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公开(公告)号：KR1020100049977A
公开(公告)日：2010-05-13
申请号：KR1020080109040
申请日：2008-11-04
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: G11C5/063 , G11C8/08 , Y10T29/49002
Abstract: PURPOSE: A semiconductor memory device having a driver for compensating the parasitic resistance of a data input/output pad is provided to improve the driving performance and switching speed of a driver by compensating the parasitic resistance of a data input output pad which shares a power voltage pad and a ground voltage pad. CONSTITUTION: A first data input output pad(DQ1) is arranged adjacent to a power voltage pad. The first data input output pad is arranged as far away from the grounding voltage pad as possible. A normal pull-up driver(30) and an on-resistance compensation pull-down driver(40) are connected to the first data input output pad. A second data input output pad(DQ2) is arranged adjacent to the power voltage pad.
Abstract translation: 目的：提供具有用于补偿数据输入/输出焊盘的寄生电阻的驱动器的半导体存储器件，以通过补偿共享电源电压的数据输入输出焊盘的寄生电阻来提高驱动器的驱动性能和开关速度 焊盘和接地电压焊盘。 构成：第一个数据输入输出焊盘（DQ1）布置在与电源电压焊盘相邻的位置。 第一个数据输入输出焊盘尽可能远离接地电压焊盘。 正常的上拉驱动器（30）和导通电阻补偿下拉驱动器（40）连接到第一数据输入输出板。 第二数据输入输出焊盘（DQ2）被布置为与电源电压焊盘相邻。
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公开(公告)号：KR1019970008364A
公开(公告)日：1997-02-24
申请号：KR1019950019827
申请日：1995-07-06
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 정해영
IPC: H01L21/30
Abstract: 전자빔 조사를 이용한 미세패턴 형성방법에 대해 기재되어 있다.
이는, 기판 상에 감광막을 도포하는 공정, 감광막을 노광 및 현상하여 감광막패턴을 형성하는 공정 및 감광막패턴에 형성된 결과물에 전자빔을 조사하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 한다.
따라서, 보다 미세한 패턴을 형성할 수 있으며, 최종 선폭을 예상하여 공정을 진행할 수 있는 잇점이 있다.-
公开(公告)号：KR1020090073376A
公开(公告)日：2009-07-03
申请号：KR1020070141297
申请日：2007-12-31
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: C11D11/0047 , C11D3/3947 , C11D7/12 , C11D7/265 , G03F7/425
Abstract: A composition for cleaning a phase shift mask is provided to effectively remove sulfate ion inducing haze and to reduce phase change and transmittance change generated with damage of a phase shift layer. A composition for cleaning a phase shift mask comprises ammonium salts of organic acids of which the ionization constant(Kb) of ammonium salts is greater than the ionization constant(Ka) of organic acid ions; hydrogen peroxide; and water. A method for cleaning a phase shift mask comprises the steps of: (S10) performing a first cleaning process on a substrate formed with the phase shifting mask by using a first cleaning solution including an sulfuric acid to remove photoresist and etching byproducts; and (S40) performing a second cleaning process by using the composition for cleaning the phase shift mask to remove sulfate ion remaining on the substrate without the damage of the phase shifting mask.
Abstract translation: 提供了一种用于清洗相移掩模的组合物，以有效地去除引起雾度的硫酸根离子，并减少由相移层损坏产生的相变和透射率变化。 用于清洗相移掩模的组合物包括铵盐的电离常数（Kb）大于有机酸离子的电离常数（Ka）的有机酸铵盐; 过氧化氢; 和水。 一种清洗相移掩模的方法包括以下步骤：（S10）通过使用包含硫酸的第一清洗溶液来除去光致抗蚀剂和蚀刻副产物，对形成有相移掩模的基板进行第一清洗处理; 和（S40）通过使用用于清洗相移掩模的组合物进行第二清洗处理，以去除残留在基板上的硫酸根离子，而不损害相移掩模。
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公开(公告)号：KR1020020082580A
公开(公告)日：2002-10-31
申请号：KR1020010022068
申请日：2001-04-24
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: H01J37/32724 , G03F1/80 , H01J37/32009 , H01J2237/2001
Abstract: PURPOSE: A plasma etching chamber and a method for fabricating a photo mask using the same are provided to form a pattern of a shielding layer having a uniform CD(Critical Dimension) distribution on all areas of a photo mask substrate by improving a structure of the plasma etching chamber. CONSTITUTION: A plasma etching chamber(10) is formed with a chamber wall(12), a TCP(Transformer Coupled Plasma) coil(14) installed on an upper portion of the chamber wall(12), and the first power source(16) for applying RF power to the TCP coil(14). An electrode(30) is installed on a bottom portion of the inside of the chamber wall(12). The electrode(30) is used for supporting a photo mask substrate(20). The electrode(30) has a support side(32) for supporting the photo mask substrate(20) and an upper side(34) for surrounding the support side(32) around the support side(32). A sidewall(36) is extended between the upper side(34) and the support side(32). The support side(32) has a steppe portion. The second power source(18) is connected with a lower portion of the chamber wall(12). A heat transfer element(40) is installed around an edge of the support side(32). The heat transfer element(40) is connected with a heater(50).
Abstract translation: 目的：提供等离子体蚀刻室和使用其的光掩模的制造方法，以通过改善光掩模基板的结构来形成具有均匀的CD（临界尺寸）分布的屏蔽层的图案 等离子体蚀刻室。 构造：等离子体蚀刻室（10）形成有室壁（12），安装在室壁（12）的上部的TCP（变压耦合等离子体）线圈（14））和第一电源（16） ），用于向所述TCP线圈（14）施加RF功率。 电极（30）安装在室壁（12）内部的底部。 电极（30）用于支撑光掩模基板（20）。 电极（30）具有用于支撑光掩模基板（20）的支撑侧（32）和围绕支撑侧（32）围绕支撑侧（32）的上侧（34）。 侧壁（36）在上侧（34）和支撑侧（32）之间延伸。 支撑侧（32）具有草原部分。 第二电源（18）与室壁（12）的下部连接。 传热元件（40）安装在支撑侧（32）的边缘周围。 传热元件（40）与加热器（50）连接。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR100207445B1
公开(公告)日：1999-07-15
申请号：KR1019950019827
申请日：1995-07-06
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 정해영
IPC: H01L21/30
Abstract: 전자빔 조사를 이용한 미세패턴 형성방법에 대해 기재되어 있다.
이는, 기판 상에 감광막을 도포하는 공정, 감광막을 노광 및 현상하여 감광막패턴을 형성하는 공정 및 감광막 패턴이 형성된 결과물에 전자빔을 조사하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 한다.
따라서, 보다 미세한 패턴을 형성할 수 있으며, 최종 선폭을 예상하여 공정을 진행할 수 있는 이점이 있다.-
公开(公告)号：KR1019990004109A
公开(公告)日：1999-01-15
申请号：KR1019970028123
申请日：1997-06-27
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/027
Abstract: 휘어진 마스크 및 레티클에 대한 초점 조절 에러(error)를 검사장비에서 보정할 수 있는 마스크 및 레티클의 검사방법에 관하여 개시한다. 이를 위하여 본 발명은, 마스크에서 일정간격으로 마스크 상의 임의 영역에 초점을 조절하는 단계와, 상기 초점을 이용하여 마스크의 휜 형태를 감지하는 단계와, 상기 감지된 휜 형태를 바탕으로 초점을 자동 조절하면서 마스크의 결함을 검사하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 마스크 및 레티클의 검사방법을 제공한다.
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公开(公告)号：KR1019980027541A
公开(公告)日：1998-07-15
申请号：KR1019960046340
申请日：1996-10-16
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/027
Abstract: 마스크제조과정에서 라이팅(writing)장비의 좌표기준을 스테이지에 형성하는 대신 마스크에 형성한다.
따라서 마스크와 좌표기준간의 상대적인 좌표변동이 없어져서 마스크에 새겨지는 패턴의 정확도를 상기 라이팅 장비의 정렬 정확도만큼 보장할 수 있다. 이러한 마스크를 사용하여 물질층을 패터닝할 경우 정렬마진을 개선시켜 층간 겹침 정확도를 높일 수 있다.-
公开(公告)号：KR1020090020932A
公开(公告)日：2009-02-27
申请号：KR1020070085576
申请日：2007-08-24
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/66 , H01L21/027
CPC classification number: G01N1/4055 , G01N30/96 , G01N2001/4061 , G03F1/84 , Y10T436/25125 , H01L21/0274 , H01L22/12 , H01L22/30
Abstract: An apparatus and a method of analyzing ions adsorbed on the surface of a mask are provided to separate ions absorbed in a mask surface within the short time accurately by using positive pressure to increase the boiling point of distilled water. A heating vessel(140) of the inside of a chamber(110) is filled with solvent of predetermined amount. A mask(180) dips in solvent within the heating container. Gas is supplied to the inside of the chamber and the inner pressure of the chamber is increased to constant pressure. As the solvent within the upper heating container is heated with constant temperature for constant time, the ion is separated from the surface of a mask. The solvent is sampled and analyzes the ion. The gas is purge gas.
Abstract translation: 提供分析吸附在掩模表面上的离子的装置和方法，通过使用正压以提高蒸馏水的沸点，在短时间内精确地分离吸收在掩模表面中的离子。 在室（110）内部的加热容器（140）中填充有预定量的溶剂。 掩模（180）在加热容器内溶于溶剂中。 气体被供应到室的内部，并且室的内部压力增加到恒定压力。 随着上部加热容器内的溶剂恒温恒温加热，离子与掩模表面分离。 对溶剂进行取样并分析离子。 气体是吹扫气体。
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公开(公告)号：KR100425445B1
公开(公告)日：2004-03-30
申请号：KR1020010022068
申请日：2001-04-24
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: H01J37/32724 , G03F1/80 , H01J37/32009 , H01J2237/2001
Abstract: A plasma etching chamber of a plasma etching apparatus used in an etching process for manufacturing a photomask and a method for manufacturing a photomask using the same. The plasma etching chamber includes an electrode having a supporting surface for supporting a photomask substrate and a top surface surrounding the supporting surface, a heat transfer element installed along a peripheral edge of the supporting surface, and a heater for supplying heat to the heat transfer element. In the method for manufacturing a photomask, a shading layer is formed on a transparent substrate. A photoresist layer pattern is formed on the shading layer to partially expose the shading layer. The shading layer is etched to form a shading layer pattern, using plasma with the photoresist layer pattern as an etching mask, under a state in which the temperature of at least one portion of the peripheral edge of the transparent substrate is maintained higher than a temperature at a center of the transparent substrate.
Abstract translation: 在用于制造光掩模的蚀刻工艺中使用的等离子蚀刻设备的等离子蚀刻室以及使用该等离子蚀刻设备制造光掩模的方法。 等离子体蚀刻室包括具有用于支撑光掩模基板的支撑表面和围绕支撑表面的顶表面的电极，沿着支撑表面的周边安装的传热元件以及用于向传热元件供热的加热器 。 在用于制造光掩模的方法中，遮光层形成在透明基板上。 在遮光层上形成光致抗蚀剂层图案以部分地暴露遮光层。 在保持透明基板的周缘的至少一部分的温度高于温度的状态下，使用具有光致抗蚀剂层图案作为蚀刻掩模的等离子体来蚀刻遮光层以形成遮光层图案 在透明基板的中心。
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