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    반도체 소자의 실리사이드 형성방법 및 반도체 소자용 소스/드레인
    4.
    发明授权
    반도체 소자의 실리사이드 형성방법 및 반도체 소자용 소스/드레인 有权
    制造半导体器件的硅化物和半导体器件的源/漏的方法

    公开(公告)号：KR101480788B1

    公开(公告)日：2015-01-14

    申请号：KR1020140036232

    申请日：2014-03-27

    Applicant: 성균관대학교산학협력단

    Inventor： 이후정 ,  나세권 ,  강준구

    IPC: H01L21/24 ,  H01L21/20 ,  H01L21/318 ,  H01L21/324

    CPC classification number: H01L21/76889 ,  H01L21/28518 ,  H01L21/2855 ,  H01L29/45 ,  H01L29/456

    Abstract: 본 발명은 반도체 소자의 실리사이드 형성방법 및 반도체용 소스/드레인에 관한 것으로, 실리콘을 포함하는 실리콘 기판을 마련하는 실리콘 기판 마련단계; 상기 실리콘 기판 상에 이터븀, 내화금속 및 전이금속 질화물을 증착하여 상기 이터븀 및 상기 내화금속은 이터븀 합금 박막을 형성하고, 상기 전이금속 질화물은 캡핑 층을 형성하도록 하는 증착단계; 및 상기 실리콘 기판을 열처리하여 상기 실리콘 기판 및 상기 이터븀 합금 박막 계면에 이터븀 실리사이드가 형성되는 열처리단계를 포함하여 형성될 수 있다.
    본 발명의 실리사이드 형성방법에 의하면 에피택시하게 성장된 이터븀 실리사이드를 안정적으로 형성할 수 있어 낮은 쇼트키 장벽을 가진 소스 및 드레인을 구현할 수 있어 트랜지스터를 포함한 반도체 분야에 유용하게 적용할 수 있다.

    Abstract translation: 本发明涉及一种用于形成半导体器件的硅化物的方法和用于半导体器件的源极/漏极。 该方法包括以下步骤：制备包含硅的硅衬底; 在硅衬底上沉积镱，难熔金属和过渡金属氮化物，以使用镱和难熔金属形成镱合金薄膜，并使用过渡金属氮化物形成覆盖层; 并通过对硅衬底进行热处理，在硅衬底和镱合金薄膜之间的界面上形成硅化镱。 根据形成硅化物的方法，可以稳定地形成外延生长的镱硅化物，从而可以实现具有低肖特基势垒的源极和漏极。 因此，该方法可以应用于包括晶体管的半导体场。

    박막 트랜지스터 및 그 제조방법
    5.
    发明公开
    박막 트랜지스터 및 그 제조방법 有权
    薄膜晶体管及其制造方法

    公开(公告)号：KR1020110010323A

    公开(公告)日：2011-02-01

    申请号：KR1020090067826

    申请日：2009-07-24

    Applicant: 삼성전자주식회사 ,  성균관대학교산학협력단

    Inventor： 손경석 ,  권장연 ,  김형섭 ,  이후정 ,  문미란 ,  박경

    IPC: H01L29/786

    CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L29/04

    Abstract: PURPOSE: A thin film transistor and a manufacturing method thereof are provided to reduce a leakage current by comprising a channel layer of a multi-layered film with different crystal grains. CONSTITUTION: A thin film transistor includes a gate, a gate insulation layer(130), a channel layer(140), a source, and a drain. The channel layer comprises a first oxide semiconductor layer and a second oxide semiconductor layer. The source and drain are contacted with both sides of the channel layer. The crystal grain of a first oxide semiconductor layer is relatively larger than the crystal grain of a second oxide semiconductor layer.

    Abstract translation: 目的：提供薄膜晶体管及其制造方法，以通过包括具有不同晶粒的多层膜的沟道层来减少漏电流。 构成：薄膜晶体管包括栅极，栅极绝缘层（130），沟道层（140），源极和漏极。 沟道层包括第一氧化物半导体层和第二氧化物半导体层。 源极和漏极与沟道层的两侧接触。 第一氧化物半导体层的晶粒比第二氧化物半导体层的晶粒相对大。

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