields are formed at the front and the rear sides of the wafer while breaking the insulating layer at the defect area of the wafer. The electrolytic material is methanol containing copper ions. The electric field applied to the wafer is in the range of 3-10MV/cm¬2.

Abstract translation: 目的：提供一种用于分析晶片表面缺陷的方法，从根本上禁止通过对晶片进行正确的缺陷形态来通过晶片加工产生晶体缺陷。 构成：准备裸晶片（20）。 通过进行热氧化处理（22）在裸晶片上形成氧化物层。 电解材料用氧化物层（24）附着到晶片的缺陷表面区域。 从晶片上去除电解质，使得检测到缺陷区域的形态（34）。 为了使电解质材料附着到晶片上，在将晶片浸入具有电解材料的容器中之后，在晶片的前侧和后侧形成电场，同时在缺陷区域断开绝缘层 的晶片。 电解材料是含有铜离子的甲醇。 施加到晶片的电场在3-10MV / cm 2的范围内。

公开(公告)号：KR100334576B1

公开(公告)日：2002-05-03

申请号：KR1019990032247

申请日：1999-08-06

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 류근복 ,  심태헌 ,  박재근 ,  최수열

IPC: H01L21/30

Abstract: 목적: 본발명은비저항을향상시킬수 있고양호한생산성으로저렴하게제조될수 있는실리콘웨이퍼의제조방법을제공하고자한다. 구성: 본발명의구성으로서, 웨이퍼공급업체에서의웨이퍼제조공정은실리콘용융액으로부터단결정실리콘잉곳을그로잉하는단계, 상기잉곳으로부터소정두께의웨이퍼로슬라이싱하는단계, 상기슬라이싱된 웨이퍼면을연마하여평탄화하는단계, 상기연마된웨이퍼면의이물질을에칭의방법으로제거하는단계, 상기에칭된웨이퍼를순수를사용하여세정하는단계, 상기세정된웨이퍼면을폴리싱하는단계, 상기폴리싱된웨이퍼를순수를사용하여최종세정한후 패킹하여출하하는단계로순차행하고, 상기웨이퍼공급업체에서출하된웨이퍼에반도체디바이스를제조하는디바이스제조업체의최초공정은웨이퍼를 900℃이상의온도로초기산화시키는단계로행함이특징이다.

公开(公告)号：KR100319898B1

公开(公告)日：2002-01-10

申请号：KR1020000014024

申请日：2000-03-20

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 안정훈 ,  조규철 ,  강경림 ,  심태헌

IPC: H01L21/66

Abstract: 반도체 소자의 제조에 사용되는 웨이퍼의 치수인자를 측정하는 방법 및 그 장치에 관하여 개시된다. 개시된 웨이퍼의 치수인자 측정방법은, 각각의 웨이퍼에 대하여 치수인자 중 휨정도는 레이저 빔을 이용한 광학적 측정 방식에 의해 측정하고, 휨정도를 제외한 나머지 치수인자는 커패시턴스를 이용한 전기적 측정 방식에 의해 측정하는 것을 특징으로 한다. 상기 측정방법을 실시하기 위한 웨이퍼의 치수인자 측정장치는, 웨이퍼 로딩 유니트 및 웨이퍼 언로딩 유니트와, 웨이퍼의 기준위치를 맞추기 위한 웨이퍼 포지셔닝 유니트와, 웨이퍼의 치수인자 중 휨정도를 제외한 나머지 치수인자를 전기적 측정 방식에 의해 측정하는 전기적 측정유니트와, 웨이퍼의 휨정도를 광학적 측정 방식에 의해 측정하는 광학적 측정유니트 및 상기 유니트들을 제어하기 위한 제어 유니트를 구비한다. 이러한 웨이퍼의 치수인자 측정방법 및 그 장치에 의하면, 12인치 웨이퍼의 치수인자를 측정하는 경우에도 전기적 측정 방식의 장점인 높은 측정 생산성과 광학적 측정 방식의 장점인 휨정도에 대한 측정 데이터의 높은 신뢰성을 동시에 얻을 수 있게 된다.

公开(公告)号：KR1020010016974A

公开(公告)日：2001-03-05

申请号：KR1019990032247

申请日：1999-08-06

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 류근복 ,  심태헌 ,  박재근 ,  최수열

IPC: H01L21/30

Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing a wafer is provided to improve productivity and to reduce a manufacturing cost, by decreasing the number of processing steps for fabricating the wafer of which resistivity is improved. CONSTITUTION: A single silicon ingot is grown from a silicon melted solution. The ingot is sliced to a wafer of a predetermined thickness. A surface of the sliced wafer is planarized. A foreign substance on the surface of the polished wafer is etched away. The etched wafer is cleaned with deionized(DI) water. The surface of the cleaned wafer is polished. The polished wafer is lastly cleaned by DI water. The lastly-cleaned wafer is packed for shipment. The wafer is initially oxidized at a temperature of 900 deg.C by a manufacturer for making a semiconductor device.

Abstract translation: 目的：提供一种用于制造晶片的方法，通过减少用于制造电阻率提高的晶片的处理步骤的数量来提高生产率并降低制造成本。 构成：单个硅锭从硅熔融溶液中生长。 将锭切成预定厚度的晶片。 切片晶片的表面被平坦化。 在抛光晶片的表面上的异物被蚀刻掉。 用去离子（DI）水清洗蚀刻后的晶片。 清洁的晶片的表面被抛光。 抛光的晶片最后用去离子水清洗。 最后清洗的晶圆被装运。 晶片最初由制造半导体器件的制造商在900℃的温度下被氧化。

公开(公告)号：KR1020000073220A

公开(公告)日：2000-12-05

申请号：KR1019990016385

申请日：1999-05-07

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 최수열 ,  한신혁 ,  최삼종 ,  심태헌

IPC: H01L21/66

Abstract: PURPOSE: A method for detecting an OISF(Oxidation Induced Stacking Fault) of a semiconductor device is provided to analyze the OISF, by a thermal process for forming an oxidation layer on a wafer, and by an etching process using a SECCO etching solution. CONSTITUTION: A wafer having an oxidation layer is prepared. The wafer is thermally processed for 10 hours at the temperature of 1150°C. The oxidation layer formed on the wafer is eliminated. The wafer is soaked in a secco etching solution. Light is irradiated into the wafer to check the existence of an OISF(Oxidation Induced Stacking Fault) by a shade on the wafer. The exposed OISF is checked by a microscope.

Abstract translation: 目的：提供一种用于检测半导体器件的OISF（氧化诱导堆叠故障）的方法，用于通过用于在晶片上形成氧化层的热处理以及使用SECCO蚀刻溶液的蚀刻工艺来分析OISF。 构成：制备具有氧化层的晶片。 将晶片在1150℃的温度下热处理10小时。 消除了形成在晶片上的氧化层。 将晶片浸泡在secco蚀刻溶液中。 将光照射到晶片中，以通过晶片上的阴影检查是否存在OISF（氧化诱发堆叠故障）。 暴露的OISF由显微镜检查。

公开(公告)号：KR1020000059614A

公开(公告)日：2000-10-05

申请号：KR1019990007355

申请日：1999-03-05

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 안정훈 ,  심태헌 ,  최삼종 ,  조규철

IPC: H01L21/66

Abstract: PURPOSE: A method for measuring an optimum oxygen concentration having correlation between 300 mm semiconductor wafer measuring apparatuses is to allow wafer measuring apparatuses to have a correlation. CONSTITUTION: A method for measuring an optimum oxygen concentration having correlation between 300 mm semiconductor wafer measuring apparatuses comprises the steps of: withdrawing a double side polished slug from an ingot and a double side polished wafer placed most adjacently to the slug; measuring an oxygen concentration of the double side polished slug; deciding the measured oxygen concentration value as a real oxygen concentration value; measuring an oxygen concentration of the double side polished wafer; designating the measured oxygen concentration value as a real oxygen concentration value; and performing a quality guarantee to confirming whether the oxygen concentration value of the double side polished wafer is within a necessary range.

Abstract translation: 目的：用于测量300mm半导体晶片测量装置之间的相关性的最佳氧浓度的方法是允许晶片测量装置具有相关性。 构成：用于测量300mm半导体晶片测量装置之间的相关性的最佳氧浓度的方法包括以下步骤：从最靠近放置的铸锭和双面抛光晶片中取出双面抛光块; 测量双面抛光块的氧浓度; 将测得的氧浓度值确定为实际氧浓度值; 测量双面抛光晶片的氧浓度; 将测得的氧浓度值指定为实际氧浓度值; 并且进行质量保证以确认双面抛光晶片的氧浓度值是否在必要范围内。