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公开(公告)号：WO2012057506A2
公开(公告)日：2012-05-03
申请号：PCT/KR2011/007995
申请日：2011-10-25
Applicant: 서울대학교산학협력단 , 이규철 , 허재혁 , 김용진
IPC: H01L31/042
CPC classification number: H01L31/02366 , H01L31/022425 , H01L31/035227 , H01L31/03529 , H01L31/0392 , H01L31/07 , H01L31/072 , H01L31/073 , H01L31/0735 , H01L31/075 , H01L31/1892 , Y02E10/543 , Y02E10/544 , Y02E10/548
Abstract: 본원은, 탄소구조체층과, 상기 탄소구조체층 상에 형성되어 있는 미세 구조물과, 상기 미세 구조물을 덮어 형성되며, 전하분리접합부를 포함하는 박막층을 포함하는 태양전지 및 이의 제조 방법에 관한 것이다.
Abstract translation: 本发明涉及一种太阳能电池，其包括碳结构层，形成在所述碳结构层上的微结构，以及覆盖所述微结构并包括电荷分离结的薄膜层， 和一种生产它的方法。
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公开(公告)号：WO2015065071A1
公开(公告)日：2015-05-07
申请号：PCT/KR2014/010310
申请日：2014-10-30
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L33/20
CPC classification number: H01L33/24 , F21K9/232 , F21S41/147 , F21S45/43 , F21S45/47 , F21Y2115/10 , H01L33/007 , H01L33/0075 , H01L33/0079 , H01L33/08 , H01L33/145 , H01L33/18 , H01L33/20 , H01L33/32 , H01L33/38 , H01L33/385 , H01L33/387 , H01L33/44 , H01L33/62 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48247 , H01L2224/73265 , H01L2933/0016 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 본 발명의 일 실시형태는, 제1 도전형 반도체로 이루어진 베이스층과, 상기 베이스층 상에 형성되며, 상기 베이스층의 일부 영역이 노출된 복수의 개구를 갖는 절연막과, 상기 베이스층의 노출된 영역 각각에 형성되며, 제1 도전형 반도체로 이루어지고, 그 측면의 결정면과 다른 결정면을 갖는 상단부를 갖는 나노 코어와, 상기 나노 코어의 표면에 순차적으로 형성된 활성층과 제2 도전형 반도체층과, 상기 활성층과 상기 나노 코어 사이에 위치하도록 상기 나노 코어의 상단부에 형성된 전류차단 중간층을 포함하는 나노구조 반도체 발광소자를 제공한다.
Abstract translation: 本发明的一个实施例提供一种纳米结构半导体发光器件，包括：由第一导电型半导体构成的基极层; 绝缘层，其形成在所述基底层上并且具有多个开口以暴露所述基底层的部分区域; 形成在由第一导电型半导体构成的基底层的每个暴露区域上并具有与其侧表面的结晶表面不同的结晶表面的上端部的纳米芯; 在纳米芯的表面上连续形成的有源层和第二导电类型半导体层; 以及形成在纳米芯的上端部上的电流阻挡中间层，以位于有源层和纳米芯之间。
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公开(公告)号：KR1020150145756A
公开(公告)日：2015-12-31
申请号：KR1020140074785
申请日：2014-06-19
Applicant: 삼성전자주식회사 , 서울대학교산학협력단
CPC classification number: H01L33/26 , H01L33/145 , H01L33/44
Abstract: 본발명은나노구조반도체발광소자에대한것으로서, 제1 도전형반도체로이루어진베이스층; 각각, 상기베이스층상에배치되며, 제1 도전형반도체로이루어지고상기베이스층으로부터수직방향으로제1 영역과제2 영역으로구분되는복수의나노코어와, 상기복수의나노코어의제2 영역의표면상에순차적으로배치된활성층및 제2 도전형반도체층을갖는복수의나노발광구조물; 상기복수의나노발광구조물의상기제2 도전형반도체층의표면에배치된전도성보호층; 및적어도상기활성층의단부가산화되어얻어진전류차단층을포함하여,발광구조물표면의누설전류가감소되어, 나노발광구조물의발광효율이향상되는효과가있다.
Abstract translation: 本发明涉及一种纳米结构半导体发光器件，包括：由第一导电半导体构成的基极层; 多个纳米发光结构，其各自设置在基底层上，并且具有由第一导电半导体制成的多个纳米芯，并且从基底层沿垂直方向分为第一区域和第二区域， 依次设置在所述纳米芯的第二区域的表面上的有源层和第二导电半导体层; 设置在所述纳米发光结构的所述第二导电半导体层的表面上的导电保护层; 以及通过氧化有源层的至少一端而获得的电流阻挡层。 发光结构的表面的泄漏电流减小，因此提高了纳米发光结构的发光效率。
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公开(公告)号：KR101100414B1
公开(公告)日：2011-12-30
申请号：KR1020100103911
申请日：2010-10-25
Applicant: 서울대학교산학협력단
IPC: H01L31/04
CPC classification number: H01L31/02366 , H01L31/022425 , H01L31/035227 , H01L31/03529 , H01L31/0392 , H01L31/07 , H01L31/072 , H01L31/073 , H01L31/0735 , H01L31/075 , H01L31/1892 , Y02E10/543 , Y02E10/544 , Y02E10/548
Abstract: PURPOSE: A solar cell and a manufacturing method of the same are provided to improve the electrical property and optical property by using a carbon structure having microstructures. CONSTITUTION: In a solar cell and a manufacturing method of the same, a carbon structure body layer is prepared(S1). Microstructures are formed on the carbon structure body layer(S2). A thin film layer including a charge separation junction is formed(S3). The carbon structure body layer comprises a graphene or a graphite.
Abstract translation: 目的：提供一种太阳能电池及其制造方法，以通过使用具有微结构的碳结构来提高电性能和光学性能。 构成：在太阳能电池及其制造方法中，制备碳结构体层（S1）。 在碳结构体层上形成微结构（S2）。 形成包括电荷分离结的薄膜层（S3）。 碳结构体层包括石墨烯或石墨。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR102198694B1
公开(公告)日：2021-01-06
申请号：KR1020140087465
申请日：2014-07-11
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L33/22
Abstract: 본발명의실시예에따른반도체발광소자는, 제1 도전형반도체로이루어진베이스층, 베이스층상에배치되며, 베이스층의일부가노출된복수의개구부를가지는마스크층, 및개구부상에배치되며, 각각제1 도전형반도체코어, 활성층및 제2 도전형반도체층을포함하는복수의나노발광구조물들을포함하고, 복수의나노발광구조물들은, 마스크층상의기둥형상의몸체부및 몸체부상에배치되는뿔 형상의상단부를포함하고, 복수의나노발광구조물들에서, 상단부의꼭짓점이몸체부의중심세로축으로부터몸체부의폭의 1.5 %의거리이내에배치되는비율이 60 % 이상이다.
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公开(公告)号：KR1020160008027A
公开(公告)日：2016-01-21
申请号：KR1020140087465
申请日：2014-07-11
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L33/22
CPC classification number: H01L33/24 , H01L33/007 , H01L33/08 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48247 , H01L2224/48257 , H01L2224/73265 , H01L2924/181 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012
Abstract: 본발명의실시예에따른반도체발광소자는, 제1 도전형반도체로이루어진베이스층, 베이스층상에배치되며, 베이스층의일부가노출된복수의개구부를가지는마스크층, 및개구부상에배치되며, 각각제1 도전형반도체코어, 활성층및 제2 도전형반도체층을포함하는복수의나노발광구조물들을포함하고, 복수의나노발광구조물들은, 마스크층상의기둥형상의몸체부및 몸체부상에배치되는뿔 형상의상단부를포함하고, 복수의나노발광구조물들에서, 상단부의꼭짓점이몸체부의중심세로축으로부터몸체부의폭의 1.5 %의거리이내에배치되는비율이 60 % 이상이다.
Abstract translation: 根据本发明实施例的半导体发光器件包括由第一导电类型半导体制成的基底层，掩模层，其布置在基底层上并具有用于暴露基底部分的开口部分， 布置在开口部分上并分别包括第一导电型半导体芯，有源层和第二导电型半导体芯的发光结构。 纳米发光结构包括在掩模层上的柱状体的主体部分和布置在主体部分上的锥形的上端部。 在纳米发光结构中，将上端部的顶点的距离为身体部分的中心纵轴的1.5％的距离的比率为60％以上。
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公开(公告)号：KR1020150097322A
公开(公告)日：2015-08-26
申请号：KR1020140018699
申请日：2014-02-18
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/24 , H01L33/0079 , H01L33/08 , H01L33/145 , H01L33/38 , H01L33/62 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48247 , H01L2924/181 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012
Abstract: 본 발명의 일 실시 예는, 나노구조 반도체 제1 도전형 반도체로 이루어진 베이스층, 상기 제1 도전형 반도체 베이스층 상에 배치되며, 상기 제1 도전형 반도체 베이스층이 노출된 복수의 개구부를 가지는 마스크층, 상기 복수의 개구부 상에 배치되며, 각각 제1 도전형 반도체로 이루어진 나노 코어, 활성층 및 제2 도전형 반도체층을 포함하는 복수의 나노 발광구조물들 및 적어도 일부가 상기 제2 도전형 반도체층 아래에 위치하도록 상기 마스크층 상에 배치되는 다결정성 전류억제층을 포함하는 나노구조 반도체 발광소자를 제공한다.
Abstract translation: 本发明的实施例提供一种纳米结构半导体发光器件，其包括：由第一导电型半导体构成的基极层; 掩模层，其设置在所述第一导电型半导体基底层上，并且具有多个开口部，所述第一导电型半导体基底层暴露于所述多个开口部; 多个纳米发光结构，设置在开口部分上，并且分别包括由第一导电类型半导体，有源层和第二导电类型半导体层制成的纳米孔; 以及多个电流限制层，其设置在掩模层上，使得其至少一部分可以位于第二导电类型半导体层下方。
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