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    반도체 소자의 제조 방법
    1.
    发明公开
    반도체 소자의 제조 방법 有权
    制造半导体器件的方法

    公开(公告)号：KR1020090049291A

    公开(公告)日：2009-05-18

    申请号：KR1020070115490

    申请日：2007-11-13

    Applicant: 삼성전자주식회사

    Inventor： 유동철 ,  최한메 ,  이광희 ,  안경원 ,  유차영

    IPC: H01L27/115 ,  H01L21/336

    CPC classification number: H01L29/792 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02181 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/02337 ,  H01L21/3115 ,  H01L21/3162 ,  H01L21/31645 ,  H01L29/513 ,  H01L29/66825 ,  H01L29/66833 ,  H01L29/7881 ,  H01L21/28282

    Abstract: 반도체 소자의 제조 방법을 개시한다. 본 발명에 따른 반도체 소자의 제조 방법은 게이트 절연층이 형성된 기판 상에 전하저장층을 형성하는 단계, 전하저장층 상에 금속산화막 전구체 및 제1 산화제를 포함하는 제1 반응 소스를 이용하여 제1 금속산화막을 형성하고 제1 산화제보다 산화력이 큰 제2 산화제를 포함하는 제2 반응 소스를 이용하여 제1 금속산화막을 제2 금속산화막으로 변화시키는 과정을 복수회 반복하여 블로킹 절연층을 형성하는 단계 및 블로킹 절연층 상에 전극층을 형성하는 단계를 포함한다.
    블로킹 절연층, 금속산화막, 재산화, 비휘발성 메모리 소자

    Abstract translation: 公开了一种制造半导体器件的方法。 制造使用第一反应源，以形成与栅绝缘层形成在衬底上的电荷存储层根据本发明的半导体器件，所述电荷存储层上的方法，包括金属氧化物前体和第一氧化剂的第一 通过重复形成金属氧化物层并使用包括具有比第一氧化剂更高的氧化强度的第二氧化剂的第二反应源将第一金属氧化物层改变为第二金属氧化物层的工艺来形成阻挡氧化物层， 并且在阻挡绝缘层上形成电极层。

    반도체 장치 및 이의 제조 방법
    2.
    发明公开
    반도체 장치 및 이의 제조 방법 审中-实审
    半导体存储器件及其制造方法

    公开(公告)号：KR1020140088424A

    公开(公告)日：2014-07-10

    申请号：KR1020130000285

    申请日：2013-01-02

    Applicant: 삼성전자주식회사

    Inventor： 이상훈 ,  고현용 ,  김성길 ,  안경원 ,  이우성 ,  조용석

    IPC: H01L27/115 ,  H01L21/8247

    CPC classification number: H01L27/10855 ,  H01L27/1157 ,  H01L27/11578 ,  H01L27/11582 ,  H01L29/66833 ,  H01L29/7926 ,  H01L2924/0002 ,  H01L21/823487 ,  H01L2924/00

    Abstract: The present invention relates to a semiconductor memory device and a method for fabricating the same. A semiconductor memory device according to one embodiment of the present invention includes: a first conductive line and a second conductive line which are separated from each other; and a first sacrificial layer pattern interposed between the first conductive line and the second conductive line. According to the embodiment of the present invention, the first sacrificial layer pattern has a concave sidewall.

    Abstract translation: 半导体存储器件及其制造方法技术领域本发明涉及一种半导体存储器件及其制造方法。 根据本发明的一个实施例的半导体存储器件包括：彼此分离的第一导线和第二导线; 以及插入在第一导线和第二导线之间的第一牺牲层图案。 根据本发明的实施例，第一牺牲层图案具有凹形侧壁。

    비휘발성 메모리 장치 및 그 제조 방법
    6.
    发明公开
    비휘발성 메모리 장치 및 그 제조 방법 审中-实审
    非易失性存储器件及其制造方法

    公开(公告)号：KR1020140041123A

    公开(公告)日：2014-04-04

    申请号：KR1020120108114

    申请日：2012-09-27

    Applicant: 삼성전자주식회사

    Inventor： 이우성 ,  안경원

    IPC: H01L27/115 ,  H01L21/8247

    CPC classification number: H01L29/792 ,  H01L27/11582 ,  H01L29/66833 ,  H01L29/7926 ,  H01L21/28008 ,  H01L21/823487

    Abstract: A non-volatile memory device is provided. The non-volatile memory device includes a substrate, an insulating pattern which is extended in a first direction on the substrate, a conductive pattern which is formed on the insulating pattern, an electrode structure which includes a plurality of interlayer dielectric layers and a plurality of gate electrodes which are alternately stacked in the first direction at both sides of the conductive pattern and the insulating pattern, and a protection layer which is formed along the lateral surface of the electrode structure. The length of the protection layer which is extended in the first direction is shorter than the length of the electrode structure which is extended in the first direction.

    Abstract translation: 提供了一种非易失性存储器件。 非易失性存储器件包括基板，在基板上沿第一方向延伸的绝缘图案，形成在绝缘图案上的导电图案，包括多个层间电介质层的电极结构和多个 在导电图案和绝缘图案的两侧沿第一方向交替堆叠的栅电极和沿电极结构的侧表面形成的保护层。 沿第一方向延伸的保护层的长度短于沿第一方向延伸的电极结构的长度。

    기판 로딩용 보트
    8.
    发明公开
    기판 로딩용 보트 审中-实审
    装载滚筒的船

    公开(公告)号：KR1020150110142A

    公开(公告)日：2015-10-02

    申请号：KR1020140034124

    申请日：2014-03-24

    Applicant: 삼성전자주식회사

    Inventor： 이웅 ,  안경원 ,  양철규 ,  임헌형 ,  황기현

    IPC: H01L21/683 ,  H01L21/677 ,  H01L21/673

    CPC classification number: H01L21/67309 ,  H01L21/6875 ,  H01L21/68771 ,  H01L21/68785

    Abstract: 기판로딩용보트가제공된다. 상기기판로딩용보트는, 제1 방향으로연장되어형성되는지지기둥및 지지기둥에부착되어반도체기판을지지하고, 제1 방향과교차하는제2 방향으로돌출되도록형성되는지지로드를포함하고, 지지로드는, 반도체기판과접촉하고, 제2 방향으로이격되어형성되는복수의접촉부와, 복수의접촉부를연결하도록형성되고, 반도체기판과비접촉하는연결부를포함한다.

    Abstract translation: 提供用于装载基板的船。 用于装载基板的船包括：沿第一方向延伸的支撑柱; 以及支撑杆，其附接到所述支撑柱以支撑半导体衬底并且沿与所述第一方向交叉的第二方向突出。 所述支撑杆包括：多个接触部件，其与所述半导体基板接触并且在所述第二方向上间隔开; 以及与多个接触部分连接并且不与半导体衬底接触的连接部分。

    반도체 장치, 반도체 장치의 제조방법 및 에피택시얼층의 형성방법
    10.
    发明公开
    반도체 장치, 반도체 장치의 제조방법 및 에피택시얼층의 형성방법 审中-实审
    半导体器件，半导体器件的制造方法和形成外延层的方法

    公开(公告)号：KR1020160024087A

    公开(公告)日：2016-03-04

    申请号：KR1020140109921

    申请日：2014-08-22

    Applicant: 삼성전자주식회사

    Inventor： 이웅 ,  김재호 ,  안경원 ,  이준석 ,  이우성 ,  임헌형

    IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  H01L21/20

    CPC classification number: H01L27/11582 ,  H01L27/1052 ,  H01L27/11519 ,  H01L27/11556 ,  H01L27/11565 ,  H01L27/11578 ,  H01L29/7926 ,  H01L29/78642

    Abstract: 본발명의실시예에따른반도체장치의제조방법은, 기판상에층간절연층들및 희생층들을교대로적층하는단계, 층간희생층들및 희생층들을관통하여기판을리세스시키는개구부들을형성하는단계, 기판의리세스영역내에, 기판의리세스된면을따라제1 에피택시얼층을형성하는단계, 및제1 에피택시얼층을시드층으로이용하여, 기판의리세스영역을채우고기판의상부로연장되는제2 에피택시얼층을형성하는단계를포함한다.

    Abstract translation: 本发明涉及根据本发明的实施例的半导体器件的制造方法，其包括在衬底上叠层层间绝缘层和牺牲层的步骤; 通过穿透层绝缘层和牺牲层形成在基板上形成凹部的开口单元的步骤; 在衬底的凹陷区域内沿衬底的凹陷表面形成第一外延层的步骤; 以及用所述第一外延层填充所述衬底的所述凹部区域作为种子层并形成延伸到所述衬底的上侧的第二外延层的步骤。 本发明的目的是提供具有改善的可靠性的半导体器件和半导体器件的制造方法。

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