公开(公告)号：KR1020170070924A

公开(公告)日：2017-06-23

申请号：KR1020150178376

申请日：2015-12-14

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 응우옌,빗하 ,  유우경 ,  이노우에,나오야 ,  이학선 ,  조병권 ,  한송이 ,  백종민 ,  강지원 ,  김병희 ,  박영주 ,  안상훈 ,  윤지원 ,  이내인 ,  조영우

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/762 ,  H01L29/772 ,  H01L29/66

CPC classification number: H01L23/53295 ,  H01L23/5222 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53266

Abstract: 본발명은반도체소자및 이의제조방법에관한것으로, 보다상세하게는기판상의제1 절연막을포함하는층간절연막; 및상기제1 절연막내에배치된복수개의배선들을포함한다. 상기층간절연막은, 제1 영역및 에어갭이배치된제2 영역을갖고, 상기에어갭은, 상기제2 영역내의한 쌍의상기배선들사이에정의되며, 상기제1 영역의상기제1 절연막의상면은, 상기제1 영역내의적어도하나의상기배선들의상면보다더 낮다.

Abstract translation: 本发明涉及一种半导体器件及其制造方法，并且更具体地涉及一种半导体器件，该半导体器件包括：在衬底上的包括第一绝缘膜的层间绝缘膜; 以及布置在第一绝缘膜中的多个布线。 其中，层间绝缘膜具有第一区域和第二区域，在该第一区域和第二区域中设置有气隙，并且气隙限定在第二区域中的一对互连之间， 轮廓表面低于第一区域中的至少一个配线的上表面。