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公开(公告)号：WO2018074718A1
公开(公告)日：2018-04-26
申请号：PCT/KR2017/008294
申请日：2017-08-01
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: F24F1/0014 , F24F1/0022 , F24F11/00 , F24F13/14 , F24F13/20
Abstract: 공기조화기는 하우징의 내부로 유입되는 공기와 열교환하는 열교환기와, 열교환기와 열교환된 공기를 하우징의 외부로 송풍하는 송풍팬을 포함하고, 하우징에 마련된 제1 송풍구 및 제2 송풍구를 여닫는 제1 도어 및 제2 도어와 하우징 내부의 유로를 제어하는 가이드 블레이드를 제어하여 다양한 기류로 공기를 송풍할 수 있다.
Abstract translation: 空调包括用于与引入到壳体中的空气进行热交换的热交换器和用于将热交换后的空气吹到壳体外部的吹风机。 2可以控制用于打开和关闭风口和第二门的第一门和用于控制壳体内部通道的导向叶片，以吹入各种气流中的空气。
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公开(公告)号：KR1020090068817A
公开(公告)日：2009-06-29
申请号：KR1020070136585
申请日：2007-12-24
Applicant: 삼성전자주식회사 , 재단법인서울대학교산학협력재단
CPC classification number: G11C13/0038 , G11C5/14 , G11C7/20 , G11C13/0004
Abstract: An operation method of the phase change memory device is provided, which recovers the phase-change layer to the steady-state by authorizing the treatment voltage greater than the reset voltage to the phase-change layer. An operation method of the phase change memory device authorizes the treatment voltage which is greater than the reset voltage to the phase-change layer. The authentication hour of the treatment voltage is longer than the authentication hour of the reset voltage. The intensity of the treatment voltage is 1.1 times or greater of the reset voltage. The authentication hour of the treatment voltage is one micro-second or greater. The treatment voltage is one pulse voltage. The treatment voltage comprises two or more pulse voltages which are consecutively applied.
Abstract translation: 提供了相变存储器件的操作方法，通过授权处理电压大于相变层的复位电压，将相变层恢复到稳态。 相变存储器件的操作方法授权处理电压大于相变层的复位电压。 处理电压的认证时间长于复位电压的认证时间。 处理电压的强度是复位电压的1.1倍以上。 治疗电压的认证时间为1微秒或更大。 处理电压为一脉冲电压。 处理电压包括连续施加的两个或更多个脉冲电压。
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公开(公告)号：KR102209123B1
公开(公告)日：2021-01-28
申请号：KR1020170175064
申请日：2017-12-19
Applicant: 삼성전자주식회사
Abstract: 본개시는 4G 시스템이후보다높은데이터전송률을지원하기위한 5G 통신시스템을 IoT 기술과융합하는통신기법및 그시스템에관한것이다. 본개시는 5G 통신기술및 IoT 관련기술을기반으로지능형서비스 (예를들어, 스마트홈, 스마트빌딩, 스마트시티, 스마트카 혹은커넥티드카, 헬스케어, 디지털교육, 소매업, 보안및 안전관련서비스등)에적용될수 있다. 본발명에따른안테나모듈은적어도하나의기판이적층되어있는제1 기판층, 상기제1 기판층의상단면에결합되는안테나, 상단면이상기제1 기판층의하단면에결합되며, 적어도하나의기판이적층되어있는제2 기판층및 상기제2 기판층의하단면에결합되는 RF(Radio Frequency) 소자를포함할수 있다.
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公开(公告)号：KR101881750B1
公开(公告)日：2018-07-25
申请号：KR1020120021056
申请日：2012-02-29
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/108 , H01L21/8242
CPC classification number: H01L43/12 , H01L27/10888 , H01L27/222 , H01L27/228 , H01L29/82
Abstract: 정보저장소자가제공된다. 셀영역및 주변회로영역을포함하는기판, 상기셀 영역상의정보저장부들, 상기정보저장부들상에서상기정보저장부들과접속되는제 1 비트라인들이제공된다. 상기주변회로영역상의주변영역트랜지스터와연결되는제 1 콘택들및 상기제 1 콘택들상에제공되고상기제 1 콘택들과접속되는제 2 비트라인들이제공된다. 상기제 2 비트라인들의하면은상기정보저장부들의하면보다낮을수 있다.
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公开(公告)号：KR1020140112701A
公开(公告)日：2014-09-24
申请号：KR1020130027082
申请日：2013-03-14
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/027 , H01L21/28
CPC classification number: H01L27/228 , H01L21/0337 , H01L21/31144 , H01L21/76816 , H01L29/82 , H01L43/02 , H01L43/08 , H01L43/12 , H01L21/0273 , H01L21/28158
Abstract: As to a pattern forming method, an insulating film is formed on a substrate. A first mask including multiple line patterns extending in a first direction and arranged in a second direction vertical to the first direction is formed on the insulating film. A second mask including an opening, exposing at least a part of the line patterns and in which at least one among a first end in the first direction and a second end in a third direction opposite to the first direction has an uneven part, is formed on the insulating film and the first mask. As the insulating film is partially removed by using the first and second masks as an etching mask, first and second trenches are formed in a zig-zag type in the second direction. The first and second trenches are buried.
Abstract translation: 对于图案形成方法，在基板上形成绝缘膜。 在绝缘膜上形成包括沿第一方向延伸并沿垂直于第一方向的第二方向布置的多条线图案的第一掩模。 形成包括开口的第二掩模，暴露至少一部分线图案，并且其中在第一方向的第一端和与第一方向相反的第三方向上的第二端中的至少一个具有凹凸部 在绝缘膜和第一掩模上。 由于通过使用第一和第二掩模作为蚀刻掩模来部分去除绝缘膜，所以第一和第二沟槽在第二方向上以锯齿形形式形成。 第一和第二个沟槽被埋葬。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020120130355A
公开(公告)日：2012-12-03
申请号：KR1020110048228
申请日：2011-05-23
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: G09G3/2096 , G09G3/3688 , G09G5/363 , G09G2230/00 , G09G2300/0426 , G09G2300/0842 , G09G2310/0286 , G09G2310/0291 , G09G2310/0294 , G09G2320/103 , G09G2330/04 , G09G2340/02 , G09G2340/16 , G09G2360/18
Abstract: PURPOSE: A timing controller and a display device including the same are provided to minimize the impact of soft fail by initializing setting data using a reset signal. CONSTITUTION: A noise detection circuit(500) includes at least one detector and a reset signal generator. The detector outputs at least one detection signal. The detection signal has a logic level based on reference data. The reference data is toggled by being synchronized to a clock signal. The reset signal generator outputs a reset signal. One or more setting controllers(150) store setting data used for processing RGB image data. The setting controller initializes the setting data.
Abstract translation: 目的：提供定时控制器和包括其的显示装置，以通过使用复位信号初始化设置数据来最小化软故障的影响。 构成：噪声检测电路（500）包括至少一个检测器和复位信号发生器。 检测器输出至少一个检测信号。 检测信号具有基于参考数据的逻辑电平。 通过与时钟信号同步来切换参考数据。 复位信号发生器输出复位信号。 一个或多个设置控制器（150）存储用于处理RGB图像数据的设置数据。 设置控制器初始化设置数据。
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公开(公告)号：KR1020090077523A
公开(公告)日：2009-07-15
申请号：KR1020080003524
申请日：2008-01-11
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/115 , H01L21/8247
CPC classification number: H01L27/2436 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/148 , H01L45/1625 , C23C16/305
Abstract: A phase change material layer and a phase change memory device comprising the same are provided to achieve low melting point and high re-crystallization temperature and obtain a reduced reset current and a favorable retention property. A phase change material layer(10) adds at least one of In or Ga into Sb. The phase change material layer is formed in a range of intermetallic composition to eutectic composition. The phase change material layer may contain at least one of Sb and In, or Ga. A phase change memory device includes a storage node having a phase change material layer and switching devices connected to the storage node.
Abstract translation: 提供相变材料层和包含该相变材料层的相变存储器件以实现低熔点和高再结晶温度，并获得降低的复位电流和良好的保留性能。 相变材料层（10）将In或Ga中的至少一种添加到Sb中。 相变材料层在金属间组合物的范围内形成为共晶组成。 相变材料层可以含有Sb和In中的至少一种，或Ga。相变存储器件包括具有相变材料层的存储节点和连接到存储节点的开关装置。
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公开(公告)号：KR1020090055878A
公开(公告)日：2009-06-03
申请号：KR1020070122737
申请日：2007-11-29
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G11C13/02
CPC classification number: G11C11/5678 , G11C13/0004
Abstract: An operation method of a phase change memory device is provided to prevent overheat of a phase change layer during a reset action, thereby improving durability of the phase change memory device. A phase change memory device comprises a phase change layer and a voltage applying unit. A reset voltage(Vreset) is applied to the phase change layer. The reset voltage comprises first to third pulse voltages(V1~V3). Strength of the first to third pulse voltages is the same. Application time(T1~T3) of the first to third pulse voltages is less than 20ns. An interval between the first and second pulse voltages and an interval between the second and third pulse voltages are less than 100ns. After the reset voltage is applied, a set voltage is applied to the phase change layer.
Abstract translation: 提供相变存储器件的操作方法以防止在复位动作期间相变层过热，从而提高相变存储器件的耐用性。 相变存储器件包括相变层和电压施加单元。 复位电压（Vreset）被施加到相变层。 复位电压包括第一至第三脉冲电压（V1〜V3）。 第一至第三脉冲电压的强度相同。 第一至第三脉冲电压的施加时间（T1〜T3）小于20ns。 第一和第二脉冲电压之间的间隔以及第二和第三脉冲电压之间的间隔小于100ns。 施加复位电压后，设定的电压施加到相变层。
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公开(公告)号：KR100763908B1
公开(公告)日：2007-10-05
申请号：KR1020060001392
申请日：2006-01-05
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/115
CPC classification number: G11C13/0069 , G11C13/0004 , G11C2013/0078 , G11C2213/79 , H01L27/2436 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/144 , H01L45/1625
Abstract: 상전이 물질, 이를 포함하는 상전이 메모리, 이의 동작 방법에 관해 개시한다. 개시된 상전이 메모리는: 스위칭 소자; 상기 스위칭 소자에 연결된 상전이 물질이 내재된 스토리지 노드를 포함한다. 상기 스토리지 노드는: 제1전극; 상전이층; 및 제2 전극;을 구비하며, 상기 상전이층은, InSbTe 화합물에 Ge 가 도핑된 것을 특징으로 한다. 이에 따라 상전이 물질의 비정질화 온도 및 리세트 전류를 낮출 수 있다.
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公开(公告)号：KR100665832B1
公开(公告)日：2007-01-09
申请号：KR1020000050647
申请日：2000-08-30
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/336
Abstract: 살리사이드층을 갖는 반도체 장치에서 고저항 소자 제조방법이 개시되어 있다. 그러한 제조방법은, 모오스 트랜지스터의 제조시에 함께 고저항 소자를 형성하기 위하여, 고저항 소자가 형성될 소자영역의 사이즈를 상기 모오스 트랜지스터의 드레인 또는 소오스가 형성될 활성층의 사이즈 보다 작게 설정하여 상기 모오스 트랜지스터의 게이트 사이드월 형성시 상기 고저항 소자의 소자영역에는 상기 게이트 사이드 월을 이루는 절연물질이 충진되도록 하는 단계와; 상기 모오스 트랜지스터의 게이트 및 활성층의 상부에 살리사이드층을 형성하는 살리사이드공정 진행시 상기 고저항 소자의 소자영역에는 상기 충진된 절연물질에 의해 살리사이드 층이 형성되지 않도록 하는 단계를 가진다.
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