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公开(公告)号：KR1020170002764A
公开(公告)日：2017-01-09
申请号：KR1020150092375
申请日：2015-06-29
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/768 , H01L21/3065
CPC classification number: H01L22/26 , H01J37/32963 , H01J2237/334 , H01L21/28008 , H01L21/31116 , H01L21/32135 , H01L22/12 , H01L27/11556 , H01L27/11582
Abstract: 반도체소자의제조방법을제공한다. 방법은, 제1 물질막들및 제2 물질막들이교번적으로적층된스택구조물의상부를식각반응가스의 EPD 신호를이용하여식각하고, 스택구조물의상부식각동안개구의깊이에대한제1 및제2 에천트들의주입시간함수를획득하여, 스택구조물의하부를함수를이용하여식각하는것을포함한다.
Abstract translation: 一种制造半导体器件的方法包括：在衬底上相互交替布置的第一材料层和第二材料层的叠层的蚀刻。 使用蚀刻反应气体的端点检测（EPD）信号来蚀刻堆叠的上部，并且获得蚀刻剂相对于开口深度的喷射时间的功能，同时堆叠的上部 被蚀刻。 使用所获得的功能蚀刻堆叠的下部。
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公开(公告)号：KR1020170073757A
公开(公告)日：2017-06-29
申请号：KR1020150181508
申请日：2015-12-18
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/02 , H01L21/3065 , H05H1/46 , H01J37/32
CPC classification number: H01J37/32532 , H01J37/3244 , H01J37/3255 , H01J37/32568 , H01J2237/334
Abstract: 본발명의일 실시형태에따른플라즈마처리장치용상부전극은, 복수의관통공을갖는몸체부; 상기몸체부의하부에배치되며상기복수의관통공과연결되는복수의분사홀을갖는샤워헤드; 및상기몸체부와샤워헤드사이에개재되는버퍼층;을포함할수 있다.
Abstract translation: 根据本发明实施例的用于等离子体处理设备的上电极包括：具有多个通孔的主体部分; 喷淋头，其设置在所述主体的下部并具有连接到所述多个通孔的多个喷射孔; 还有一个介于身体和喷头之间的缓冲层。
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公开(公告)号：KR1020160012302A
公开(公告)日：2016-02-03
申请号：KR1020140093323
申请日：2014-07-23
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/3065 , H01L21/02
CPC classification number: H01L21/3065 , H01J37/32449 , H01J37/32816 , H01J37/32834 , H01J37/32889 , H01J2237/332 , H01J2237/334 , H01L21/02118 , H01L21/02274 , H01L21/30655 , H01L21/31116 , H01L21/31138 , H01L21/32136 , H01L21/67069 , H01L27/11582
Abstract: 본발명은기판제조방법및 그에사용되는기판제조장치를개시한다. 그의방법은, 마스크막이형성된기판을챔버내에제공하는단계와, 상기챔버내에플라즈마반응을유도하는단계와, 상기챔버내에제 1 가스와제 2 가스를번갈아제공하여상기마스크막으로부터노출된상기기판을식각하는단계를포함할수 있다. 상기제 1 가스와상기제 2 가스의각각은상기챔버내에제공될때마다상기제 1 가스와상기제 2 가스의교차공급압력펄스의요동없이안정화된공급압력으로공급될수 있다.
Abstract translation: 本发明公开了一种用于其的基板制造方法和基板制造装置。 该方法可以包括以下步骤：将具有掩模层的衬底提供到腔室中; 在室中引起等离子体反应; 交替地将第一气体和第二气体提供到腔室中，并且蚀刻从掩模层暴露的衬底。 每当第一气体和第二气体中的每一个被提供到腔室中时，可以以稳定的供应压力供应每种气体，而不会引起第一气体和第二气体的交叉进给压力脉冲的波动。
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