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公开(公告)号：KR102224849B1
公开(公告)日：2021-03-08
申请号：KR1020150040828A
申请日：2015-03-24
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L29/78 , H01L21/768
CPC classification number: H01L29/785 , H01L29/7842 , H01L21/76831 , H01L29/0649 , H01L29/0657 , H01L29/1054 , H01L29/42364 , H01L29/66795 , H01L29/7848
Abstract: 소자 분리막으로 둘러싸인 하부 핀 활성 영역 및 상기 소자 분리막의 상면으로부터 돌출한 상부 핀 활성 영역을 포함하는 핀 활성 영역, 상기 상부 핀 활성 영역의 상면 및 측면들 상의 게이트 패턴, 및 상기 게이트 패턴의 옆의 상기 핀 활성 영역 내에 형성된 소스/드레인 영역을 포함하고, 상기 게이트 패턴은 상기 소자 분리막 상으로 연장하고, 상기 소스/드레인 영역은 트렌치 및 상기 트렌치를 채우는 에피택셜 막들을 포함하고, 상기 트렌치는 바닥면 및 측벽들을 포함하고, 상기 측벽들은 제1 측벽들 및 상기 제1 측벽들과 상기 바닥면을 연결하는 제2 측벽들을 포함하고, 상기 트렌치의 바닥면은 상기 게이트 패턴 아래의 상기 소자 분리막의 상기 상면보다 낮고, 상기 트렌치의 상기 제2 측벽들은 경사진 {111} 면을 갖는 반도체 소자가 설명된다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020160119889A
公开(公告)日：2016-10-17
申请号：KR1020150048181
申请日：2015-04-06
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L29/78
CPC classification number: H01L29/41791 , H01L27/1104 , H01L29/0673 , H01L29/0847 , H01L29/161 , H01L29/36 , H01L29/41758 , H01L29/45 , H01L29/66795 , H01L29/775 , H01L29/785
Abstract: 본발명의실시예에따른반도체장치는, 기판상에배치되는두 개이상의활성핀들, 활성핀들과교차하며연장되는게이트전극, 및게이트전극의양측에서, 활성핀들상에배치되는소스/드레인영역을포함한다. 소스/드레인영역은, 각각의활성핀으로부터성장되고제1 농도의게르마늄(Ge)을포함하는제1 영역들, 및제1 영역들의사이에배치되며, 제1 농도보다높은제2 농도의게르마늄(Ge)을포함하는제2 영역을포함한다.
Abstract translation: 半导体器件包括具有上表面的衬底，衬底上的多个有源散热片，与多个有源散热片交叉的栅电极，以及在栅电极的每一侧上的多个活动鳍片上的源极/漏极区域 。 源极/漏极区域可以包括从活性鳍片延伸的多个第一区域，以及在多个第一区域中的每一个之间的第二区域。 第二区域可具有大于第一锗浓度的第二锗浓度。 源极/漏极区域可以连接到接触插塞，并且可以具有具有波形或曲面的顶表面。 顶表面可以具有比接触插塞的顶表面更大的表面积。
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公开(公告)号：KR102224849B1
公开(公告)日：2021-03-08
申请号：KR1020150040828
申请日：2015-03-24
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L29/78 , H01L21/768
Abstract: 소자분리막으로둘러싸인하부핀 활성영역및 상기소자분리막의상면으로부터돌출한상부핀 활성영역을포함하는핀 활성영역, 상기상부핀 활성영역의상면및 측면들상의게이트패턴, 및상기게이트패턴의옆의상기핀 활성영역내에형성된소스/드레인영역을포함하고, 상기게이트패턴은상기소자분리막상으로연장하고, 상기소스/드레인영역은트렌치및 상기트렌치를채우는에피택셜막들을포함하고, 상기트렌치는바닥면및 측벽들을포함하고, 상기측벽들은제1 측벽들및 상기제1 측벽들과상기바닥면을연결하는제2 측벽들을포함하고, 상기트렌치의바닥면은상기게이트패턴아래의상기소자분리막의상기상면보다낮고, 상기트렌치의상기제2 측벽들은경사진 {111} 면을갖는반도체소자가설명된다.
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公开(公告)号：KR102251060B1
公开(公告)日：2021-05-14
申请号：KR1020150048181
申请日：2015-04-06
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L29/78
Abstract: 본발명의실시예에따른반도체장치는, 기판상에배치되는두 개이상의활성핀들, 활성핀들과교차하며연장되는게이트전극, 및게이트전극의양측에서, 활성핀들상에배치되는소스/드레인영역을포함한다. 소스/드레인영역은, 각각의활성핀으로부터성장되고제1 농도의게르마늄(Ge)을포함하는제1 영역들, 및제1 영역들의사이에배치되며, 제1 농도보다높은제2 농도의게르마늄(Ge)을포함하는제2 영역을포함한다.
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公开(公告)号：KR1020170059234A
公开(公告)日：2017-05-30
申请号：KR1020150163323
申请日：2015-11-20
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L29/78 , H01L21/8234 , H01L27/11 , H01L29/66
CPC classification number: H01L27/1104 , H01L23/485 , H01L23/5283 , H01L27/0886 , H01L29/0847 , H01L29/161 , H01L29/456
Abstract: 반도체장치는제1 및제2 영역들을갖는기판의상기제1 영역상에형성된제1 액티브핀, 상기기판의상기제2 영역상에형성된복수의제2 액티브핀들, 상기제1 및제2 액티브핀들상에각각형성된제1 및제2 게이트구조물들, 상기제1 게이트구조물에인접한상기제1 액티브핀 상에형성된제1 소스/드레인층 구조물, 및상기제2 게이트구조물에인접한상기제2 액티브핀들의상면에공통적으로접촉하며상기제1 소스/드레인층 구조물의최상면보다높은최상면을갖는제2 소스/드레인층 구조물을포함할수 있다.
Abstract translation: 基板上形成的所述多个第二有源针，所述第一mitje形成在第一有源销的第二区域中的两个有源销，半导体器件，所述在所述衬底的具有第一mitje第二区域中的第一区域 形成，分别在公共邻近第一源极/漏极层结构中的第二活性销的顶表面上的第一mitje第二栅极结构，和形成在所述第二栅极结构，所述第一有源销邻近该第一栅极结构 以及第二源极/漏极层结构，具有比第一源极/漏极层结构的顶表面高的顶表面。
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公开(公告)号：KR1020160114391A
公开(公告)日：2016-10-05
申请号：KR1020150040828
申请日：2015-03-24
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L29/78 , H01L21/768
CPC classification number: H01L29/785 , H01L29/0649 , H01L29/0657 , H01L29/1054 , H01L29/42364 , H01L29/66795 , H01L29/7848
Abstract: 소자분리막으로둘러싸인하부핀 활성영역및 상기소자분리막의상면으로부터돌출한상부핀 활성영역을포함하는핀 활성영역, 상기상부핀 활성영역의상면및 측면들상의게이트패턴, 및상기게이트패턴의옆의상기핀 활성영역내에형성된소스/드레인영역을포함하고, 상기게이트패턴은상기소자분리막상으로연장하고, 상기소스/드레인영역은트렌치및 상기트렌치를채우는에피택셜막들을포함하고, 상기트렌치는바닥면및 측벽들을포함하고, 상기측벽들은제1 측벽들및 상기제1 측벽들과상기바닥면을연결하는제2 측벽들을포함하고, 상기트렌치의바닥면은상기게이트패턴아래의상기소자분리막의상기상면보다낮고, 상기트렌치의상기제2 측벽들은경사진 {111} 면을갖는반도체소자가설명된다.
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